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公开(公告)号：CN100465784C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN02151388.0
申请日：2002-11-20
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G03F7/027 , G03F7/16 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , Y10S430/111 , Y10S430/146
Abstract: 本发明提供一种负型感放射线组合物，其适用于包含ArF受激准分子激光波长193nm的远紫外线的曝光，可避免因显像液的渗透所造成的膨润或图案的线间残留抗蚀膜而使解像度劣化，可形成高解像度的图案。本发明解决上述问题的方法是提供一种感放射线组合物，其包含在酯部上具有γ-羟基羧酸的丙烯酸酯聚合物及酸产生剂。
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公开(公告)号：CN1193405C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN01144074.0
申请日：2001-12-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , G03F1/00
Abstract: 短时间开发少量多品种的半导体装置，而且以低成本制造实现最佳光掩模。例如在光刻胶膜等这样的有机膜中含有碳等这种微粒子状物质，构成光掩模M的遮光体图形(2)。通过利用该光掩模M的缩小投影处理，把图形复制到半导体晶片(5)上的光刻胶(6)中。该曝光处理时，作为曝光光(3)例如在i线、KrF准分子激光和ArF准分子激光等宽广波长范围，可以选择曝光光。
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公开(公告)号：CN1975570A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610163378.9
申请日：2006-12-04
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G03F7/00 , G03F7/038 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0382
Abstract: 如果随着微细化，要求半导体电路图案尺寸的精度接近于抗蚀剂分子尺寸，则抗蚀剂图案的线边缘粗糙度增大。本发明提供能够抑制由所述情况导致的设备性能劣化或对系统性能造成的不良影响的技术。本发明使用一种图案形成用基材，其特征在于，所述图案形成用基材为具有3个以下在酸的作用下发生化学转化、对碱性显影液的溶解性降低的官能团的分子。
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公开(公告)号：CN1365135A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN01144074.0
申请日：2001-12-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , G03F1/00
Abstract: 短时间开发少量多品种的半导体装置,而且以低成本制造实现最佳光掩模。例如在光刻胶膜等这样的有机膜中含有碳等这种微粒子状物质,构成光掩模M的遮光体图形2。通过利用该光掩模M的缩小投影处理,把图形复制到半导体晶片5上的光刻胶6中。该曝光处理时,作为曝光光3,例如在i线、KrF准分子激光和ArF准分子激光等宽广波长范围,可以选择曝光光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103548149A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201180070975.6
申请日：2011-05-25
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L31/0236
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/02366 , H01L31/03529 , Y02E10/50 , H01L31/0236
Abstract: 为了实现作为表面结构具有能够在太阳光的较宽的波长域防止反射的纳米柱阵列结构的太阳能电池单元，具有基板(1)、与基板(1)连接的直径(D1)的纳米柱(11)以及与基板(1)连接的直径(D2)的纳米柱(12)，其特征在于(D1)＜(D2)。由直径不同的两种纳米柱构成的纳米柱阵列结构(21)兼具备由直径(D1)的纳米柱(11)构成的纳米柱阵列结构的反射率的极小点和由直径(D2)的纳米柱(12)构成的纳米柱阵列结构的反射率的极小点，因此能够实现太阳光的较宽的波长域的防止反射。
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公开(公告)号：CN1975570B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200610163378.9
申请日：2006-12-04
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G03F7/00 , G03F7/038 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0382
Abstract: 如果随着微细化，要求半导体电路图案尺寸的精度接近于抗蚀剂分子尺寸，则抗蚀剂图案的线边缘粗糙度增大。本发明提供能够抑制由所述情况导致的设备性能劣化或对系统性能造成的不良影响的技术。本发明使用一种图案形成用基材，其特征在于，所述图案形成用基材为具有3个以下在酸的作用下发生化学转化、对碱性显影液的溶解性降低的官能团的分子。
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公开(公告)号：CN1264887C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN02151387.2
申请日：2002-11-20
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G03F1/56
Abstract: 本发明提供一种可以较少的工序数目制造、高精度且低缺陷的KrF准分子激光平版印刷法用光掩模。本发明的KrF准分子光平版印刷法用光掩模，是在石英玻璃基板(10)上直接形成可将KrF受激准分子激光(波长：约248nm)有效地吸收的抗蚀图案(18)。抗蚀图案(18)，是由以在萘环导入至少结合有一羟基的高遮光性水性碱可溶性树脂或该水性碱可溶性树脂的衍生物作为高分子树脂基质的水性碱可溶性树脂作为主成分的感光性树脂组合物所构成。
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公开(公告)号：CN1428654A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02151388.0
申请日：2002-11-20
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G03F7/027 , G03F7/16 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , Y10S430/111 , Y10S430/146
Abstract: 本发明提供一种负型感放射线组合物，其适用于包含ArF受激准分子激光波长193nm的远紫外线的曝光，可避免因现像液的渗透所造成的膨润或图案的线间残留抗蚀膜而使解像度劣化，可形成高解像度的图案。本发明解决上述问题的方法是提供一种感放射线组合物，其包含在酯部上具有γ－羟基羧酸的丙烯酸酯聚合物及酸产生剂。
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