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公开(公告)号：CN111697053B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201911177913.X
申请日：2019-11-27
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 提供能够稳定地提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3氮化物区域、第1绝缘膜以及第2绝缘膜。所述第1氮化区域包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x1
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公开(公告)号：CN118507509A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202311054496.6
申请日：2023-08-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/778 , H01L21/336 , H01L21/335
Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、第1半导体区域、第2半导体区域、第1氮化物区域及第1绝缘构件。第1氮化物区域的第1氮化物部分沿着第2方向的第1氮化物部分厚度比第1氮化物区域的第2氮化物部分沿着第1方向的第2氮化物部分厚度厚。第2半导体区域的第1半导体部分沿着第2方向的第1半导体部分厚度比第1氮化物部分厚度厚。
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公开(公告)号：CN119521712A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202410175641.4
申请日：2024-02-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第1电极、第2电极、第3电极、第1半导体部件、第2半导体部件、第1化合物部件以及第1绝缘部件。第1半导体部件包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x1＜1)。第2半导体部件包含Alx2Ga1‑x2N(0＜x2≤1、x1＜x2)。第1化合物部件包含Alz1Ga1‑z1N(0＜z1≤1、x2＜z1)。第1化合物部件的第3区域包含晶体。第1绝缘部件的第1绝缘部分的至少一部分以及第1绝缘部件的第2绝缘部分的至少一部分为非晶质。
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公开(公告)号：CN111697053A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201911177913.X
申请日：2019-11-27
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 提供能够稳定地提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3氮化物区域、第1绝缘膜以及第2绝缘膜。所述第1氮化区域包含Alx1Ga1-x1N(0≤x1
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公开(公告)号：CN108376645B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201710766821.X
申请日：2017-08-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/033 , H01L21/3065
Abstract: 提供能够提高性能的半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括通过使用了包含第1元素的气体的干蚀刻而去除设置在包含Alx1Ga1－x1N(0≤x1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104620404A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201380047158.8
申请日：2013-09-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5275 , H01L51/0096 , H01L51/5221 , H01L51/5231 , H01L51/5262 , H01L51/5268 , H01L2251/558
Abstract: 根据一个实施例，发光元件(1)包括第一电极(10)、第二电极(20)、以及发光层(30)。第二电极(20)与第一电极相对地提供。发光层被提供在第一电极和第二电极之间。第二电极包括多个层(21，22)。该多个层中的每一个层包括从包括以下各项的组中选择的至少一者：Al、Al合金、Ag、Ag合金、碱金属、以及碱土金属，并且彼此不同。
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公开(公告)号：CN103325955B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310032657.1
申请日：2013-01-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L51/5203 , F21L4/00 , H01L51/5212 , H01L51/5225 , H01L2251/5361
Abstract: 本发明涉及有机电致发光器件和照明装置。根据一个实施例，有机电致发光器件包括第一电极、多个第二电极以及有机发光层。第一电极包括第一主表面，并且是透光的。第二电极在平行于第一主表面的第一方向上延伸，并且在平行于第一主表面且垂直于第一方向的第二方向上是彼此分隔开的。第二电极的透光率低于第一电极的透光率。在第一方向上延伸的线与每个第二电极的侧表面之间沿第二方向的距离沿着第一方向连续地增大和减小。上述侧表面与第一主表面不平行。有机发光层被设置在第一电极和第二电极之间。
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公开(公告)号：CN103325954B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201210342747.6
申请日：2012-09-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L51/52 , H01L51/5212 , H01L51/5225 , H01L51/5275 , H01L2251/5323 , H01L2251/5361
Abstract: 本发明提供了有机电致发光元件、照明设备、以及有机电致发光元件的制造方法。根据一个实施例，有机电致发光元件包括：具有第一和第二主面的第一电极；与第一主面的一部分相对的第二电极；设置在第一和第二电极之间的有机发光层；具有与第二主面相对的第三主面、以及与第三主面相对的一侧上的第四主面的光学层。第四主面包括与第二电极重叠的第一区域、以及不与第二电极重叠的第二区域。第四主面包括设置在第一区域中的第一凹凸部、以及设置在第二区域中的第二凹凸部。平面化层设置在第二区域上，并且掩埋第二凹凸部。
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公开(公告)号：CN114864684A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110946289.6
申请日：2021-08-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/778 , H01L29/51 , H01L21/335
Abstract: 提供一种能够提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包含：第1～第3电极；第1、第2半导体区域；以及第1、第2绝缘构件。第1半导体区域包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x1
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公开(公告)号：CN103682114A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310330403.8
申请日：2013-07-31
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L51/5275
Abstract: 本发明公开了有机电致发光器件。根据一个实施例，有机电致发光器件包括第一电极、第二电极、第一有机层和第二有机层。第二电极包括金属。第一有机层被设置在第一电极和第二电极之间。第一有机层被配置为发光。第二有机层被设置在第一有机层和第二电极之间。第二有机层在厚度方向对于光的折射率低于第一有机层对于光的折射率。
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