公开(公告)号：CN1270386C

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200310115499.2

申请日：2003-11-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 古畑武夫 ,  水岛一郎 ,  关原章子 ,  岸田基也 ,  原田翼 ,  中尾隆

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/76847 ,  H01L21/76864 ,  H01L27/10867 ,  H01L29/945

Abstract: 本发明的目的是提供一种可靠地与沟槽内的第1导体和第2导体连接，满足高集成化以及细微化要求的半导体器件及其制造方法。解决方案是，半导体器件(100)具备：半导体基板(110)；被形成在半导体基板(110)上的沟槽(135)；被堆积在沟槽(135)内部比较下方的，在上面具有凹坑的第1导体层(150)；埋入第1导体层(135)的凹坑，由比第1导体层(135)熔点还低的导电性材料构成的埋入层(199)；在沟槽(135)内部被设置在埋入层(199)上的，与第1导体层(150)电连接的第2导体层(152)。

公开(公告)号：CN1505157A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310115499.2

申请日：2003-11-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 古畑武夫 ,  水岛一郎 ,  关原章子 ,  岸田基也 ,  原田翼 ,  中尾隆

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/76847 ,  H01L21/76864 ,  H01L27/10867 ,  H01L29/945

Abstract: 本发明的目的是提供一种可靠地与沟槽内的第1导体和第2导体连接，满足高集成化以及细微化要求的半导体器件及其制造方法。解决方案是，半导体器件(100)具备：半导体基板(110)；被形成在半导体基板(110)上的沟槽(135)；被堆积在沟槽(135)内部比较下方的，在上面具有凹坑的第1导体层(150)；埋入第1导体层(135)的凹坑，由比第1导体层(135)熔点还低的导电性材料构成的埋入层(199)；在沟槽(135)内部被设置在埋入层(199)上的，与第1导体层(150)电连接的第2导体层(152)。