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公开(公告)号：CN1880907A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610088540.5
申请日：2006-06-02
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: C23C14/3407
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以用作局部变形少、更换寿命长的背板的冷却板。本发明的背板(冷却板)(1)，通过用盖(3)封闭在本体(2)上形成的槽(5)，从而形成冷却介质流过的流道(6)。其特征是，盖(3)具有比槽(5)的宽度大的宽度，在至少一面(图1中为内侧面)上设有凸部(4)。
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公开(公告)号：CN100501296C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610088540.5
申请日：2006-06-02
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: C23C14/3407
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以用作局部变形少、更换寿命长的背板的冷却板。本发明的背板(冷却板)(1)，通过用盖(3)封闭在本体(2)上形成的槽(5)，从而形成冷却介质流过的流道(6)。其特征是，盖(3)具有比槽(5)的宽度大的宽度，在至少一面(图1中为内侧面)上设有凸部(4)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1066577C
公开(公告)日：2001-05-30
申请号：CN94113503.9
申请日：1994-12-28
IPC: H01L23/427 , F28D15/02 , H05K7/20
CPC classification number: F28D15/0275 , F28F1/32 , F28F2215/04 , H01L23/427 , H01L2924/0002 , H05K7/20936 , H01L2924/00
Abstract: 改进了一种具有多支热管的冷却器，当环境温度很低时可降低所选择的热管的冷凝能力，使冷却器自热管内的工质已冻结的状态下易于启动。该冷却器有一块高导热系数的板块，作为热管蒸发段的热管的一端埋置于其内。热辐射翅片连接到暴露在板块外的热管部分，故热管的暴露部分用作相应的热管的冷凝段。有两类热辐射翅片；第一类翅片连接到所有的热管，而第二类翅片只连接到所选择的热管。
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公开(公告)号：CN102102182A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010584455.4
申请日：2010-12-07
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: C22C9/00 , C23C14/185 , C23C14/3414 , C23C14/564
Abstract: 本发明提供一种溅射靶材，其在通过溅射法形成配线膜的过程中，一边抑制由溅射导致的异常放电，一边可实现高速成膜。溅射靶材由在4N(99.99％)以上的无氧铜中添加了银的铜合金形成。微量添加银，使得所形成膜的电阻率与无氧铜的电阻率等同。银的添加量优选为200～2000ppm的范围。
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公开(公告)号：CN1115498A
公开(公告)日：1996-01-24
申请号：CN94113503.9
申请日：1994-12-28
IPC: H01L23/427 , F28D15/02 , H05K7/20
CPC classification number: F28D15/0275 , F28F1/32 , F28F2215/04 , H01L23/427 , H01L2924/0002 , H05K7/20936 , H01L2924/00
Abstract: 改进了一种具有多支热管的冷却器，当环境温度很低时可降低所选择的热管的冷凝能力，使冷却器自热管内的工质已冻结的状态下易于启动。该冷却器有一块高导热系数的板块，作为热管蒸发段的热管的一端埋置于其内。热辐射翅片连接到暴露在板块外的热管部分，故热管的暴露部分用作相应的热管的冷凝段。有两类热辐射翅片：第一类翅片连接到所有的热管，而第二类翅片只连接到所选择的热管。
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公开(公告)号：CN102816996A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210284852.9
申请日：2009-06-30
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/185
Abstract: 本发明提供一种铜溅射靶材料及溅射法，不用改变成膜条件（成膜中的压力，成膜中使用的气体种类等），就可以减少成膜的铜膜中的拉伸残留应力。本发明涉及的用于TFT的铜膜，其特征在于，具有由铜材构成的溅射面，所述溅射面具有一个晶体取向面和其它晶体取向面，所述一个晶体取向面为（111）面，所述其它晶体取向面包括（200）面、（220）面和（311）面，所述用于TFT的铜膜是使用相对于所述（111）面、所述（200）面、所述（220）面和所述（311）面的总和，所述（111）面的占有率为15%以上的铜溅射靶材料而形成的拉伸残留应力为120N/mm2以下的铜膜。
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公开(公告)号：CN101619444A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910146299.0
申请日：2009-06-30
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/185
Abstract: 本发明提供一种铜溅射靶材料及溅射法，不用改变成膜条件(成膜中的压力，成膜中使用的气体种类等)，就可以减少成膜的铜膜中的拉伸残留应力。本发明中涉及的铜溅射靶材料(10)具有由铜材料构成的溅射面(12)，该溅射面(12)具有一个晶体取向面和其它晶体取向面，该一个晶体取向面通过已加速的规定的惰性气体离子照射放出比从其它晶体取向面弹出的溅射粒子的能量大的溅射粒子，该一个晶体取向面占一个晶体取向面和其它晶体取向面的总和的比例为15％以上。
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