生产装置的故障诊断方法和故障诊断系统

    公开(公告)号:CN100476663C

    公开(公告)日:2009-04-08

    申请号:CN02154759.9

    申请日:2002-08-30

    CPC classification number: G05B23/024 Y02P90/86

    Abstract: 生产装置的故障诊断方法和故障诊断系统,可在制造多品种工业制品的情况下自动应对进行故障诊断。包括:被诊断生产装置5;测定被诊断生产装置5的特征量的特征量传感器32~37;驱动控制被诊断生产装置5的实时控制控制器531;根据特征量传感器32~37的输出进行故障实时判定的模块533;将参照生产装置的特征量的数据作为装置信息数据库记录的装置信息存储装置103;包含驱动控制被诊断生产装置5的制造过程序列的方法和负荷试验序列的方法的过程管理信息数据库并向实时控制控制器531输出方法的过程管理信息存储装置102。

    生产装置的故障诊断方法和故障诊断系统

    公开(公告)号:CN1416076A

    公开(公告)日:2003-05-07

    申请号:CN02154759.9

    申请日:2002-08-30

    CPC classification number: G05B23/024 Y02P90/86

    Abstract: 生产装置的故障诊断方法和故障诊断系统,可在制造多品种工业制品的情况下自动应对进行故障诊断。包括:被诊断生产装置5;测定被诊断生产装置5的特征量的特征量传感器32~37;驱动控制被诊断生产装置5的实时控制控制器531;根据特征量传感器32~37的输出进行故障实时判定的模块533;将参照生产装置的特征量的数据作为装置信息数据库记录的装置信息存储装置103;包含驱动控制被诊断生产装置5的制造过程序列的方法和负荷试验序列的方法的过程管理信息数据库并向实时控制控制器531输出方法的过程管理信息存储装置102。

    半导体制造装置的寿命诊断方法

    公开(公告)号:CN1404103A

    公开(公告)日:2003-03-19

    申请号:CN02147030.8

    申请日:2002-08-30

    CPC classification number: G05B23/0283

    Abstract: 提供一种不受半导钵制造中涉及的处理条件的变动和电源变动以及机械误差影响的半导体制造装置的寿命诊断方法。该方法包括:(1)测定半导体制造装置没有恶化时的特征量的基准时间系列数据(步骤S11);(2)从基准时间系列数据求出基准自共分数函数(步骤S12);(3)从该基准自共分数函数提取处理条件的变动和电源引起的基准变动,求出该基准变动的周期(步骤S13);(4)在成为半导体制造装置的评价对象的序列中,测定特征量的诊断用时间系列数据(步骤S14);(5)从该诊断用时间系列数据求出诊断用自共分数函数(步骤S15);(6)使用比基准变动周期短的周期成分从该诊断用自共分散函数决定半导体制造装置的寿命(步骤S16)。

    半导体生产装置的异常停止避免方法和异常停止避免系统

    公开(公告)号:CN100402826C

    公开(公告)日:2008-07-16

    申请号:CN02160295.6

    申请日:2002-08-30

    CPC classification number: G05B9/02 G05B23/024 G05B23/0291

    Abstract: 提供进行正确故障时间的预测,可进行安全低成本的维护的异常停止避免系统。包含:反应室(521);将反应室(521)置于减压状态的真空泵(18,19);向反应室(521)导入气体的气体供给控制系统(51);测定真空泵(18,19)的特征量的时间系列数据的特征量传感器(31~37);实时控制反应室(521)、真空泵(18,19)和气体供给控制系统(51)的实时控制器(531);通过对时间系列数据的第一实时解析取得第一故障诊断数据,通过对第一故障诊断数据的第二实时解析取得第二故障诊断数据,由此预测故障的故障实时判定模块(533)。判断为异常停止的情况下,由气体供给控制系统(51)向反应室(521)导入清洁(purge)用气体。

    半导体制造装置的寿命诊断方法

    公开(公告)号:CN1278387C

    公开(公告)日:2006-10-04

    申请号:CN02147030.8

    申请日:2002-08-30

    CPC classification number: G05B23/0283

    Abstract: 提供一种不受半导体制造中涉及的处理条件的变动和电源变动以及机械误差影响的半导体制造装置的寿命诊断方法。该方法包括:(1)测定半导体制造装置没有恶化时的特征量的基准时间系列数据(步骤S11);(2)从基准时间系列数据求出基准自共分散函数(步骤S12);(3)从该基准自共分散函数提取处理条件的变动和电源引起的基准变动,求出该基准变动的周期(步骤S13);(4)在成为半导体制造装置的评价对象的序列中,测定特征量的诊断用时间系列数据(步骤S14);(5)从该诊断用时间系列数据求出诊断用自共分散函数(步骤S15);(6)使用比基准变动周期短的周期成分从该诊断用自共分散函数决定半导体制造装置的寿命(步骤S16)。

    判定装置、判定方法以及程序
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115917579A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202180043204.1

    申请日:2021-07-01

    Abstract: 提供判定工厂等监视对象领域内的各区域中的作业者等人的密集的判定装置、判定方法以及程序。根据实施方式,判定监视对象领域内的各区域中的人的密集的判定装置具备:第1数据库,将表示监视对象领域内的各人的位置的位置信息与时间信息一起与对应的人的识别信息关联起来存储;停留信息取得部,从在第1数据库中与人的识别信息关联起来存储的位置信息以及时间信息中针对各区域中的每个区域取得停留的人和停留的人中的每个人的所停留的时间段;以及第1判定部,根据由停留信息取得部取得的结果,将多个人停留预先决定的连续时间长度以上的区域判定为密集多的区域。

    生产装置的异常停止避免方法和异常停止避免系统

    公开(公告)号:CN1419045A

    公开(公告)日:2003-05-21

    申请号:CN02160295.6

    申请日:2002-08-30

    CPC classification number: G05B9/02 G05B23/024 G05B23/0291

    Abstract: 提供进行正确故障时间的预测,可进行安全低成本的维护的异常停止避免系统。包含:反应室(521);将反应室(521)置于减压状态的真空泵(18,19);向反应室(521)导入气体的气体供给控制系统(51);测定真空泵(18,19)的特征量的时间系列数据的特征量传感器(31~37);实时控制反应室(521)、真空泵(18,19)和气体供给控制系统(51)的实时控制器(531);通过对时间系列数据的第一实时解析取得第一故障诊断数据,通过对第一故障诊断数据的第二实时解析取得第二故障诊断数据,由此预测故障的故障实时判定模块(533)。判断为异常停止的情况下,由气体供给控制系统(51)向反应室(521)导入清洁(purge)用气体。

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