-
公开(公告)号:CN103403889A
公开(公告)日:2013-11-20
申请号:CN201280010835.4
申请日:2012-01-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L33/62 , H01L2224/16225
Abstract: 根据一个实施例,半导体发光器件包括半导体层(15)、p侧电极(16)、n侧电极(17)、无机绝缘膜(14)、p侧互连部分(21)、n侧互连部分(22)和有机绝缘膜(20)。有机绝缘膜设置在无机绝缘膜上,至少在p侧互连部分和n侧互连部分之间的部分上。p侧互连部分的在n侧互连部分一侧的端部(216)和n侧互连部分的在p侧互连部分一侧的端部(226)重叠在有机绝缘膜上。
-
公开(公告)号:CN103403889B
公开(公告)日:2016-09-14
申请号:CN201280010835.4
申请日:2012-01-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L33/62 , H01L2224/16225
Abstract: 根据一个实施例,半导体发光器件包括半导体层(15)、p侧电极(16)、n侧电极(17)、无机绝缘膜(14)、p侧互连部分(21)、n侧互连部分(22)和有机绝缘膜(20)。有机绝缘膜设置在无机绝缘膜上,至少在p侧互连部分和n侧互连部分之间的部分上。p侧互连部分的在n侧互连部分一侧的端部(21b)和n侧互连部分的在p侧互连部分一侧的端部(22b)重叠在有机绝缘膜上。
-