公开(公告)号：CN1518113A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410000178.2

申请日：2004-01-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 竹中圭一 ,  酒井伊都子 ,  成田雅贵 ,  大岩德久 ,  三田淳夫 ,  矢桥胜典

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/1087 ,  H01L27/10829 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

Abstract: 一种包括沟槽电容器的半导体器件包括半导体衬底，包括窄部分和主部分的沟槽，窄部分的直径同轴地小于主部分处的沟槽直径，提供在半导体衬底中环绕包括窄部分的沟槽的第一电容器电极，沿第一电容器电极的表面提供的电容器绝缘膜，以及提供在沟槽内部的第二电容器电极。

公开(公告)号：CN1290200C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200410000178.2

申请日：2004-01-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 竹中圭一 ,  酒井伊都子 ,  成田雅贵 ,  大岩德久 ,  三田淳夫 ,  矢桥胜典

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/1087 ,  H01L27/10829 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

Abstract: 一种包括沟槽电容器的半导体器件包括半导体衬底，包括窄部分和主部分的沟槽，窄部分的直径同轴地小于主部分处的沟槽直径，提供在半导体衬底中环绕包括窄部分的沟槽的第一电容器电极，沿第一电容器电极的表面提供的电容器绝缘膜，以及提供在沟槽内部的第二电容器电极。