公开(公告)号：CN1503321A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310103871.8

申请日：2003-11-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大内淳子 ,  大岩德久

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01J37/32431 ,  H01J2237/3342

Abstract: 一种等离子体处理装置，具备：收容被处理基体的容器；向上述容器内导入含氢原子的气体的导入口，在上述容器内载置上述被处理基体的下部电极；为了在上述容器内引起放电来产生等离子体的，与上述下部电极对峙的上部电极；给上述下部电极和上述上部电极间施加电压的电源；在上述容器内的一部分上设置的金属氧化物构造体，在导入上述含氢原子的气体时上述金属氧化物构造体被还原。

公开(公告)号：CN1467821A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03140819.2

申请日：2003-06-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 成田雅贵 ,  佐藤兴一 ,  大岩德久

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826

Abstract: 半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成第1低介电系数绝缘膜，在上述第1低介电系数绝缘膜上形成光刻胶图形，用上述光刻胶图形，刻蚀上述第1低介电系数绝缘膜，在上述第1低介电系数绝缘膜上形成凹部，在除去了上述光刻胶图形后，向上述凹部内埋入导电膜，在埋入了上述导电膜后，在除去上述光刻胶图形时，除去在上述第1低介电系数绝缘膜的凹部的侧壁上形成的变质层，使得把归因于上述变质层的除去而产生的上述凹部侧壁的间隙填埋起来那样地形成第2低介电系数绝缘膜。

公开(公告)号：CN1459125A

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN01815651.7

申请日：2001-09-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 三村高范 ,  永关一也 ,  酒井伊都子 ,  大岩德久

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3266 ,  H01J2237/3347 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081

Abstract: 本发明提供一种硅高速腐蚀方法，与可保持真空的处理室内的处理空间接触，来设置具有硅区域的被处理对象W，在该处理空间内导入腐蚀气体，产生气压为13～1333Pa(100mTorr～10Torr)的气体环境，通过施加高频电力产生等离子。在该等离子中，离子等带电粒子的个数与基团的个数之和变大，使硅区域的腐蚀比以前高速化。

公开(公告)号：CN100459058C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN03812720.2

申请日：2003-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 小川和人 ,  稻泽刚一郎 ,  林久贵 ,  大岩德久

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，在将无机材料膜作为掩模对有机材料膜进行蚀刻的情况下，能够与蚀刻图案相对应，维持高蚀刻速率，以良好的蚀刻形状、良好的面内均匀性，并且不产生无机材料膜的膜剥离地进行蚀刻。在处理容器(1)内，通过蚀刻气体的等离子，将无机材料膜作为掩模，对被处理体上形成的有机材料膜进行蚀刻时，在通过蚀刻而应开口的区域的比例以面积比计为40%以上的蚀刻图案的情况下，使用含有NH3气体和O2气体的混合气体作为蚀刻气体，在通过蚀刻而应开口的区域的比例以面积比计为小于40%的蚀刻图案的情况下，使用NH3气体作为蚀刻气体。

公开(公告)号：CN101047140A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710091343.3

申请日：2007-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 小林义之 ,  酒井伊都子 ,  大岩德久

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67748 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6875

Abstract: 一种能够限制颗粒产生的基板传送装置。该基板传送装置(1)包括容纳晶片(W)的处理腔(12)、用于将晶片传送到处理腔中的传送臂(17)，和置于处理腔中并安装传送晶片的基座(45)。带有多个突起(55a)的静电夹盘(55)置于基座的上部内。带有多个用于保持晶片的突起(25a)的传送叉(25)置于传送臂的末端上。这些突起(25a)设置在传送叉(25)中以使突起(25a)的晶片保持部(81)与静电夹盘的突起(55a)的晶片保持部分(80)不同。

公开(公告)号：CN1783430A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510127554.9

申请日：2005-12-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 桧森慎司 ,  今井范章 ,  堀口克己 ,  根津崇明 ,  松山昇一郎 ,  松丸弘树 ,  速水利泰 ,  永关一也 ,  酒井伊都子 ,  大岩德久 ,  杉安良和

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  C23C16/50 ,  C23C14/34 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种电容耦合型的等离子体处理装置(100)，包括可设定为具有真空气氛的处理腔室和将处理气体供给腔室(1)内的处理气体供给部(15)。在腔室(1)内、第一电极(2)和第二电极(18)相对地配置。为了在第一和第二电极间的等离子体生成区域(R1)中形成高频电场，配置将高频电力供给至第一或第二电极的高频电源(10)。高频电场使处理气体变成等离子体。被处理基板(W)在第一和第二电极之间，由支撑部件(2)所支撑，使其被处理面与第二电极(18)相对。在等离子体生成区域(R1)周围的周围区域(R2)中，配置接地的导电性作用面AS，以扩展等离子体，进行调制，使得与等离子体实质上直流地结合。

公开(公告)号：CN1244956C

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN01111758.3

申请日：2001-03-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤康彦 ,  盐原英志 ,  佐藤基之 ,  大西廉伸 ,  富田宽 ,  大岩德久 ,  大内淳子 ,  林久贵

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/085 ,  G03F7/09 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/32139

Abstract: 图案形成方法，它包括：在基片上形成碳原子含量≥80%(重量)的膜或气相淀积膜即下层膜的步骤；在下层膜的表面上施行密合性促进处理的步骤或在下层膜上形成密合性促进膜的步骤；在下层膜的表面上形成中间膜的步骤；在中间膜上形成抗蚀剂膜的步骤；对抗蚀剂膜进行图案曝光形成抗蚀剂图案的步骤；将抗蚀剂图案复制到中间膜上形成中间膜图案的步骤；将此中间膜图案复制到上述下层膜上而形成下层膜图案的步骤。

公开(公告)号：CN1518113A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410000178.2

申请日：2004-01-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 竹中圭一 ,  酒井伊都子 ,  成田雅贵 ,  大岩德久 ,  三田淳夫 ,  矢桥胜典

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/1087 ,  H01L27/10829 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

Abstract: 一种包括沟槽电容器的半导体器件包括半导体衬底，包括窄部分和主部分的沟槽，窄部分的直径同轴地小于主部分处的沟槽直径，提供在半导体衬底中环绕包括窄部分的沟槽的第一电容器电极，沿第一电容器电极的表面提供的电容器绝缘膜，以及提供在沟槽内部的第二电容器电极。

公开(公告)号：CN100539000C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510127554.9

申请日：2005-12-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 桧森慎司 ,  今井范章 ,  堀口克己 ,  根津崇明 ,  松山昇一郎 ,  松丸弘树 ,  速水利泰 ,  永关一也 ,  酒井伊都子 ,  大岩德久 ,  杉安良和

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  C23C16/50 ,  C23C14/34 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种电容耦合型的等离子体处理装置(100)，包括可设定为具有真空气氛的处理腔室和将处理气体供给腔室(1)内的处理气体供给部(15)。在腔室(1)内、第一电极(2)和第二电极(18)相对地配置。为了在第一和第二电极间的等离子体生成区域(R1)中形成高频电场，配置将高频电力供给至第一或第二电极的高频电源(10)。高频电场使处理气体变成等离子体。被处理基板(W)在第一和第二电极之间，由支撑部件(2)所支撑，使其被处理面与第二电极(18)相对。在等离子体生成区域(R1)周围的周围区域(R2)中，配置接地的导电性作用面AS，以扩展等离子体，进行调制，使得与等离子体实质上直流地结合。

公开(公告)号：CN1284213C

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN01815651.7

申请日：2001-09-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 三村高范 ,  永关一也 ,  酒井伊都子 ,  大岩德久

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3266 ,  H01J2237/3347 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081

Abstract: 本发明提供一种硅高速腐蚀方法，与可保持真空的处理室内的处理空间接触，来设置具有硅区域的被处理对象W，在该处理空间内导入腐蚀气体，产生气压为13～1333Pa(100mTorr～10Torr)的气体环境，通过施加高频电力产生等离子。在该等离子中，离子等带电粒子的个数与基团的个数之和变大，使硅区域的腐蚀比以前高速化。