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公开(公告)号：CN1270386C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200310115499.2
申请日：2003-11-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/76847 , H01L21/76864 , H01L27/10867 , H01L29/945
Abstract: 本发明的目的是提供一种可靠地与沟槽内的第1导体和第2导体连接，满足高集成化以及细微化要求的半导体器件及其制造方法。解决方案是，半导体器件(100)具备：半导体基板(110)；被形成在半导体基板(110)上的沟槽(135)；被堆积在沟槽(135)内部比较下方的，在上面具有凹坑的第1导体层(150)；埋入第1导体层(135)的凹坑，由比第1导体层(135)熔点还低的导电性材料构成的埋入层(199)；在沟槽(135)内部被设置在埋入层(199)上的，与第1导体层(150)电连接的第2导体层(152)。
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公开(公告)号：CN1505157A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310115499.2
申请日：2003-11-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/76847 , H01L21/76864 , H01L27/10867 , H01L29/945
Abstract: 本发明的目的是提供一种可靠地与沟槽内的第1导体和第2导体连接，满足高集成化以及细微化要求的半导体器件及其制造方法。解决方案是，半导体器件(100)具备：半导体基板(110)；被形成在半导体基板(110)上的沟槽(135)；被堆积在沟槽(135)内部比较下方的，在上面具有凹坑的第1导体层(150)；埋入第1导体层(135)的凹坑，由比第1导体层(135)熔点还低的导电性材料构成的埋入层(199)；在沟槽(135)内部被设置在埋入层(199)上的，与第1导体层(150)电连接的第2导体层(152)。
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公开(公告)号：CN102044549A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010271652.0
申请日：2010-08-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146 , H01L23/528
CPC classification number: H01L24/05 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/48 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/04941 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/12043 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 根据一个实施例，固态图像捕捉设备包括多层互连线层、半导体衬底、柱状体扩散层和绝缘部件。该多层互连线层包括互连线。在该多层互连线层上提供该半导体衬底并且所述半导体衬底具有通槽。该柱状体扩散层形成在半导体衬底中的该通槽周围。另外，绝缘部件被填充到该通槽中。
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公开(公告)号：CN102044549B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201010271652.0
申请日：2010-08-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146 , H01L23/528
CPC classification number: H01L24/05 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/48 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/04941 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/12043 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 根据一个实施例，固态图像捕捉设备包括多层互连线层、半导体衬底、柱状体扩散层和绝缘部件。该多层互连线层包括互连线。在该多层互连线层上提供该半导体衬底并且所述半导体衬底具有通槽。该柱状体扩散层形成在半导体衬底中的该通槽周围。另外，绝缘部件被填充到该通槽中。
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