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公开(公告)号：CN114974318B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202110857056.9
申请日：2021-07-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第2磁极与第1磁性层之间的第2磁性层、设置于第2磁极与第2磁性层之间的第3磁性层、设置于第2磁极与第3磁性层之间的第4磁性层、设置于第1磁性层与第1磁极之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第1磁性层之间的第2非磁性层、设置于第3磁性层与第2磁性层之间的第3非磁性层、设置于第4磁性层与第3磁性层之间的第4非磁性层、以及设置于第2磁极与第4磁性层之间的第5非磁性层。第2非磁性层与第2、第1磁性层相接。第3非磁性层与第3、第2磁性层相接。第4非磁性层与第4、第3磁性层相接。
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公开(公告)号：CN114387998B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202110838075.7
申请日：2021-07-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 提供能够评价磁头的特性的磁头的评价方法及磁头的评价装置。根据实施方式，磁头的评价方法包括取得在向包括第1磁极、第2磁极、磁元件及线圈的磁头的所述线圈供给了第1交流电流且向所述磁元件供给了第2电流时从所述磁元件得到的电信号。所述磁元件设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，包括第1磁性层。所述评价方法包括基于所述电信号来检测以所述第1交流电流的极性反转的时刻为基准的所述磁元件的电阻的变化所需的时间。
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公开(公告)号：CN114121044B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202110213952.1
申请日：2021-02-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1～第3磁性层和第1～第3非磁性层。第2磁性层包括第1磁性区域及第2磁性区域。第2磁性区域处于第2非磁性层与第1磁性区域之间。第1磁性区域包括第1元素，第1元素包括Fe、Co及Ni的至少1个。第2磁性区域包括第1元素和第2元素，第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个。第1磁性区域不包括第2元素，或者，第1磁性区域中的第2元素的浓度比第2磁性区域中的第2元素的浓度低。
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公开(公告)号：CN117917733A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202311036316.1
申请日：2023-08-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/37
Abstract: 本发明提供一种能够提高灵敏度的磁传感器、磁头和磁记录装置。在实施方式的磁传感器中，第1磁性层设置于第1屏蔽件与第2屏蔽件之间。第1磁性层位于第3屏蔽件与第4屏蔽件之间。第1磁性层包含第1面和第2面。第1面位于第1屏蔽件与第2面之间。第1导电层设置于第3屏蔽件与第1磁性层之间，为非磁性。第2导电层设置于第1磁性层与第4屏蔽件之间，为非磁性。第1中间层设置于第1屏蔽件与第1磁性层之间，为非磁性且导电性。第1中间层包含与第1面相对的第1中间层面。第1中间层面的面积小于第1面的面积。第2中间层设置于第1磁性层与第2屏蔽件之间，为非磁性且导电性。
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公开(公告)号：CN116665718A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210958794.7
申请日：2022-08-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、层叠体和第1～第3端子。层叠体设置于第1磁极与第2磁极之间。层叠体包括第1～第4磁性层和第1～第5非磁性层。第1端子与第1磁极电连接。第2端子与第2磁极电连接。第3端子与第3非磁性层电连接。
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公开(公告)号：CN115410603A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210078110.4
申请日：2022-01-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第2非磁性层及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。第1磁性层包含包括Fe、Co及Ni的至少1个的第1元素。第2磁性层包含(Fe100‑xCox)100‑yEy(10atm％≤x≤50atm％，10atm％≤y≤90atm％)。第2元素E包括选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个。第1磁性层不包含第2元素，或者，第1磁性层中的第2元素的浓度比第2磁性层中的第2元素的浓度低。
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公开(公告)号：CN114974316A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110859082.5
申请日：2021-07-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极以及设置在第1磁极与第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置在第2磁极与第1磁性层之间的第2磁性层、设置在第2磁极与第2磁性层之间的第3磁性层、设置在第1磁性层与第1磁极之间的第1非磁性层、设置在第2磁性层与第1磁性层之间的第2非磁性层、设置在第3磁性层与第2磁性层之间的第3非磁性层以及设置在第2磁极与第3磁性层之间的第4非磁性层。沿着从第1磁极朝向第2磁极的第1方向的第1磁性层的第1厚度比沿着第1方向的第2磁性层的第2厚度厚。沿着第1方向的第3磁性层的第3厚度比第2厚度厚。
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公开(公告)号：CN112466340B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202010168901.7
申请日：2020-03-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括磁极、第1屏蔽件、设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间的第1磁性层、设置于所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间的第2磁性层和设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性的中间层。所述磁极与所述第1磁性层之间的沿着从所述第1磁性层向所述第2磁性层的第1方向的第1距离，为所述磁极与所述第1屏蔽件之间的沿着所述第1方向的第2距离的1％以上且10％以下。
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公开(公告)号：CN112151075B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202010160041.2
申请日：2020-03-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 提供能够评价振荡频率的磁头的评价方法以及磁头的评价装置。根据一个实施方式，磁头的评价方法包括：实施向包括电流路径的磁头施加了交流磁场时的所述电流路径的电特性的测定，该电流路径包括振荡器。所述评价方法包括：基于所述电特性来实施关于所述振荡器的振荡频率的频率值的导出。
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公开(公告)号：CN114512149B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202110973274.9
申请日：2021-08-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 本发明提供能够提高记录能力的磁记录装置以及磁记录方法。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路、第2电路、第3电路以及控制部。所述磁头包括第1磁极、第2磁极、磁元件以及线圈。所述磁元件设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间。所述磁元件包括第1磁性层。所述第1电路能够向所述线圈供给线圈电流。所述第2电路能够向所述磁元件供给元件电流。所述第3电路能够检测所述磁元件的电阻。所述控制部能够基于由所述第3电路检测到的所述电阻对所述第2电路进行控制，从而对所述元件电流进行控制。
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