公开(公告)号：CN100380582C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200310123273.7

申请日：2003-12-23

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社东芝

Inventor： 熊野畅 ,  见方裕一

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/266 ,  H01L35/00 ,  G03F1/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F1/20 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/31711 ,  H01J2237/31794

Abstract: 本发明提供一种不产生弯曲或变形的、高精度、高可靠性的掩模，通过具有包括掩模图形部和至少1个pn结的板状体、为上述pn结供给电流的电流供给部，向上述pn结部通电，能够产生珀耳帖效应，控制上述掩模图形部的温度。此外，提供一种在离子注入技术中能够高精度注入离子的(漏印板)掩模。提供一种不需要形成抗蚀图形的、高精度、高可靠性的离子注入方法。采用该掩模，可不需要形成抗蚀图形地形成高可靠性的离子注入区。

公开(公告)号：CN1574224A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410061671.5

申请日：2004-06-23

Applicant: 株式会社东芝 ,  三洋电机株式会社

Inventor： 水野刚资 ,  见方裕一 ,  齐藤公英

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  B05D5/00 ,  G03F7/16

CPC classification number: H01L21/6715

Abstract: 薄膜涂布单元和薄膜涂布方法，为了通过控制施加在基质表面上的涂布溶液的干燥状态而在基质表面上形成均匀的绝缘膜。解决问题的方式：薄膜涂布单元有：基质保持器，用于水平保持基质；涂布溶液排出喷嘴；以及防干燥板，该防干燥板对着基质表面。当基质保持器相对于涂布溶液排出喷嘴沿从晶片前端向后端的方向进行相对运动时，涂布溶液施加在晶片表面上。这时，防干燥板布置在在离基质表面最大2mm的高度处，以便在晶片表面和防干燥板之间形成较浓的溶剂气体。因此，将防止在晶片表面上的涂布溶液干燥，并在晶片表面上形成均匀厚度的涂布膜。

公开(公告)号：CN1403214A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN02129077.6

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 胜井修二 ,  田中正幸 ,  上村昌己 ,  赤堀浩史 ,  水岛一郎 ,  中尾隆 ,  山本明人 ,  齐田繁彦 ,  纲岛祥隆 ,  见方裕一

IPC: B08B11/00 ,  H01L21/302 ,  G05B19/05

CPC classification number: H04L12/66 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明提供一种干洗系统，该干洗系统根据各种信息，借助于计算机进行综合处理，效率良好地自动地判定对于半导体制造设备来说究竟是进行晶片处理还是进行清洗处理。具体的解决手段涉及用至少含有ClF3等卤族气体除去淀积在半导体制造设备的反应室5内的淀积膜的干洗。第1发明，是对于半导体制造设备来说，自动地判定设备是立即实施成膜等的处理还是必须马上进行清洗的系统。第2发明，在使用至少含有ClF3等卤族气体除去淀积在要形成CVD膜等的半导体制造设备的反应室内的淀积膜时使得存在金属、金属化合物、有机系气体等。可以提高选择比、缩短清洗时间。第3发明，是进行目的为对设备进行效率良好的清洗的控制的系统。

公开(公告)号：CN1378240A

公开(公告)日：2002-11-06

申请号：CN02120180.3

申请日：2002-03-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 见方裕一

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01J37/32477 ,  C23C16/24 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法,对反应容器进行加热,在反应容器内设置半导体晶片,在反应容器内导入成膜气体,在上述反应容器的内壁或者上述半导体晶片上形成膜,测定反应容器的外部温度变化和上述反应容器的内部温度变化,从上述温度变化之比与膜的厚度的关系来求出上述反应容器的内壁或上述半导体晶片上的膜的厚度。

公开(公告)号：CN1230869C

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN02107835.1

申请日：2002-03-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 牛久幸広 ,  有门经敏 ,  佐俣秀一 ,  中尾隆 ,  见方裕一

IPC: H01L21/00

CPC classification number: F04B51/00 ,  F04B49/065 ,  F04D19/04 ,  F04D27/001 ,  G01M13/00

Abstract: 一种用于预测旋转机器的使用寿命预期值的装置包括：负载方案输入模块，其用于获得旋转机器的负载条件；特征输入模块，其用于获得所述旋转机器的特征数据；以及使用寿命预期值预测模块，其根据所述负载条件和所述特征数据计算所述旋转机器的使用寿命。

公开(公告)号：CN1510719A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310123273.7

申请日：2003-12-23

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社东芝

Inventor： 熊野畅 ,  见方裕一

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/266 ,  H01L35/00 ,  G03F1/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F1/20 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/31711 ,  H01J2237/31794

Abstract: 本发明提供一种不产生弯曲或变形的、高精度、高可靠性的掩模，通过具有包括掩模图形部和至少1个pn结的板状体、为上述pn结供给电流的电流供给部，向上述pn结部通电，能够产生珀耳帖效应，控制上述掩模图形部的温度。此外，提供一种在离子注入技术中能够高精度注入离子的(漏印板)掩模。提供一种不需要形成抗蚀图形的、高精度、高可靠性的离子注入方法。采用该掩模，可不需要形成抗蚀图形地形成高可靠性的离子注入区。

公开(公告)号：CN1377056A

公开(公告)日：2002-10-30

申请号：CN02107835.1

申请日：2002-03-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 牛久幸広 ,  有门经敏 ,  佐俣秀一 ,  中尾隆 ,  见方裕一

IPC: H01L21/00

CPC classification number: F04B51/00 ,  F04B49/065 ,  F04D19/04 ,  F04D27/001 ,  G01M13/00

Abstract: 一种用于预测旋转机器的使用寿命预期值的装置包括:负载方案输入模块,其用于获得旋转机器的负载条件;特征输入模块,其用于获得所述旋转机器的特征数据;以及使用寿命预期值预测模块,其根据所述负载条件和所述特征数据计算所述旋转机器的使用寿命。

公开(公告)号：CN1288277C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN02129077.6

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 胜井修二 ,  田中正幸 ,  上村昌己 ,  赤堀浩史 ,  水岛一郎 ,  中尾隆 ,  山本明人 ,  齐田繁彦 ,  纲岛祥隆 ,  见方裕一

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/306

CPC classification number: H04L12/66 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明提供一种干洗系统，包括：自动判定装置，根据包括半导体制造设备的累积膜种类信息、累积膜厚信息、批的到达预料时期信息、批的成膜预定膜厚信息、批的紧急度信息、批的后工序设备信息和附带设备动作信息的信息，按照由计算机决定的算法，对于对半导体晶片进行处理的设备、对处理预定的批最佳的设备、实施干洗的设备和维修附带设备的设备自动地进行判定；决定装置，以上述自动判定装置的自动判定为基础，对上述各个设备，进行对半导体晶片的处理的时期、对预定的批进行处理的时期、实施干洗的时期、维修附带设备的时期的决定；输出装置，按照上述决定装置对上述各个时期的决定，输出上述各个设备的下次的处理内容。

公开(公告)号：CN1194386C

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN02120180.3

申请日：2002-03-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 见方裕一

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01J37/32477 ,  C23C16/24 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，对反应容器进行加热，在反应容器内设置半导体晶片，在反应容器内导入成膜气体，在上述反应容器的内壁或者上述半导体晶片上形成膜，测定反应容器的外部温度变化和上述反应容器的内部温度变化，从上述温度变化之比与膜的厚度的关系来求出上述反应容器的内壁或上述半导体晶片上的膜的厚度。

公开(公告)号：CN1035704C

公开(公告)日：1997-08-20

申请号：CN94106963.X

申请日：1994-05-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 见方裕一

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/463 ,  C23C16/24 ,  C23C16/46

Abstract: 将多个晶片31装进舟皿32，用加热器21加热反应炉22，使晶片31升温。接着，用送风装置20将空气由送风喷管20a输送到加热器21和反应炉22之间，快速冷却加热器21使晶片31以17℃/分的速度降温，只在晶片31的周边部温度比中央部温度变成低30℃期间由第一、第二气体喷管27、28向反应炉22内供应PH3、SiH4。随后在晶片31周边部和中央部的温差不再是30℃时，停止向反应炉22内供应SiH4、PH3，而在晶片31的表面上形成图中未示出的多晶硅膜。