公开(公告)号：CN103635608A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201280030638.9

申请日：2012-06-15

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 具炳秀 ,  李明翰 ,  曺三永 ,  李期范

IPC: C23F1/18 ,  C09K13/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C09K13/10 ,  C23F1/18 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明公开一种使用于半导体装置的包含铜的金属膜蚀刻液组合物及使用其的蚀刻方法。本发明的金属膜蚀刻液组合物包含氟硼酸或氟硼酸和至少一种含氟化合物。利用根据本发明的蚀刻液组合物的包含铜的金属膜的蚀刻方法，在蚀刻时不仅不损伤下部的玻璃基板，而且可以一并蚀刻含铜多层金属膜，可以提高半导体装置的生产收率。本发明的蚀刻液组合物和利用其的蚀刻方法由于不使用硫酸盐，从而可以防止因错层及侵蚀造成的断路(Data Open)不良，另外，由于不使用有机酸能够进行蚀刻，从而具有可以解决与金属盐的析出问题，也可以得到图案微细化的优点。