公开(公告)号：CN102067317B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN200980123672.9

申请日：2009-04-22

Applicant: 索尼公司

Inventor： 朱莉娜·威塞尔斯 ,  弗洛安·范沃克姆 ,  比卓恩·鲁斯塞姆 ,  高德庆 ,  汉森-乔格·诺托弗尔 ,  威廉·E·福德

IPC: H01L27/28

CPC classification number: H01L27/285 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0024 ,  H01L51/0075 ,  H01L51/0595 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明涉及用于电子器件的结诸如交叉结(crossbar junction)的非对称双分子层，其具有通式ET-MT()MB-EB，其中ET和EB表示顶电极和底电极，MT和MB分别表示在所述顶电极或底电极上形成自组装单层(SAM)的功能分子，符号()表示两个单层之间的非共价相互作用，得到被两个电极夹在中间的双分子层。电极是固态电极，并且彼此相对固定。本发明还涉及制造这样的组装件的方法。

公开(公告)号：CN101233578B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200680023456.3

申请日：2006-06-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井上刚至

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/15 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/28 ,  H01L43/08 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0026 ,  G11C2207/002 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/24 ,  H01L27/285 ,  H01L43/08 ,  H01L45/04 ,  H01L45/145

Abstract: 在具有交叉点型存储单元阵列的半导体存储装置中谋求降低写入动作时的动作电流，该交叉点型存储单元阵列具备由根据电阻的变化来存储信息的可变电阻元件构成的存储单元。多个主数据线GDL0～GDL7在行方向延伸，该多个主数据线GDL0～GDL7与至少在行方向排列多个的各存储单元阵列BK0～BK3的各数据线DL0～DL7分别对应并且用于供给预定的数据线电压，在各存储单元阵列BK0～BK3中，各主数据线GDL0～GDL7分别通过个别的数据线选择晶体管TD0k～TD7k与对应的数据线DL0～DL7连接，各存储单元阵列BK0～BK3的数据线DL0～DL7的根数等于在一次写入动作中同时成为写入对象的存储单元的最大数。

公开(公告)号：CN102138180A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200980130974.9

申请日：2009-07-31

Applicant: 索尼公司

Inventor： 瑞内·怀兹 ,  西尔维亚·罗塞利 ,  加布里埃尔·内尔斯 ,  比卓恩·鲁斯塞姆

IPC: G11C13/02 ,  H01L27/28 ,  H03K19/177

CPC classification number: H01L51/0591 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/283 ,  H01L27/285 ,  H03K19/17784 ,  H03K19/17792

Abstract: 本发明涉及一种电子器件，其包括彼此电耦合的场效应晶体管和电阻开关，其中所述电阻开关被构造来在低电阻状态和高电阻状态之间切换。

公开(公告)号：CN1820325B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200480019684.4

申请日：2004-05-11

Applicant: 斯班逊有限公司

Inventor： N·H·特里普沙斯 ,  M·布伊诺斯基 ,  S·K·潘格尔勒 ,  U·奥科罗安扬武 ,  A·T·惠 ,  C·F·里昂 ,  R·苏布拉马尼安 ,  S·D·洛帕京 ,  M·V·恩戈 ,  A·M·哈图里 ,  M·S·张 ,  P·K·章 ,  J·V·奥格尔斯比

IPC: G11C13/02 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L27/285 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个方面涉及一种在通孔中制造聚合物存储器件的方法。该方法包含下列步骤：提供半导体衬底，该半导体衬底上具有至少一个含金属层；在该含金属层中形成至少一个铜接触点；在该铜接触点上形成至少一个电介质层；在该电介质层中形成至少一个通孔，以便露出该铜接触点的至少一部分；在该通孔的下方部分中形成聚合物材料；以及在该通孔的上方部分中形成上电极层。

公开(公告)号：CN102047421A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980120069.5

申请日：2009-04-10

Applicant: 桑迪士克3D有限责任公司

Inventor： 阿普里尔·D·施里克

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/102 ,  H01L27/28 ,  H01L51/00 ,  G11C13/02

CPC classification number: H01L27/1021 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/101 ,  H01L27/285 ,  H01L51/0048

Abstract: 在一些方面，提供了制造存储器单元的方法，包括：在衬底上制造操纵元件；以及通过在所述衬底上沉积硅-锗层来制造碳纳米管(“CNT”)籽晶层、构图并蚀刻CNT籽晶层、以及在CNT籽晶层上选择性地制造CNT材料，来制造与所述操纵元件耦接的可逆电阻切换元件。提供了许多其他方面。

公开(公告)号：CN101083300B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200710108211.7

申请日：2007-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵炳玉 ,  李文淑 ,  安江崇裕

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L45/00 ,  H01L27/28 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L27/285 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/025 ,  G11C2211/5614 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/77 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0042 ,  H01L51/0046

Abstract: 一种有机存储器件可以包括有机材料层和富勒烯层的叠层，以在第一和第二电极之间提供数据存储元件。该数据存储元件可以包括第一电极上形成的有机材料层以及该有机材料层和第二电极之间的富勒烯层。还论述了制造有机存储器件的方法。

公开(公告)号：CN101777522A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200910246187.2

申请日：2006-05-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤岳尚 ,  加藤清

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L27/28

CPC classification number: H01L27/285 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/006

Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法：在具有绝缘表面的基板上面形成沿第一方向延伸的字/位线；形成覆盖所述字/位线的绝缘膜；在所述绝缘膜中形成达到所述字/位线的接触孔；在所述绝缘膜上面形成导电膜；通过刻蚀所述导电膜在所述绝缘膜上面形成沿着与所述第一方向交叉延伸的第二方向延伸的位/字线和覆盖所述接触孔并与所述字/位线电气连接的电极，以及在所述绝缘膜上面形成在所述电极的端面和与所述电极端面相对的所述位/字线的端面之间的含有有机化合物的层。

公开(公告)号：CN101622729A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200780031861.4

申请日：2007-08-31

Applicant: 校际微电子中心

Inventor： 卢多维克·古克斯 ,  德克·武泰斯

IPC: H01L45/00 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L45/04 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/0014 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/285 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1683 ,  H01L51/0575

Abstract: 为了改进电阻转换存储器的可量测性，披露了一种交叉点电阻转换结构，其中插塞本身用于存储电阻转换材料，并且顶部电极层例如使用机械化学抛光(CMP)或仅通过机械抛光而与所述插塞自动对齐。

公开(公告)号：CN100546035C

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200680009785.2

申请日：2006-03-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 汤川干央 ,  大泽信晴 ,  浅见良信

IPC: H01L27/10 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  H01L27/28 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L27/1255 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101 ,  H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11206 ,  H01L27/11286 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/13 ,  H01L27/285 ,  H01L51/0042 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0533

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种非易失性存储装置以及包括该存储装置的半导体装置，其中在制造过程之后可以将数据添加到存储装置，并且可以防止因重写导致的伪造等现象。本发明的另一个目的是提供一种具有高可靠性且廉价的非易失性存储装置以及包括该存储装置的半导体装置。一种存储元件包括第一导电层、第二导电层、厚度大于等于0.1纳米且小于等于4纳米且与该第一导电层接触的第一绝缘层，以及夹在该第一导电层、第一绝缘层和第二导电层之间的有机化合物层。

公开(公告)号：CN100539159C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200480039780.5

申请日：2004-09-23

Applicant: 斯班逊有限公司

Inventor： C·F·莱昂斯 ,  M·S·常 ,  S·D·洛帕京 ,  R·苏布拉马尼安 ,  P·昌 ,  M·V·努 ,  J·V·奥格尔斯比

IPC: H01L27/115

CPC classification number: G11C11/5664 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  H01L27/285 ,  H01L51/0595

Abstract: 本发明揭示增加关联于光刻特征的存储单元数目的系统和方法。此等系统包括藉由使用各种沉积和蚀刻工艺形成于光刻特征的侧壁的存储元件。该侧壁存储单元(115)能够具有晶片(806)的位线(610)作为第一电极(104、1502)，并与第二形成电极(110、1504)操作以激活形成于其间的有机物质之一部分。