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公开(公告)号：CN104051591A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310399990.6
申请日：2013-09-05
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/44
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/0079 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/62 , H01L2224/13 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置，其包括：第1柱部、第2柱部、波长转换层、发光部、树脂部和中间层。第1柱部向第1方向延伸，并且为导电性。第2柱部在与第1方向交叉的第2方向上与第1柱部隔开，其向第1方向延伸，并且为导电性。波长转换层在第1方向上与第1柱部及第2柱部隔开。发光部包括第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层和发光层，其中，第1半导体层包括设置在第1柱部的至少一部分与波长转换层之间的第1半导体部分和设置在第2柱部与波长转换层之间的第2半导体部分，第2半导体层设置在第2柱部与第2半导体部分之间，发光层设置在第2半导体部分与第2半导体层之间，并放出第1光。
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公开(公告)号：CN104916753A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410444280.5
申请日：2014-09-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/504 , H01L33/486 , H01L33/505 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 实施方式提供一种可改善发光色控制性及光输出特性的发光装置。实施方式的发光装置包括：发光体，包含第1面、与所述第1面相反侧的第2面、以及侧面；第1波长转换体，沿着所述侧面而设于所述发光体周围，且包含第1荧光体，该第1荧光体由所述发光体放射的1次光激发，而放射出与所述1次光波长相异的2次光；以及第2波长转换体，设于所述第1面上的至少一部分，并包含放射出波长不同于所述1次光以及所述2次光的另一2次光的第2荧光体。
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公开(公告)号：CN102270710A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110192487.4
申请日：2011-06-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/508 , H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 半导体发光装置的制造方法具备在含有半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层的层叠体的第一绝缘层的第一开口部，形成第一布线层的工序，第一绝缘层具有与第二电极相连的第二开口部；在第一绝缘层的第二开口部形成第二布线层的工序；在与第一布线层上的第一电极相对的相反侧的面上，形成第一金属柱的工序；在与第二布线层的第二电极相对的相反侧的面上，形成第二金属柱的工序；在第一金属柱的侧面和第二金属柱的侧面之间形成第二绝缘层的工序；基于从第一主面侧得到的光的发光光谱，在选自多个半导体层的半导体层的第一主面上形成对于光呈透明的透明材料的工序；在透明材料上及多个半导体层的第一主面上，形成荧光体层的工序。
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公开(公告)号：CN101284447A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200710185787.3
申请日：2007-12-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B41J2/162 , B41J2/1433 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1643 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , Y10T29/49401
Abstract: 本发明提供一种喷嘴板，其特征在于，包括：第1硅层；玻璃层；设置在所述第1硅层与所述玻璃层之间、并与所述玻璃层接合的第2硅层；以及设置在所述第1硅层与所述第2硅层之间的氧化硅层，该喷嘴板形成有：贯通所述第1硅层并喷出液滴的喷嘴孔；贯通所述氧化硅层及所述第2硅层、并与所述喷嘴孔连通的流路；以及形成在所述玻璃层上并与所述流路连通的液室。
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公开(公告)号：CN101172417A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710165182.8
申请日：2005-11-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B41J2/16552
Abstract: 本发明提供一种喷墨涂层装置，其可一直稳定进行墨滴涂层，并且可对涂层于基板上的溶剂的干燥进行管理。在本发明的喷墨涂层装置(1)中具备喷墨打印头(42)，其包括喷射墨滴的喷嘴(50)的喷口；密封机构(97)，其通过压力容器(96)而密封喷嘴(50)的喷口；溶剂供应机构(91)，其以固定压力对喷嘴(50)供应溶剂。并且，具有涂层部(3)，其由设有用于喷射墨滴的喷嘴(50)的喷墨打印头(42)的喷嘴(50)将墨滴喷射到涂层对象(30)并进行涂层；盖罩(51)，其在涂层部(3)中覆盖涂层对象(30)，并且支承溶剂支承体(52)；以及溶剂供应部(53)，其将溶剂供应到支承在盖罩(51)上的溶剂支承体(52)。
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公开(公告)号：CN102683557B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210068814.X
申请日：2012-03-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/508 , H01L33/0079 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L2933/0016 , H01L2933/0041
Abstract: 根据一个实施方案，半导体发光装置包括发光部和波长转换部。配置所述发光部以发光。所述波长转换部设于所述发光部的一个主表面侧上。所述波长转换部含有磷光体。所述波长转换部的磷光体的量的分布基于从所述发光部发出的光的波长。
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公开(公告)号：CN103928595A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410171281.7
申请日：2011-06-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/58
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2224/16 , H01L2933/0058
Abstract: 根据一个实施例，一种光学半导体装置，包括发光层、透明层、第一金属柱、第二金属柱和密封层。发光层包括第一主表面、第二主表面、第一电极和第二电极。第二主表面是与第一主表面相对的表面，且第一电极和第二电极形成在第二主表面上。透明层设置在第一主表面上。第一金属柱设置在第一电极上。第二金属柱设置在第二电极上。密封层设置在第二主表面上。该密封层被配置为覆盖发光层的侧表面，并且密封第一金属柱和第二金属柱，而使第一金属柱的端部和第二金属柱的端部暴露在外。
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公开(公告)号：CN103715345A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201410026124.7
申请日：2011-06-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2224/16 , H01L2933/0058
Abstract: 根据一个实施例，一种光学半导体装置，包括发光层、透明层、第一金属柱、第二金属柱和密封层。发光层包括第一主表面、第二主表面、第一电极和第二电极。第二主表面是与第一主表面相对的表面，且第一电极和第二电极形成在第二主表面上。透明层设置在第一主表面上。第一金属柱设置在第一电极上。第二金属柱设置在第二电极上。密封层设置在第二主表面上。该密封层被配置为覆盖发光层的侧表面，并且密封第一金属柱和第二金属柱，而使第一金属柱的端部和第二金属柱的端部暴露在外。
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公开(公告)号：CN101622076B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN200880006435.X
申请日：2008-02-27
CPC classification number: H01L21/67028 , B05D3/105 , G02F1/1303 , H01L21/6715 , H01L21/6776
Abstract: 在涂布装置(1)中，包括：液滴喷射部，所述液滴喷射部向涂布对象物(2)喷射第一溶液的液滴，在涂布对象物(2)上涂布液滴；重新润湿干燥部(6)，所述重新润湿干燥部(6)赋予涂布到涂布对象物(2)上的第一溶液残留物能够溶解残留物的溶剂，形成作为溶质包含残留物的第二溶液的涂布体，使形成的第二溶液涂布体干燥。
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公开(公告)号：CN103035826A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210433703.4
申请日：2012-09-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/56
CPC classification number: H01L33/56 , H01L27/15 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明为半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，制备发出光的发光单元、包括荧光体并且被提供在发光单元的主表面上的波长变换单元、以及提供在波长变换单元的顶部上的透明树脂。透明树脂比波长变换单元具有大的弹性模量和/或高的肖氏硬度。
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