公开(公告)号：CN101869812A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN201010146417.0

申请日：2010-04-14

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金柄郁 ,  金权一 ,  吴承禧 ,  朴庆浩 ,  郑义澈

IPC: B01F5/00 ,  B01F15/04 ,  B01F3/08

Abstract: 本发明提供一种使用连续式混合装置的化学组合物制备装置。所述化学组合物制备装置通过连续式混合装置来连续制备用于平板显示器、半导体等的化学组合物。所述化学组合物制备装置包括：2个以上的原料罐，分别独立地容纳化学组合物的各原料组分；泵，连接所述原料罐，输送原料组分；连续式混合装置，由所述原料罐输送的2种以上的原料组分连续地流入，在该连续式混合装置中对流动过程中的所述原料组分进行混合，所述原料组分均匀混合后所得到的化学组合物从该连续式混合装置中流出；组分检测器，用于分析从所述连续式混合装置中流出的化学组合物的组分；以及填充器，用于将所述连续式混合装置中制备的化学组合物填充到产品容器中。

公开(公告)号：CN102901713A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210244572.5

申请日：2012-07-13

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 洪振燮 ,  朴庆浩 ,  李期范

IPC: G01N21/35

Abstract: 本发明提供一种铜膜蚀刻工序控制方法及铜膜蚀刻液组合物的再生方法。本发明提供的利用近红外分光仪的铜膜蚀刻工序控制方法，包括：(a)步骤，利用近红外分光仪，同时分析液晶显示装置或半导体装置制造工序中的铜膜蚀刻工序所用的铜膜蚀刻液组合物的至少1种成份的浓度及铜膜蚀刻液组合物中的铜离子浓度；(b)步骤，把所述成份分析结果与基准值进行对比，判别铜膜蚀刻液组合物的寿命；以及(c)步骤，判别所述铜膜蚀刻液组合物的寿命的结果，在铜膜蚀刻液组合物的寿命耗尽的情况下，更换使用中的铜膜蚀刻液组合物，在铜膜蚀刻液组合物的寿命未耗尽的情况下，把铜膜蚀刻液组合物移送到下一铜膜蚀刻工序。