公开(公告)号：CN100380103C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN03160083.2

申请日：2003-09-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐俣秀一 ,  古畑武夫 ,  牛久幸广 ,  山本明人 ,  中尾隆

IPC: G01H17/00 ,  F04C25/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: G01M15/12 ,  G05B23/0221 ,  G05B23/0283

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有能够进行高灵敏度且稳定的高精度的寿命预测的旋转机的制造装置。在旋转机(3)中，在旋转机的振动的变动不同的位置配置有测定时间序列振动数据的加速度计(36a、36b)。借助频率解析装置(37)，对由加速度计(36a、36b)所测定的时间序列振动数据进行频率解析。在时间序列数据记录部(5)中，根据经频率解析的时间序列振动数据，将与解析对象频率对应的特征量的变动制作成评价用诊断数据，并记录评价用诊断数据。用寿命判定单元(6)，利用评价用诊断数据预测旋转机(3)的寿命。

公开(公告)号：CN1228813C

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN02154758.0

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上村昌己 ,  中尾隆

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67248

Abstract: 本发明实现一种半导体制造系统，能使CVD成膜所需要的处理加工时间的缩短。在用加热器加热晶片以后，而且由加热器检出的温度实质上变成恒定以前，利用CIM3，构筑决定成膜结束时间的结束时间决定部5。

公开(公告)号：CN1438676A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN02154758.0

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上村昌己 ,  中尾隆

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67248

Abstract: 本发明实现一种半导体制造系统，能使CVD成膜所需要的处理加工时间的缩短。在用加热器加热晶片以后，而且由加热器检出的温度实质上变成恒定以前，利用CIM3，构筑决定成膜结束时间的结束时间决定部5。

公开(公告)号：CN1419045A

公开(公告)日：2003-05-21

申请号：CN02160295.6

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 石井贤 ,  中尾隆 ,  牛久幸广 ,  佐俣秀一

IPC: F02M3/09 ,  F04C25/02 ,  F16L59/06 ,  H01L21/00

CPC classification number: G05B9/02 ,  G05B23/024 ,  G05B23/0291

Abstract: 提供进行正确故障时间的预测，可进行安全低成本的维护的异常停止避免系统。包含：反应室(521)；将反应室(521)置于减压状态的真空泵(18，19)；向反应室(521)导入气体的气体供给控制系统(51)；测定真空泵(18，19)的特征量的时间系列数据的特征量传感器(31～37)；实时控制反应室(521)、真空泵(18，19)和气体供给控制系统(51)的实时控制器(531)；通过对时间系列数据的第一实时解析取得第一故障诊断数据，通过对第一故障诊断数据的第二实时解析取得第二故障诊断数据，由此预测故障的故障实时判定模块(533)。判断为异常停止的情况下，由气体供给控制系统(51)向反应室(521)导入清洁(purge)用气体。

公开(公告)号：CN1403214A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN02129077.6

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 胜井修二 ,  田中正幸 ,  上村昌己 ,  赤堀浩史 ,  水岛一郎 ,  中尾隆 ,  山本明人 ,  齐田繁彦 ,  纲岛祥隆 ,  见方裕一

IPC: B08B11/00 ,  H01L21/302 ,  G05B19/05

CPC classification number: H04L12/66 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明提供一种干洗系统，该干洗系统根据各种信息，借助于计算机进行综合处理，效率良好地自动地判定对于半导体制造设备来说究竟是进行晶片处理还是进行清洗处理。具体的解决手段涉及用至少含有ClF3等卤族气体除去淀积在半导体制造设备的反应室5内的淀积膜的干洗。第1发明，是对于半导体制造设备来说，自动地判定设备是立即实施成膜等的处理还是必须马上进行清洗的系统。第2发明，在使用至少含有ClF3等卤族气体除去淀积在要形成CVD膜等的半导体制造设备的反应室内的淀积膜时使得存在金属、金属化合物、有机系气体等。可以提高选择比、缩短清洗时间。第3发明，是进行目的为对设备进行效率良好的清洗的控制的系统。

公开(公告)号：CN1301343C

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN02141417.3

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田中正幸 ,  中尾隆 ,  牛久幸広

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4412

Abstract: 本发明提供一种可以延长寿命、提高生产效率的真空排气系统。包括：具有多个监视区域的排气泵系统2；分别设在监视区域上的分别独立地检测监视区域中的排气泵系统2的状态的传感器101、102、103、……、104；分别设在监视区域中加热器201、202、203、……、204；分别接收来自传感器101、102、103、……、104的数据信号D1、D2、D3、……、Dm，比较该数据信号与阈值，当来自特定的传感器的数据信号超过了阈值时，只向配置了特定的传感器的监视区域的加热器选择性地供给加热用电力的监视·控制装置1。

公开(公告)号：CN1270386C

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200310115499.2

申请日：2003-11-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 古畑武夫 ,  水岛一郎 ,  关原章子 ,  岸田基也 ,  原田翼 ,  中尾隆

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/76847 ,  H01L21/76864 ,  H01L27/10867 ,  H01L29/945

Abstract: 本发明的目的是提供一种可靠地与沟槽内的第1导体和第2导体连接，满足高集成化以及细微化要求的半导体器件及其制造方法。解决方案是，半导体器件(100)具备：半导体基板(110)；被形成在半导体基板(110)上的沟槽(135)；被堆积在沟槽(135)内部比较下方的，在上面具有凹坑的第1导体层(150)；埋入第1导体层(135)的凹坑，由比第1导体层(135)熔点还低的导电性材料构成的埋入层(199)；在沟槽(135)内部被设置在埋入层(199)上的，与第1导体层(150)电连接的第2导体层(152)。

公开(公告)号：CN1230869C

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN02107835.1

申请日：2002-03-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 牛久幸広 ,  有门经敏 ,  佐俣秀一 ,  中尾隆 ,  见方裕一

IPC: H01L21/00

CPC classification number: F04B51/00 ,  F04B49/065 ,  F04D19/04 ,  F04D27/001 ,  G01M13/00

Abstract: 一种用于预测旋转机器的使用寿命预期值的装置包括：负载方案输入模块，其用于获得旋转机器的负载条件；特征输入模块，其用于获得所述旋转机器的特征数据；以及使用寿命预期值预测模块，其根据所述负载条件和所述特征数据计算所述旋转机器的使用寿命。

公开(公告)号：CN1416076A

公开(公告)日：2003-05-07

申请号：CN02154759.9

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中尾隆 ,  牛久幸广 ,  佐俣秀一 ,  赤堀浩史 ,  石井贤

IPC: G06F17/00 ,  G06F17/60 ,  H01L21/00

CPC classification number: G05B23/024 ,  Y02P90/86

Abstract: 生产装置的故障诊断方法和故障诊断系统，可在制造多品种工业制品的情况下自动应对进行故障诊断。包括：被诊断生产装置5；测定被诊断生产装置5的特征量的特征量传感器32～37；驱动控制被诊断生产装置5的实时控制控制器531；根据特征量传感器32～37的输出进行故障实时判定的模块533；将参照生产装置的特征量的数据作为装置信息数据库记录的装置信息存储装置103；包含驱动控制被诊断生产装置5的制造过程序列的方法和负荷试验序列的方法的过程管理信息数据库并向实时控制控制器531输出方法的过程管理信息存储装置102。

公开(公告)号：CN1404103A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN02147030.8

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐俣秀一 ,  牛久幸广 ,  石井贤 ,  中尾隆

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  F04C25/02 ,  C23C16/52

CPC classification number: G05B23/0283

Abstract: 提供一种不受半导钵制造中涉及的处理条件的变动和电源变动以及机械误差影响的半导体制造装置的寿命诊断方法。该方法包括：(1)测定半导体制造装置没有恶化时的特征量的基准时间系列数据(步骤S11)；(2)从基准时间系列数据求出基准自共分数函数(步骤S12)；(3)从该基准自共分数函数提取处理条件的变动和电源引起的基准变动，求出该基准变动的周期(步骤S13)；(4)在成为半导体制造装置的评价对象的序列中，测定特征量的诊断用时间系列数据(步骤S14)；(5)从该诊断用时间系列数据求出诊断用自共分数函数(步骤S15)；(6)使用比基准变动周期短的周期成分从该诊断用自共分散函数决定半导体制造装置的寿命(步骤S16)。