公开(公告)号：CN1365135A

公开(公告)日：2002-08-21

申请号：CN01144074.0

申请日：2001-12-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 服部孝司 ,  后藤泰子 ,  佐藤秀寿 ,  田中稔彦 ,  白石洋

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  G03F1/00

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/26 ,  G03F1/30 ,  G03F1/56

Abstract: 短时间开发少量多品种的半导体装置,而且以低成本制造实现最佳光掩模。例如在光刻胶膜等这样的有机膜中含有碳等这种微粒子状物质,构成光掩模M的遮光体图形2。通过利用该光掩模M的缩小投影处理,把图形复制到半导体晶片5上的光刻胶6中。该曝光处理时,作为曝光光3,例如在i线、KrF准分子激光和ArF准分子激光等宽广波长范围,可以选择曝光光。

公开(公告)号：CN1193405C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN01144074.0

申请日：2001-12-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 服部孝司 ,  后藤泰子 ,  佐藤秀寿 ,  田中稔彦 ,  白石洋

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  G03F1/00

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/26 ,  G03F1/30 ,  G03F1/56

Abstract: 短时间开发少量多品种的半导体装置，而且以低成本制造实现最佳光掩模。例如在光刻胶膜等这样的有机膜中含有碳等这种微粒子状物质，构成光掩模M的遮光体图形(2)。通过利用该光掩模M的缩小投影处理，把图形复制到半导体晶片(5)上的光刻胶(6)中。该曝光处理时，作为曝光光(3)例如在i线、KrF准分子激光和ArF准分子激光等宽广波长范围，可以选择曝光光。