公开(公告)号：CN1190827C

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN02108730.X

申请日：2002-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宫岛秀史 ,  岛田美代子 ,  中田鍊平

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02137 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828

Abstract: 本发明公开一种形成绝缘膜的方法，包括用绝缘膜材料涂覆衬底以形成一涂覆膜，这绝缘膜材料至少包含在平均分子重量上彼此相异的第一和第二聚合物，并且加热所述涂覆膜的同时用电子束辐照所述涂覆膜。

公开(公告)号：CN100582941C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200610072041.7

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  江间达彦 ,  早崎圭 ,  中田鍊平 ,  山田展英 ,  奥村勝弥

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/00

Abstract: 在一边从设于喷嘴的排出口，对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量，一边相对移动上述喷嘴和衬底，在上述衬底上留下供给的溶液，并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中，设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上，而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10-5(m·sec/N)，为不足5×10-5qγ(mm)的范围内。

公开(公告)号：CN1379450A

公开(公告)日：2002-11-13

申请号：CN02108730.X

申请日：2002-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宫岛秀史 ,  岛田美代子 ,  中田鍊平

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02137 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828

Abstract: 本发明公开一种形成绝缘膜的方法,包括用绝缘膜材料涂覆衬底以形成一涂覆膜,这绝缘膜材料至少包含在平均分子重量上彼此相异的第一和第二聚合物,并且加热所述涂覆膜的同时用电子束辐照所述涂覆膜。