公开(公告)号：CN100539000C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510127554.9

申请日：2005-12-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 桧森慎司 ,  今井范章 ,  堀口克己 ,  根津崇明 ,  松山昇一郎 ,  松丸弘树 ,  速水利泰 ,  永关一也 ,  酒井伊都子 ,  大岩德久 ,  杉安良和

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  C23C16/50 ,  C23C14/34 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种电容耦合型的等离子体处理装置(100)，包括可设定为具有真空气氛的处理腔室和将处理气体供给腔室(1)内的处理气体供给部(15)。在腔室(1)内、第一电极(2)和第二电极(18)相对地配置。为了在第一和第二电极间的等离子体生成区域(R1)中形成高频电场，配置将高频电力供给至第一或第二电极的高频电源(10)。高频电场使处理气体变成等离子体。被处理基板(W)在第一和第二电极之间，由支撑部件(2)所支撑，使其被处理面与第二电极(18)相对。在等离子体生成区域(R1)周围的周围区域(R2)中，配置接地的导电性作用面AS，以扩展等离子体，进行调制，使得与等离子体实质上直流地结合。

公开(公告)号：CN1783430A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510127554.9

申请日：2005-12-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 桧森慎司 ,  今井范章 ,  堀口克己 ,  根津崇明 ,  松山昇一郎 ,  松丸弘树 ,  速水利泰 ,  永关一也 ,  酒井伊都子 ,  大岩德久 ,  杉安良和

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  C23C16/50 ,  C23C14/34 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种电容耦合型的等离子体处理装置(100)，包括可设定为具有真空气氛的处理腔室和将处理气体供给腔室(1)内的处理气体供给部(15)。在腔室(1)内、第一电极(2)和第二电极(18)相对地配置。为了在第一和第二电极间的等离子体生成区域(R1)中形成高频电场，配置将高频电力供给至第一或第二电极的高频电源(10)。高频电场使处理气体变成等离子体。被处理基板(W)在第一和第二电极之间，由支撑部件(2)所支撑，使其被处理面与第二电极(18)相对。在等离子体生成区域(R1)周围的周围区域(R2)中，配置接地的导电性作用面AS，以扩展等离子体，进行调制，使得与等离子体实质上直流地结合。

公开(公告)号：CN101154582B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200710146641.8

申请日：2007-08-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 饭嶋悦夫 ,  堀口克己

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/32192

Abstract: 本发明涉及蚀刻方法以及半导体器件的制造方法，该蚀刻方法不仅能增大多晶硅膜对于氧化硅膜的选择比，而且能抑制硅基材中的凹处的产生。将晶片(W)搬入具备径向线缝隙天线(19)的基板处理装置(10)的处理容器(11)内，在晶片(W)中，将通过开口部(40)而被露出的多晶硅膜(37)的部分蚀刻至在栅极氧化膜(36)上仅残留一点的程度，将处理空间(S1、S2)的压力设定为66.7Pa，向处理空间(S2)供给HBr气体以及He气体，向径向线缝隙天线(19)供给2.45GHz的微波，利用从HBr气体产生的等离子体蚀刻多晶硅膜(37)并完全除去，蚀刻露出的栅极氧化膜(36)，并蚀刻抗蚀剂膜(39)以及防反射膜(38)。

公开(公告)号：CN101154582A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710146641.8

申请日：2007-08-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 饭嶋悦夫 ,  堀口克己

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/32192

Abstract: 本发明涉及蚀刻方法以及半导体器件的制造方法，该蚀刻方法不仅能增大多晶硅膜对于氧化硅膜的选择比，而且能抑制硅基材中的凹处的产生。将晶片(W)搬入具备径向线缝隙天线(19)的基板处理装置(10)的处理容器(11)内，在晶片(W)中，将通过开口部(40)而被露出的多晶硅膜(37)的部分蚀刻至在栅极氧化膜(36)上仅残留一点的程度，将处理空间(S1、S2)的压力设定为66.7Pa，向处理空间(S2)供给HBr气体以及He气体，向径向线缝隙天线(19)供给2.45GHz的微波，利用从HBr气体产生的等离子体蚀刻多晶硅膜(37)并完全除去，蚀刻露出的栅极氧化膜(36)，并蚀刻抗蚀剂膜(39)以及防反射膜(38)。