公开(公告)号：CN1288277C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN02129077.6

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 胜井修二 ,  田中正幸 ,  上村昌己 ,  赤堀浩史 ,  水岛一郎 ,  中尾隆 ,  山本明人 ,  齐田繁彦 ,  纲岛祥隆 ,  见方裕一

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/306

CPC classification number: H04L12/66 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明提供一种干洗系统，包括：自动判定装置，根据包括半导体制造设备的累积膜种类信息、累积膜厚信息、批的到达预料时期信息、批的成膜预定膜厚信息、批的紧急度信息、批的后工序设备信息和附带设备动作信息的信息，按照由计算机决定的算法，对于对半导体晶片进行处理的设备、对处理预定的批最佳的设备、实施干洗的设备和维修附带设备的设备自动地进行判定；决定装置，以上述自动判定装置的自动判定为基础，对上述各个设备，进行对半导体晶片的处理的时期、对预定的批进行处理的时期、实施干洗的时期、维修附带设备的时期的决定；输出装置，按照上述决定装置对上述各个时期的决定，输出上述各个设备的下次的处理内容。

公开(公告)号：CN103367372B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201310066905.4

申请日：2013-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上村昌己 ,  宇家真司 ,  工藤知靖

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/02 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供固体拍摄装置及固体拍摄装置的制造方法，可增加固定电荷层中的电荷量。实施方式的固体拍摄装置具备受光部、第1电荷保持膜、第2电荷保持膜。受光部对入射光进行光电变换。第1电荷保持膜在受光部的入射光入射的面侧形成，保持电荷。第2电荷保持膜的氧含量比第1电荷保持膜高，在第1电荷保持膜的入射光入射的面侧形成，保持电荷。

公开(公告)号：CN1740387A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510099956.2

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上村昌己 ,  中尾隆

IPC: C23C16/52 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67248

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，其特征是包括：将衬底收容进成膜室并由加热装置加热上述衬底，在该衬底上形成膜；利用温度检测装置检测上述成膜室的内部和外部至少一方温度并根据该温度检测装置检测的温度，控制上述加热装置使其以规定温度加热上述衬底；在上述加热装置加热上述衬底以后且在上述温度检测装置检出的温度实质上成为一定之前就由系统控制器决定成膜结束的时间。

公开(公告)号：CN104347647A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410038070.6

申请日：2014-01-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上村昌己

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L31/02161 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明提供一种能够降低暗电流的固体摄像装置以及摄像机模块。根据本发明的一个实施方式，提供固体摄像装置。固体摄像装置具备光电转换元件、第一绝缘膜、金属氧化膜、防反射膜和第二绝缘膜。光电转换元件将入射的光向与受光量相应的量的电荷光电转换并蓄积。第一绝缘膜设置在光电转换元件的受光面。金属氧化膜设置在第一绝缘膜的受光面。防反射膜设置在金属氧化膜的受光面侧，具有抑制光的反射的功能。第二绝缘膜设置在金属氧化膜与防反射膜之间，膜厚在1nm以上10nm以下。

公开(公告)号：CN103367372A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310066905.4

申请日：2013-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上村昌己 ,  宇家真司 ,  工藤知靖

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/02 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供固体拍摄装置及固体拍摄装置的制造方法，可增加固定电荷层中的电荷量。实施方式的固体拍摄装置具备受光部、第1电荷保持膜、第2电荷保持膜。受光部对入射光进行光电变换。第1电荷保持膜在受光部的入射光入射的面侧形成，保持电荷。第2电荷保持膜的氧含量比第1电荷保持膜高，在第1电荷保持膜的入射光入射的面侧形成，保持电荷。

公开(公告)号：CN1228813C

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN02154758.0

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上村昌己 ,  中尾隆

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67248

Abstract: 本发明实现一种半导体制造系统，能使CVD成膜所需要的处理加工时间的缩短。在用加热器加热晶片以后，而且由加热器检出的温度实质上变成恒定以前，利用CIM3，构筑决定成膜结束时间的结束时间决定部5。

公开(公告)号：CN1438676A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN02154758.0

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上村昌己 ,  中尾隆

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67248

Abstract: 本发明实现一种半导体制造系统，能使CVD成膜所需要的处理加工时间的缩短。在用加热器加热晶片以后，而且由加热器检出的温度实质上变成恒定以前，利用CIM3，构筑决定成膜结束时间的结束时间决定部5。

公开(公告)号：CN1403214A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN02129077.6

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 胜井修二 ,  田中正幸 ,  上村昌己 ,  赤堀浩史 ,  水岛一郎 ,  中尾隆 ,  山本明人 ,  齐田繁彦 ,  纲岛祥隆 ,  见方裕一

IPC: B08B11/00 ,  H01L21/302 ,  G05B19/05

CPC classification number: H04L12/66 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明提供一种干洗系统，该干洗系统根据各种信息，借助于计算机进行综合处理，效率良好地自动地判定对于半导体制造设备来说究竟是进行晶片处理还是进行清洗处理。具体的解决手段涉及用至少含有ClF3等卤族气体除去淀积在半导体制造设备的反应室5内的淀积膜的干洗。第1发明，是对于半导体制造设备来说，自动地判定设备是立即实施成膜等的处理还是必须马上进行清洗的系统。第2发明，在使用至少含有ClF3等卤族气体除去淀积在要形成CVD膜等的半导体制造设备的反应室内的淀积膜时使得存在金属、金属化合物、有机系气体等。可以提高选择比、缩短清洗时间。第3发明，是进行目的为对设备进行效率良好的清洗的控制的系统。