公开(公告)号：CN100421861C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN03120150.4

申请日：2003-03-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 曾我太佐男 ,  秦英惠 ,  中哲也 ,  根岸干夫 ,  中浩一 ,  远藤恒雄

IPC: B23K35/26

CPC classification number: H05K3/3484 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/262 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/86 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/166 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H05K2201/0215 ,  Y10T428/12181 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12715 ,  Y10T428/12722 ,  Y10T428/1275 ,  Y10T428/12889 ,  Y10T428/12896 ,  Y10T428/1291 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 在一种在温度层级结合中实现高温端焊接结合的焊料中，半导体装置与衬底之间的连接部分通过由Cu之类构成的金属球以及由金属球和Sn构成的化合物而形成，并且金属球通过化合物而结合在一起。为此，本发明提供了一种焊料，其包括Sn基焊球和熔点高于Sn基焊球的熔点的金属球，其中，每个金属球的表面覆盖有Ni层，而Ni层上覆盖有Au层。

公开(公告)号：CN1295783C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN03120151.2

申请日：2003-03-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 曾我太佐男 ,  秦英惠 ,  中哲也 ,  根岸干夫 ,  中浩一 ,  远藤恒雄

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K3/3484 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/262 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/141 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/0215 ,  H05K2201/0218 ,  H05K2201/045 ,  H05K2201/10636 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669

Abstract: 在一种在温度层级结合中实现高温端焊接结合的电子装置中，半导体装置与衬底之间的结合部分通过由Cu之类构成的金属球和由金属球和Sn构成的化合物而形成，并且金属球通过化合物而结合在一起。