公开(公告)号：CN103403905A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280009970.7

申请日：2012-03-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西沢秀之 ,  服部繁树 ,  寺井胜哉 ,  御子柴智 ,  浅川钢儿 ,  多田宰

IPC: H01L51/05 ,  H01L27/28 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C2213/53 ,  H01L29/16 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0092 ,  H01L51/0098 ,  H01L51/0591

Abstract: 一个实施方案的有机分子存储器包含第一导电层、第二导电层和置于第一导电层与第二导电层之间的有机分子层，其中有机分子层包含电阻变化型分子链或电荷储存分子链，电阻变化型分子链或电荷储存分子链具有吸电子取代基。

公开(公告)号：CN103003918B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201180035598.2

申请日：2011-07-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部繁树 ,  浅川钢儿 ,  中村裕子 ,  北川良太 ,  清野由里子 ,  菅野正洋 ,  比嘉百夏

IPC: H01L21/027 ,  B82B3/00 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/3081 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337

Abstract: 本发明提供一种图案形成方法，其能短时间内形成高取向的图案以及在聚合物合金上的相分离结构；还提供聚合物合金基材。提供图案形成方法，该方法包括：将自组装单层和聚合物膜层压在基质上；用能量射线照射所得层压材料以将聚合物膜与自组装单层化学键合，从而在自组装单层膜上形成聚合物表面层；和在聚合物表面层上形成具有在其上形成的相分离结构图案的聚合物合金。

公开(公告)号：CN103003918A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180035598.2

申请日：2011-07-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部繁树 ,  浅川钢儿 ,  中村裕子 ,  北川良太 ,  清野由里子 ,  菅野正洋 ,  比嘉百夏

IPC: H01L21/027 ,  B82B3/00 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/3081 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337

Abstract: 本发明提供一种图案形成方法，其能短时间内形成高取向的图案以及在聚合物合金上的相分离结构；还提供聚合物合金基材。提供图案形成方法，该方法包括：将自组装单层和聚合物膜层压在基质上；用能量射线照射所得层压材料以将聚合物膜与自组装单层化学键合，从而在自组装单层膜上形成聚合物表面层；和在聚合物表面层上形成具有在其上形成的相分离结构图案的聚合物合金。

公开(公告)号：CN105448929A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510552750.4

申请日：2015-09-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部繁树 ,  多田宰 ,  寺井胜哉 ,  西泽秀之 ,  浅川钢儿 ,  福住嘉晃

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8229

CPC classification number: H01L29/518 ,  G11C11/5664 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/285 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517 ,  H01L51/0091 ,  H01L51/0591

Abstract: 本发明提供一种可实现优良的电荷保持特性的非易失性半导体存储装置。实施方式的非易失性半导体存储装置具有：半导体层、控制栅极电极和有机分子层，该有机分子层设置于半导体层和控制栅极电极之间、并具有含有由分子式(1)表示的分子结构的有机分子。

公开(公告)号：CN103403905B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201280009970.7

申请日：2012-03-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西沢秀之 ,  服部繁树 ,  寺井胜哉 ,  御子柴智 ,  浅川钢儿 ,  多田宰

IPC: H01L51/05 ,  H01L27/28 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C2213/53 ,  H01L29/16 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0092 ,  H01L51/0098 ,  H01L51/0591

Abstract: 一个实施方案的有机分子存储器包含第一导电层、第二导电层和置于第一导电层与第二导电层之间的有机分子层，其中有机分子层包含电阻变化型分子链或电荷储存分子链，电阻变化型分子链或电荷储存分子链具有吸电子取代基。