公开(公告)号：CN102666780B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201080058576.3

申请日：2010-12-14

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 朴贵弘 ,  李期范 ,  曺三永 ,  具炳秀 ,  崔正宪

IPC: H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种蚀刻液，是相对于本征半导体层有选择地蚀刻配置于电子元件的金属电极与所述本征半导体层之间的掺杂半导体层的蚀刻液，包括：过渡金属和/或过渡金属盐；以及氟酸和/或含氟无机盐。

公开(公告)号：CN102666780A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080058576.3

申请日：2010-12-14

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 朴贵弘 ,  李期范 ,  曺三永 ,  具炳秀 ,  崔正宪

IPC: C09K11/08 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种蚀刻液，是相对于本征半导体层有选择地蚀刻配置于电子元件的金属电极与所述本征半导体层之间的掺杂半导体层的蚀刻液，包括：过渡金属和/或过渡金属盐；以及氟酸和/或含氟无机盐。