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公开(公告)号：CN113284518A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202010564599.7
申请日：2020-06-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供能提高可靠性的磁盘装置及头的调整方法。磁盘装置具备：第1盘，具有第1面；第2盘，具有与第1面不同的第2面；第1头，具有第1写入头和第1辅助元件，第1写入头以第1记录密度向第1面写入数据，第1辅助元件使得朝向第1面产生提高第1写入头的写入性能的第1能量；第2头，具有第2写入头和第2辅助元件，第2写入头以第2记录密度向第2面写入数据，第2辅助元件使得朝向第2面产生提高第2写入头的写入性能的第2能量；及控制器，根据能够用第1头向第1盘写入的第1记录容量和能够用第2头向第2盘写入的第2记录容量来对第1记录密度和第2记录密度中的至少一方进行变更。
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公开(公告)号：CN106448705B9
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201510755469.0
申请日：2015-11-09
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供能制造主磁极和微波振荡元件的端部对齐且具有稳定特性的微波辅助式的磁记录头的制造方法。本发明的磁记录头的制造方法中，该磁记录头具备：主磁极，其施加记录磁场；写入屏蔽件，其与所述主磁极夹着写入间隙地相对；侧屏蔽件，其在主磁极的宽度方向的横侧隔着侧间隙地配置；以及微波振荡器，其在写入间隙内设置于所述主磁极和写入屏蔽件之间，该制造方法中，以被覆于主磁极(60)和侧屏蔽件(63)上且横截侧间隙(SG)的至少一部分的方式形成微波振荡器(65)，一边监测主磁极和侧屏蔽件之间的电阻，一边将主磁极、侧屏蔽件及微波振荡器在高度方向上摩擦，在所述电阻超过预定值的时间点停止摩擦。
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公开(公告)号：CN113284518B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202010564599.7
申请日：2020-06-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供能提高可靠性的磁盘装置及头的调整方法。磁盘装置具备：第1盘，具有第1面；第2盘，具有与第1面不同的第2面；第1头，具有第1写入头和第1辅助元件，第1写入头以第1记录密度向第1面写入数据，第1辅助元件使得朝向第1面产生提高第1写入头的写入性能的第1能量；第2头，具有第2写入头和第2辅助元件，第2写入头以第2记录密度向第2面写入数据，第2辅助元件使得朝向第2面产生提高第2写入头的写入性能的第2能量；及控制器，根据能够用第1头向第1盘写入的第1记录容量和能够用第2头向第2盘写入的第2记录容量来对第1记录密度和第2记录密度中的至少一方进行变更。
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公开(公告)号：CN101836255A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200880113188.3
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，其是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，所述取向控制层由从所述基板侧起包含种子层、第1中间层和第2中间层的3层以上构成，构成所述第1中间层的晶粒分别外延生长于构成所述种子层的晶粒上，构成所述第2中间层的晶粒分别外延生长于构成所述第1中间层的晶粒上，并且，构成所述第2中间层的晶粒与构成所述第1中间层的晶粒相比已微细化。
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公开(公告)号：CN101383153A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810129877.5
申请日：2008-08-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/102 , G11B5/314 , G11B5/6064 , G11B5/607 , G11B2005/0005 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明涉及采用高频辅助写入的磁头和磁盘驱动器。所述磁头具有磁头滑块，该磁头滑块装载着磁头单元(10)，该磁头单元包括用来控制飞行高度的加热元件和用来进行高频辅助写入的高频振荡器，在所述磁头滑块上，与磁头元件相连接的接线端子的所需数目最少。接线端子(11到15)安装在所述磁头滑块上并与所述磁头单元(10)相连。所述接线端子(11到15)包括至少一个提供电流的接线端子，其中该接线端子与所述高频振荡器和所述用来控制飞行高度的加热元件相连。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101315801A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810092547.3
申请日：2008-04-18
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 竹尾昭彦
CPC classification number: G11B20/1833 , G11B2220/2516
Abstract: 本发明涉及磁盘驱动器中校正数据错误的方法和装置，所述数据错误为再现所述数据时数据位的总数发生了变化。所述磁盘驱动器具有磁盘(2)和磁盘控制器(12)。所述磁盘(2)具有由一组物理上彼此分开的磁性点所构成的数据记录区。所述磁盘控制器(12)使用错误校正码来确定错误，所述错误表明，所再现的数据集的数据位串中位的总数发生了变化。
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公开(公告)号：CN116206632A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210527850.1
申请日：2022-05-16
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/127
Abstract: 本发明提供磁记录再现装置及磁记录再现方法，能够防止磁记录再现装置的寿命的恶化。实施方式的磁记录再现装置包括：多个磁记录介质，分别具有记录面；多个辅助记录用磁头，与记录面对应地分别设置，进行辅助记录；及辅助量调整部，连接于多个辅助记录用磁头，分别调整与记录面的记录容量对应的辅助用磁头的辅助量。
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公开(公告)号：CN110910909B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201811553945.0
申请日：2018-12-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 实施方式提供一种抑制磁通控制层的氧化且具有高可靠性的磁记录再现装置。实施方式的磁记录再现装置包括设置于主磁极与辅助磁极之间的磁通控制层和设置于辅助磁极的ABS的保护层。磁通控制层包括设置于第1导电层与第2导电层之间的、由包含Fe、Co或Ni中的至少1种的磁性材料形成的调整层，通过通电而产生自旋转矩，使调整层内的磁化的方向反转。施加于磁通控制层的电压Vb比由下式(1)表示的Vba低。Vba＝Vb0‑a×1/log(t)×log(RH)×log(PO2)…(1)。
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公开(公告)号：CN112530465A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010025987.8
申请日：2020-01-06
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供能够提高数据品质的磁盘装置以及写处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其具有主磁极、相对于所述主磁极在第1方向上空开间隙相对向的写屏蔽件、设置在所述间隙的第1辅助元件、以及在所述间隙中相对于所述第1辅助元件在与所述第1方向交叉的第2方向上排列设置第2辅助元件；以及控制器，其使得从所述第1辅助元件和所述第2辅助元件对所述盘产生不同的对所述盘的顽磁力给予影响的辅助能量。
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公开(公告)号：CN104240722A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201310461793.2
申请日：2013-09-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/3163 , G11B5/29 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B5/3932 , G11B5/3958 , G11B5/4886 , G11B5/4976
Abstract: 本发明难以因再现的盘半径位置的不同而使再现信号的轨道间干扰量变化。根据实施方式，一种磁头，具备：第一再现元件；第一磁性膜，其在所述第一再现元件的第一侧壁隔着第一侧壁绝缘膜而形成；第二磁性膜，其在与所述第一侧壁相对的第一再现元件的第二侧壁隔着第二侧壁绝缘膜而形成；第二再现元件，其与所述第一再现元件电绝缘且在所述第一磁性膜上形成；第三磁性膜，其在所述第一磁性膜上形成；和第四磁性膜，其与所述第二再现元件电绝缘且在所述第一再现元件上形成。
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