公开(公告)号：CN103325719A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310070023.5

申请日：2013-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 江崎朗

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/304 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/683 ,  G01R31/2831 ,  G01R31/2893 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L22/12 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381

Abstract: 本发明涉及支撑基板、半导体装置的制造方法、半导体装置的检查方法。本实施方式所涉及的支撑基板具有：第1支持基板，其外径比半导体基板的直径大，内径比所述半导体基板的直径小；以及第2支持基板，其外径为所述第1支持基板的内径以下。

公开(公告)号：CN105990451B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201510553416.0

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥村秀树 ,  土谷政信 ,  三泽宽人 ,  江崎朗

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8613

Abstract: 实施方式的半导体装置具有第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一绝缘层、及第一绝缘区域。第二半导体区域设置在第一半导体区域之上。第一绝缘层与第二半导体区域相接。第一绝缘层包围第一半导体区域的至少一部分及第二半导体区域的至少一部分。第一绝缘区域包围第一绝缘层的至少一部分。

公开(公告)号：CN105990451A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510553416.0

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥村秀树 ,  土谷政信 ,  三泽宽人 ,  江崎朗

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/0619

Abstract: 实施方式的半导体装置具有第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一绝缘层、及第一绝缘区域。第二半导体区域设置在第一半导体区域之上。第一绝缘层与第二半导体区域相接。第一绝缘层包围第一半导体区域的至少一部分及第二半导体区域的至少一部分。第一绝缘区域包围第一绝缘层的至少一部分。

公开(公告)号：CN103325705A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310070252.7

申请日：2013-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山下大辅 ,  柴田浩延 ,  江崎朗

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/304 ,  G01R31/26

CPC classification number: H01L22/30 ,  G01R1/0408 ,  G01R1/0491 ,  G01R31/26 ,  G01R31/2601 ,  H01L21/78 ,  H01L22/14

Abstract: 实施方式涉及的半导体器件的检查方法具有：在形成有半导体器件并在表面贴合了支撑衬底的半导体衬底的背面贴合检查用夹具的工序，该检查用夹具具备比上述半导体衬底大且在中心部形成有比上述半导体衬底小的开口的片以及保持上述片的外周部的保持架；剥离贴合到上述半导体衬底的表面的支撑衬底的工序；以及检查上述半导体器件的电气特性的工序。

公开(公告)号：CN103311170A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310070448.6

申请日：2013-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 江崎朗

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

CPC classification number: B29C53/04 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/68735 ,  Y10T156/1028 ,  Y10T156/19

Abstract: 实施方式涉及的半导体装置的制造方法具备：使粘贴了保护带的半导体基板弯曲的工序；在保持上述半导体基板弯曲的状态下，剥离上述保护带的工序。