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公开(公告)号：CN118676204A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310739863.X
申请日：2023-06-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/40
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置，具备：第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体层，设置在第一电极与第二电极之间；第三电极，设置在第一半导体层内，隔着绝缘体的一部分与第一半导体层对置；第二导电型的第二半导体层，设置在第一半导体层与第二电极之间，具有位于第一电极侧的下表面，与第二电极电连接；第二导电型的第三半导体层，从第二半导体层向第一电极侧延伸突出，位于第一电极侧的下端位于比第二半导体层的下表面靠第一电极侧的位置，与绝缘体分离；第四电极，隔着绝缘体的另一部分与第二半导体层对置；以及第一导电型的第四半导体层，设置在第二半导体层与第二电极之间，与第二电极电连接。
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公开(公告)号：CN110911490A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910171830.3
申请日：2019-03-07
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 齐藤泰伸
Abstract: 实施方式提供一种抑制了开关时的电流振动和电子的捕获所带来的导通电阻的增加的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：基板；设于基板上的第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，设于第一氮化物半导体层上，带隙比第一氮化物半导体层大；设于第二氮化物半导体层上的源极电极；设于第二氮化物半导体层上的漏极电极；设于源极电极与漏极电极之间的栅极电极；以及在漏极电极与栅极电极之间的第二氮化物半导体层上与漏极电极分离地设置的p型的第三氮化物半导体层。
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公开(公告)号：CN117727767A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202211675250.6
申请日：2022-12-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 实施方式涉及半导体装置，能够提供一种能降低导通电阻的半导体装置。半导体装置具备：第一电极；半导体部分，配置在所述第一电极上；第二电极，配置在所述半导体部分上的第一区域中；第三电极，配置在所述半导体部分上的第二区域中；绝缘构件，配置在所述半导体部分内的所述第一区域和所述第二区域中；第四电极，配置在所述绝缘构件内的所述第一区域和所述第二区域中；第五电极，配置在所述绝缘构件内的所述第一区域和所述第二区域中的、所述第一电极与所述第四电极之间；以及导电构件，配置在所述第二区域中，与所述第三电极、所述第四电极和所述第五电极连接。
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公开(公告)号：CN110911490B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201910171830.3
申请日：2019-03-07
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 齐藤泰伸
Abstract: 实施方式提供一种抑制了开关时的电流振动和电子的捕获所带来的导通电阻的增加的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：基板；设于基板上的第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，设于第一氮化物半导体层上，带隙比第一氮化物半导体层大；设于第二氮化物半导体层上的源极电极；设于第二氮化物半导体层上的漏极电极；设于源极电极与漏极电极之间的栅极电极；以及在漏极电极与栅极电极之间的第二氮化物半导体层上与漏极电极分离地设置的p型的第三氮化物半导体层。(56)对比文件JP 2013074070 A,2013.04.22JP 2014041965 A,2014.03.06JP 2014187085 A,2014.10.02JP 2015179785 A,2015.10.08US 2003157776 A1,2003.08.21US 2005189559 A1,2005.09.01US 2011272708 A1,2011.11.10US 2012241751 A1,2012.09.27US 2013248874 A1,2013.09.26US 2014239311 A1,2014.08.28US 2014252370 A1,2014.09.11US 2014264441 A1,2014.09.18US 2016020313 A1,2016.01.21US 2016172474 A1,2016.06.16WO 2013021628 A1,2013.02.14
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公开(公告)号：CN103000682B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210061235.2
申请日：2012-03-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/1066 , H01L29/1075 , H01L29/1087 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/7783
Abstract: 本发明的实施方式的氮化物半导体器件，具备：由AlxGa1-xN构成的第1半导体层(4)，其中，0≤x＜1；由AlyGa1-yN构成的第2半导体层(5)，其中，0＜y≤1，x＜y；导电性基板(2)；第1电极(6)；第2电极(8)；及控制电极(7)。第2半导体层与第1半导体层直接接合。第1半导体层与导电性基板电连接。第1电极及第2电极与第2半导体层的表面电连接。控制电极设置于在第1电极和第2电极之间的第2半导体层的上述表面上。第1电极与Si-MOSFET102的漏电极(8a)电连接。控制电极与上述MOSFET的源电极(6a)电连接。导电性基板与上述MOSFET的栅电极(7a)电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104916678A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410305208.4
申请日：2014-06-30
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 安本恭章 , 梁濑直子 , 阿部和秀 , 内原士 , 齐藤泰伸 , 仲敏行 , 吉冈启 , 小野祐 , 大野哲也 , 藤本英俊 , 增子真吾 , 古川大 , 八木恭成 , 汤元美树 , 饭田敦子 , 村上友佳子 , 罇贵子
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/408 , H01L29/2003 , H01L29/423 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供抑制电气特性的变动的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：GaN系半导体层；设置在GaN系半导体层上的源极；设置在GaN系半导体层上的漏极；在源极与漏极之间的、设置在GaN系半导体层上的栅极；以及在栅极与漏极之间与GaN系半导体层接触地设置的第1导电层。
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公开(公告)号：CN104425570A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410051942.2
申请日：2014-02-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/41 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/4236 , H01L29/66462 , H01L29/66674 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7788 , H01L29/7813 , H01L29/7827
Abstract: 本发明为半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：n型第一GaN系半导体层；p型第二GaN系半导体层，位于第一GaN系半导体层上，具有第一GaN系半导体层侧的低杂质浓度区域和第一GaN系半导体层相反侧的高杂质浓度区域；n型第三GaN系半导体层，位于第二GaN系半导体层的与第一GaN系半导体层相反的一侧；栅电极，一端位于第三GaN系半导体层或第三GaN系半导体层上方，另一端位于第一GaN系半导体层，经由栅极绝缘膜与第三GaN系半导体层、低杂质浓度区域及第一GaN系半导体层相邻；第三GaN系半导体层上的第一电极；高杂质浓度区域上的第二电极；第一GaN系半导体层的与第二GaN系半导体层相反侧的第三电极。
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公开(公告)号：CN103681858A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310376099.0
申请日：2013-08-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/743 , H01L23/3178 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L29/0657 , H01L29/4175 , H01L29/7786 , H01L2224/02371 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05553 , H01L2224/05568 , H01L2224/0603 , H01L2224/13023 , H01L2224/13024 , H01L2224/1403 , H01L2224/1411 , H01L2224/14155 , H01L2224/16225 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2224/03 , H01L2224/13099
Abstract: 实施方式涉及的半导体装置具备：基板、第1半导体区域、第2半导体区域、第1电极、第2电极、控制电极、以及导通部。上述基板包含导电性区域。上述第1半导体区域包含设置于上述基板的第1面侧的AlxGa1－xN（0≤X≤1）。上述第2半导体区域包含设置于上述第1半导体区域的与上述基板相反一侧的AlYGa1－YN（0≤Y≤1，X≤Y）。上述第1电极设置于上述第2半导体区域的与上述第1半导体区域相反一侧，与上述第2半导体区域欧姆连接。上述控制电极与上述第1电极离开地设置。上述导电部电连接上述第1电极与上述导电性区域。
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公开(公告)号：CN102237402A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110109142.8
申请日：2011-03-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L21/28264 , H01L21/743 , H01L29/0847 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/7787 , H01L29/78
Abstract: 本发明的氮化物半导体元件具备：第一半导体层，其设置在基板上且含有第一导电型的氮化物半导体；第二半导体层，其设置在所述第一半导体层上、且含有具有与所述第一半导体层的表面载流子浓度相同量的表面载流子浓度的第二导电型的氮化物半导体。在所述第二半导体层上设置第三半导体层，其含有比所述第二半导体层的带隙宽度更宽的氮化物半导体。所述氮化物半导体元件进一步具备第一主电极，其与所述第二半导体层电连接；第二主电极，其与所述第一主电极隔开地设置、且与所述第二半导体层电连接；以及具备控制电极，其在所述第一主电极和所述第二主电极之间、隔着绝缘膜设置在贯通所述第三半导体层和所述第二半导体层而到达所述第一半导体层的第一沟槽的内部。
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公开(公告)号：CN103325828B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201210315907.8
申请日：2012-08-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/0727 , H01L21/8252 , H01L27/0207 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L29/7786 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H02M3/155 , H02M3/33569 , H02M2001/007 , H01L2924/00
Abstract: 根据1个实施方式，氮化物半导体元件具备：导电性基板；第1氮化物半导体层，直接或经由缓冲层设在导电性基板之上，由无掺杂的氮化物半导体构成；第2氮化物半导体层，设在第1氮化物半导体层之上，由具有比第1氮化物半导体层大的带隙的无掺杂或n型的氮化物半导体构成；异质结场效应晶体管，具有源电极、漏电极及栅电极；肖特基势垒二极管，具有阳电极及阴电极；第1及第2元件分离绝缘层；框架电极。该框架电极与源电极及导电性基板电连接，将异质结场效应晶体管及肖特基势垒二极管的外周包围。
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