公开(公告)号：CN102918651A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201080067177.3

申请日：2010-04-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 益永久美 ,  藤本明 ,  堤荣史 ,  浅川钢儿 ,  中西务 ,  西泽秀之 ,  北川良太

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/06 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开了一种使用增强的电场增加载流子激发的高效光电转换元件。所公开的光电转换元件包括光电转换层，所述光电转换层由层叠在两个电极层之间的两个或更多个半导体层形成，并且所述光电转换元件具有在所述光电转换层中的电场增强层，所述电场增强层被夹在所述半导体层之间。所述电场增强层包括金属精细结构体，其中所述金属精细结构体是多孔薄膜或诸如微球体的微小体。

公开(公告)号：CN105448929A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510552750.4

申请日：2015-09-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部繁树 ,  多田宰 ,  寺井胜哉 ,  西泽秀之 ,  浅川钢儿 ,  福住嘉晃

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8229

CPC classification number: H01L29/518 ,  G11C11/5664 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/285 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517 ,  H01L51/0091 ,  H01L51/0591

Abstract: 本发明提供一种可实现优良的电荷保持特性的非易失性半导体存储装置。实施方式的非易失性半导体存储装置具有：半导体层、控制栅极电极和有机分子层，该有机分子层设置于半导体层和控制栅极电极之间、并具有含有由分子式(1)表示的分子结构的有机分子。

公开(公告)号：CN1161243C

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN95103257.7

申请日：1995-03-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 内藤胜之 ,  杉内正美 ,  高山晓 ,  宫本浩久 ,  西泽秀之 ,  藤冈佐和子 ,  渡边明子 ,  野牧辰夫

IPC: B41M5/36

CPC classification number: B41M5/305

Abstract: 本发明提供了发色·消色状态的反差比高，进而背景显示也可利用的可重写记录媒体。它含有显色性化合物、显色剂和、通过二个值热能的供给能返复进行状态变化的可逆材料，通过供给互相不同的二个值热能，加热到结晶化温度Tc以上熔点Tm以下的温度，及熔点以上的温度后，进行信息的记录·消去。

公开(公告)号：CN1118887A

公开(公告)日：1996-03-20

申请号：CN95103257.7

申请日：1995-03-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 内藤胜之 ,  杉内正美 ,  高山晓 ,  宫本浩久 ,  西泽秀之 ,  藤冈佐和子 ,  渡边明子 ,  野牧辰夫

IPC: G03G5/00

CPC classification number: B41M5/305

Abstract: 本发明提供了发色、消色状态的反差比高，进而背景显示也可利用的可重写记录媒体。它含有显色性化合物、显色剂和、通过二个值热能的供给能返复进行状态变化的可逆材料，通过供给互相不同的二个值热能，加热到结晶化温度Tc以上熔点Tm以下的温度，及熔点以上的温度后，进行信息的记录、消去。