公开(公告)号：CN103915657B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201310726913.7

申请日：2013-12-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥实 ,  桃纯平 ,  盐野入丰

IPC: H01M10/42 ,  H02J7/00

CPC classification number: H02J7/007 ,  H01G11/06 ,  H01G11/10 ,  H01M4/5825 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/4207 ,  H01M10/441 ,  H02J7/0024 ,  H02J7/0057

Abstract: 本发明的一个方式抑制蓄电装置的劣化。通过设置分别控制多个蓄电装置的连接的开关并由多个控制信号控制开关，来切换是对各蓄电装置充电还是使各蓄电装置放电或者切换是将多个蓄电装置串联连接还是将多个蓄电装置并联连接。再者，通过在蓄电装置中设置能够进行运算的半导体电路来构成蓄电装置的控制系统或蓄电系统。

公开(公告)号：CN102739236B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201210115117.5

申请日：2012-04-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小林英智 ,  远藤正己 ,  盐野入丰 ,  傅保洋树 ,  西岛辰司 ,  大岛和晃 ,  米田诚一 ,  小山润

IPC: H03K19/20 ,  G11C16/06 ,  G11C11/4063

CPC classification number: H03K19/17796 ,  G11C16/0433 ,  H01L27/11803 ,  H01L27/1203

Abstract: 本公开涉及可编程LSI。提供可以进行动态配置的低功率可编程LSI。该可编程LSI包括多个逻辑元件。这些多个逻辑元件每个包括配置存储器。这些多个逻辑元件的每个根据存储在配置存储器中的配置数据进行不同的运算处理并且改变这些逻辑元件之间的电连接。该配置存储器包括易失性存储电路和非易失性存储电路的设置。该非易失性存储电路包括：晶体管，其的沟道在氧化物半导体层中形成；和电容器，其一对电极中的一个电极电连接到当晶体管关断时被设置处于浮动状态的节点。

公开(公告)号：CN105047669A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510354385.6

申请日：2010-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 盐野入丰 ,  三宅博之 ,  加藤清

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1052 ,  G11C16/0433 ,  H01L27/115 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: 目的之一是提供可以抑制其功耗的存储器装置和包括该存储器装置的半导体装置。对该存储器装置中的每个存储器单元，作为用于保持积累在起存储器元件作用的晶体管中的电荷的开关元件，提供有包括氧化物半导体膜作为有源层的晶体管。用作存储器元件的晶体管具有第一栅电极、第二栅电极、位于第一栅电极和第二栅电极之间的半导体膜、位于第一栅电极和半导体膜之间的第一绝缘膜、位于第二栅电极和半导体膜之间的第二绝缘膜、以及与半导体膜接触的源电极和漏电极。

公开(公告)号：CN102656691B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201080059846.2

申请日：2010-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 盐野入丰 ,  三宅博之 ,  加藤清

IPC: H01L27/105 ,  G11C11/401 ,  G11C11/405 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/1052 ,  G11C16/0433 ,  H01L27/115 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: 目的之一是提供可以抑制其功耗的存储器装置和包括该存储器装置的半导体装置。对该存储器装置中的每个存储器单元，作为用于保持积累在起存储器元件作用的晶体管中的电荷的开关元件，提供有包括氧化物半导体膜作为有源层的晶体管。用作存储器元件的晶体管具有第一栅电极、第二栅电极、位于第一栅电极和第二栅电极之间的半导体膜、位于第一栅电极和半导体膜之间的第一绝缘膜、位于第二栅电极和半导体膜之间的第二绝缘膜、以及与半导体膜接触的源电极和漏电极。

公开(公告)号：CN102656691A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201080059846.2

申请日：2010-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 盐野入丰 ,  三宅博之 ,  加藤清

IPC: H01L27/105 ,  G11C11/401 ,  G11C11/405 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/1052 ,  G11C16/0433 ,  H01L27/115 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: 目的之一是提供可以抑制其功耗的存储器装置和包括该存储器装置的半导体装置。对该存储器装置中的每个存储器单元，作为用于保持积累在起存储器元件作用的晶体管中的电荷的开关元件，提供有包括氧化物半导体膜作为有源层的晶体管。用作存储器元件的晶体管具有第一栅电极、第二栅电极、位于第一栅电极和第二栅电极之间的半导体膜、位于第一栅电极和半导体膜之间的第一绝缘膜、位于第二栅电极和半导体膜之间的第二绝缘膜、以及与半导体膜接触的源电极和漏电极。

公开(公告)号：CN102148538A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110034698.5

申请日：2011-01-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  盐野入丰

IPC: H02J17/00 ,  H02J7/00

CPC classification number: B60L11/182 ,  B60L5/005 ,  B60L11/1829 ,  B60L11/1833 ,  B60L2200/26 ,  B60L2200/32 ,  B60L2200/34 ,  H01F38/14 ,  H02J5/005 ,  H02J7/025 ,  H02J17/00 ,  H02J50/12 ,  H02J50/20 ,  H02J50/90 ,  Y02T10/7005 ,  Y02T10/7011 ,  Y02T10/7016 ,  Y02T10/7072 ,  Y02T10/92 ,  Y02T90/12 ,  Y02T90/121 ,  Y02T90/122 ,  Y02T90/125 ,  Y02T90/14

Abstract: 本发明的目的之一是提供可以减少以无线的方式从供电装置向移动体供应电力时的电力浪费的移动体的结构。此外，本发明的目的之一是提供能够将释放到周围的电波的强度抑制得低的移动体的结构。在对移动体供应电力之前，从供电装置输出用来进行天线的对准的电波。换言之，从供电装置通过两个阶段输出电波。第一阶段的电波的输出是为了对供电装置及移动体分别具有的天线的对准而进行的。第二阶段的电波的输出是为了从供电装置向移动体供应电力而进行的。

公开(公告)号：CN100525116C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610100603.4

申请日：2000-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浅见宗广 ,  纳光明 ,  盐野入丰 ,  长尾祥

IPC: H03M9/00 ,  G09G3/36 ,  G02F1/133

Abstract: 在将串行输入的数字数据转换成并行数字数据的用于数字数据的串行-并行转换(SPC)电路中，使用频率最高为输入数字数据的频率的1/2的时钟信号用于操作该SPC电路。

公开(公告)号：CN101401112A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200780008583.0

申请日：2007-03-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  石井将人 ,  热海知昭 ,  长多刚 ,  池田隆之 ,  黑川义元 ,  盐野入丰

IPC: G06K19/07 ,  H01Q7/00 ,  H02J17/00

CPC classification number: H01Q1/2225 ,  G06K19/0701 ,  G06K19/0702 ,  G06K19/0723 ,  G06K19/07767

Abstract: 本发明提供了电池作为RFID中用于供电的电源，以及除了向外面发送并且从外面接收个体信息的天线之外，用于对该电池充电的另一个天线作为向该电池供电的装置。

公开(公告)号：CN101395617A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200780008123.8

申请日：2007-03-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  石井将人 ,  热海知昭 ,  长多刚 ,  池田隆之 ,  黑川义元 ,  盐野入丰

IPC: G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  H02J7/00 ,  H02J17/00

CPC classification number: G06K19/0723 ,  G06K19/0701 ,  G06K19/0702

Abstract: 提供了一种包括RFID的半导体器件，它可以发送并接收个体信息而无需在用于驱动的电池随时间衰减的情况下查看电池的剩余电量或更换电池，它还可以在来自外部的无线电波或电磁波的电能不够时维持很好的个体信息发送和接收状态。电池(也称为二次电池)被用作向RFID供能的电源。然后，当从外部接收到的信号的电能大于预定的电能时，其多余的电能就被存储到电池中；当从外部接收到的信号的电能小于预定的电能时，从电池获得的电能被用于驱动的电能。

公开(公告)号：CN101385218A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200780005996.3

申请日：2007-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 盐野入丰 ,  小山润 ,  黑川义元 ,  山崎舜平 ,  池田隆之 ,  长多刚 ,  热海知昭 ,  石井将人

IPC: H02J17/00 ,  H02J7/00

CPC classification number: H02J7/0052 ,  B60L8/003 ,  B60L11/182 ,  B60L2230/16 ,  H02J7/025 ,  H02J17/00 ,  H02J50/12 ,  H02J50/20 ,  H02J50/40 ,  H02J50/90 ,  Y02T10/7011 ,  Y02T10/7083 ,  Y02T10/7088 ,  Y02T90/122 ,  Y02T90/128 ,  Y02T90/14 ,  Y02T90/163

Abstract: 为可移动电子装置提供一种电力接收装置，当对电池充电时，电力接收装置简化了从作为电源装置的电力馈线对电池的充电，并且不具有由于与继电器端子相关的外部因素而引起的故障，或由直接连接电池和电力馈线而引起的继电器端子的损坏，此外还提供一种包括电力接收装置的电子装置。在可移动电子装置中提供用于供应电力的天线电路和增强天线。天线电路经由增强天线接收例如电磁波的无线电信号，并且通过信号处理电路向电池提供通过无线电信号的接收所获得的电力。