公开(公告)号：CN105990451B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201510553416.0

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥村秀树 ,  土谷政信 ,  三泽宽人 ,  江崎朗

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8613

Abstract: 实施方式的半导体装置具有第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一绝缘层、及第一绝缘区域。第二半导体区域设置在第一半导体区域之上。第一绝缘层与第二半导体区域相接。第一绝缘层包围第一半导体区域的至少一部分及第二半导体区域的至少一部分。第一绝缘区域包围第一绝缘层的至少一部分。

公开(公告)号：CN105990451A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510553416.0

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥村秀树 ,  土谷政信 ,  三泽宽人 ,  江崎朗

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/0619

Abstract: 实施方式的半导体装置具有第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一绝缘层、及第一绝缘区域。第二半导体区域设置在第一半导体区域之上。第一绝缘层与第二半导体区域相接。第一绝缘层包围第一半导体区域的至少一部分及第二半导体区域的至少一部分。第一绝缘区域包围第一绝缘层的至少一部分。