存储装置、半导体装置、电子构件以及电子装置

    公开(公告)号:CN110178213B

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN201880006056.4

    申请日:2018-01-09

    Abstract: 减少具有备份功能的存储单元的面积。存储装置包括单元阵列、用来驱动单元阵列的行电路及列电路。单元阵列包括第一电源线、第二电源线、字线、位线对、存储单元及备份电路。单元阵列设置在能够进行电源门控的电源定域中。在单元阵列的电源门控序列中,存储单元的数据备份在备份电路中。备份电路层叠在存储单元的形成区域上。备份电路与存储单元之间设置有多个布线层。第一电源线、第二电源线、字线及位线对设置在彼此不同的布线层中。

    存储单元及存储装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114258586A

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN202080058886.9

    申请日:2020-08-11

    Abstract: 提供一种占有面积较小的存储装置。在包括读出用晶体管、写入用晶体管及电容器的存储单元中,在读出用晶体管的上方设置写入用晶体管。另外,也可以在写入用晶体管的上方设置读出用晶体管。另外,作为写入用晶体管的形成沟道的半导体层使用氧化物半导体。作为读出用晶体管的形成沟道的半导体层使用氧化物半导体。将多个存储单元配置为矩阵状。

    半导体装置及其驱动方法

    公开(公告)号:CN102376349B

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201110257889.8

    申请日:2011-08-05

    CPC classification number: G11C16/0408 G11C11/405 G11C16/02

    Abstract: 本发明的名称为半导体装置及其驱动方法,半导体装置使用允许晶体管的断态电流的充分降低的材料来形成;例如,使用作为宽能隙半导体的氧化物半导体材料。当使用允许晶体管的断态电流的充分降低的半导体材料时,半导体装置能够将数据保持长时段。另外,使信号线中的电位变化的定时相对写字线中的电位变化的定时延迟。这使得有可能防止数据写入差错。

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