公开(公告)号：CN1518113A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410000178.2

申请日：2004-01-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 竹中圭一 ,  酒井伊都子 ,  成田雅贵 ,  大岩德久 ,  三田淳夫 ,  矢桥胜典

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/1087 ,  H01L27/10829 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

Abstract: 一种包括沟槽电容器的半导体器件包括半导体衬底，包括窄部分和主部分的沟槽，窄部分的直径同轴地小于主部分处的沟槽直径，提供在半导体衬底中环绕包括窄部分的沟槽的第一电容器电极，沿第一电容器电极的表面提供的电容器绝缘膜，以及提供在沟槽内部的第二电容器电极。

公开(公告)号：CN1290200C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200410000178.2

申请日：2004-01-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 竹中圭一 ,  酒井伊都子 ,  成田雅贵 ,  大岩德久 ,  三田淳夫 ,  矢桥胜典

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/1087 ,  H01L27/10829 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

Abstract: 一种包括沟槽电容器的半导体器件包括半导体衬底，包括窄部分和主部分的沟槽，窄部分的直径同轴地小于主部分处的沟槽直径，提供在半导体衬底中环绕包括窄部分的沟槽的第一电容器电极，沿第一电容器电极的表面提供的电容器绝缘膜，以及提供在沟槽内部的第二电容器电极。

公开(公告)号：CN100364039C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200410032743.3

申请日：2004-04-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 寄特利彦 ,  丹羽慎治 ,  保坂聪树 ,  北泽贵 ,  三田淳夫 ,  佐藤义隆

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67745

Abstract: 蚀刻处理装置(1)具备传送腔(2)，多个处理腔(3、4)，多个盒腔(7、8)，在传送腔(2)内设置传送机构(14)。在传送机构(14)的动作停止了预定时间及预定时间以上之际，控制装置(17)关闭对设置有该传送机构的传送腔(2)进行真空排气的真空排气机构的开闭阀(15)，并停止真空泵(16)的动作。据此，可以实施节省能量而不引起生产性降低。

公开(公告)号：CN1538502A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN200410032743.3

申请日：2004-04-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 寄特利彦 ,  丹羽慎治 ,  保坂聪树 ,  北泽贵 ,  三田淳夫 ,  佐藤义隆

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67745

Abstract: 蚀刻处理装置(1)具备传送腔(2)，多个处理腔(3、4)，多个盒腔(7、8)，在传送腔(2)内设置传送机构(14)。在传送机构(14)的动作停止了预定时间及预定时间以上之际，控制装置(17)关闭对设置有该传送机构的传送腔(2)进行真空排气的真空排气机构的开闭阀(15)，并停止真空泵(16)的动作。据此，可以实施节省能量而不引起生产性降低。