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公开(公告)号：CN102994962A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210089149.2
申请日：2012-03-29
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L23/498 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供圆筒型溅射靶材、使用其的配线基板以及薄膜晶体管。本发明的课题在于实现从圆筒型溅射靶材的外周面侧直至内周面侧的溅射速度的均一化。作为解决本发明课题的方法是，由纯度3N以上的无氧铜形成并具有圆筒形状的圆筒型溅射靶材(20)，从外周面(21)侧向着内周面(22)侧硬度逐渐增加，同时，从外周面(21)侧向着内周面(22)侧(111)面的取向率逐渐增加。
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公开(公告)号：CN102315276A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110152098.9
申请日：2011-06-01
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , C23C14/06 , C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/185 , H01L29/458 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种硅器件结构及其形成时所使用的溅射靶材料，旨在提高硅器件的饱和迁移率特性。一种在硅半导体膜上具有P掺杂n+型非晶硅膜和在该P掺杂n+型非晶硅膜上形成的配线的硅器件结构，所述配线由在所述P掺杂n+型非晶硅膜的表面形成的氧化硅膜和铜合金膜组成，所述铜合金膜是通过溅射含有1原子％以上5原子％以下的Mn以及0.05原子％以上1.0原子％以下的P的铜合金而形成的膜。
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公开(公告)号：CN101728357A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910139400.X
申请日：2009-05-21
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L23/48 , H01L21/768 , G02F1/1345
CPC classification number: H01L21/76841 , H01L21/76867 , H01L27/124
Abstract: 本发明提供一种配线结构和配线结构的制造方法，其不仅能够获得与硅的欧姆接合而且可以抑制元素向硅中扩散。本发明的配线结构(1a)具备硅层(10)、设置于硅层(10)上的由添加有锰(Mn)的铜合金构成的基底层(20)和设置于基底层(20)上的铜层(30)，Mn在包括硅层(10)和基底层(20)的界面的区域富集化从而形成具有导电性的扩散阻挡层(25)。
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公开(公告)号：CN102102182A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010584455.4
申请日：2010-12-07
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: C22C9/00 , C23C14/185 , C23C14/3414 , C23C14/564
Abstract: 本发明提供一种溅射靶材，其在通过溅射法形成配线膜的过程中，一边抑制由溅射导致的异常放电，一边可实现高速成膜。溅射靶材由在4N(99.99％)以上的无氧铜中添加了银的铜合金形成。微量添加银，使得所形成膜的电阻率与无氧铜的电阻率等同。银的添加量优选为200～2000ppm的范围。
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公开(公告)号：CN103094352A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210440979.5
申请日：2012-11-02
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , H01L21/336 , H01L21/283 , G09F9/33 , C23C14/34
Abstract: 在薄膜晶体管(TFT)的配线中使用Cu合金的情况下，在对由硅膜构成的半导体层进行氧化处理时产生TFT的移动度的降低，另外，在使Cu合金与由氧化物半导体膜构成的半导体层接触而进行加热时，存在发生亚阈值系数的增加及阈值电压的负位移，TFT成为正常接通动作的问题。本发明提供薄膜晶体管，其在基板上具备：栅极绝缘膜、Si系半导体层、具有Cu合金层的源/漏电极、以及在所述源电极及漏电极与所述Si系半导体层的界面形成的氧化物膜，其特征在于，所述Cu合金层含有Cu和至少一种添加元素，所述氧化物膜中的氧的原子浓度的深度分布的峰值为40原子％以上且66原子％以下，并且，在将距所述氧的原子浓度的峰值的或距所述源电极及漏电极和所述Si系半导体层的界面的氧的分布成为10原子％的距离定义为所述氧化物膜的膜厚时，所述氧化物膜的膜厚为1.8nm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102994952A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210103592.0
申请日：2012-04-10
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/16 , H01L29/786 , H01L29/45
Abstract: 本发明涉及一种Cu-Mn合金溅射靶材、使用其的薄膜晶体管配线以及薄膜晶体管。本发明的课题在于形成具有高阻挡性的Cu-Mn合金膜。作为解决本发明的方法是，一种在半导体元件的配线的形成中所使用的Cu-Mn合金溅射靶材(10)，其由含有浓度为8原子％以上30原子％以下的Mn和不可避免的杂质的Cu-Mn合金构成，Cu-Mn合金的平均结晶粒径为10μm以上50μm以下。
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公开(公告)号：CN102816996A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210284852.9
申请日：2009-06-30
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/185
Abstract: 本发明提供一种铜溅射靶材料及溅射法，不用改变成膜条件（成膜中的压力，成膜中使用的气体种类等），就可以减少成膜的铜膜中的拉伸残留应力。本发明涉及的用于TFT的铜膜，其特征在于，具有由铜材构成的溅射面，所述溅射面具有一个晶体取向面和其它晶体取向面，所述一个晶体取向面为（111）面，所述其它晶体取向面包括（200）面、（220）面和（311）面，所述用于TFT的铜膜是使用相对于所述（111）面、所述（200）面、所述（220）面和所述（311）面的总和，所述（111）面的占有率为15%以上的铜溅射靶材料而形成的拉伸残留应力为120N/mm2以下的铜膜。
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公开(公告)号：CN101619444A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910146299.0
申请日：2009-06-30
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/185
Abstract: 本发明提供一种铜溅射靶材料及溅射法，不用改变成膜条件(成膜中的压力，成膜中使用的气体种类等)，就可以减少成膜的铜膜中的拉伸残留应力。本发明中涉及的铜溅射靶材料(10)具有由铜材料构成的溅射面(12)，该溅射面(12)具有一个晶体取向面和其它晶体取向面，该一个晶体取向面通过已加速的规定的惰性气体离子照射放出比从其它晶体取向面弹出的溅射粒子的能量大的溅射粒子，该一个晶体取向面占一个晶体取向面和其它晶体取向面的总和的比例为15％以上。
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公开(公告)号：CN101728357B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200910139400.X
申请日：2009-05-21
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L23/48 , H01L21/768 , G02F1/1345
CPC classification number: H01L21/76841 , H01L21/76867 , H01L27/124
Abstract: 本发明提供一种配线结构和配线结构的制造方法，其不仅能够获得与硅的欧姆接合而且可以抑制元素向硅中扩散。本发明的配线结构(1a)具备硅层(10)、设置于硅层(10)上的由添加有锰(Mn)的铜合金构成的基底层(20)和设置于基底层(20)上的铜层(30)，Mn在包括硅层(10)和基底层(20)的界面的区域富集化从而形成具有导电性的扩散阻挡层(25)。
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公开(公告)号：CN103173729A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210570188.4
申请日：2012-12-25
Applicant: 日立电线株式会社
Abstract: 本发明提供溅射用铜靶材以及溅射用铜靶材的制造方法。本发明在获得高成膜速度的同时，在含高熔点金属的膜上形成由低电阻的纯铜构成的溅射膜。本发明的溅射用铜靶材由纯度3N以上的无氧铜形成，溅射面中的（111）面的取向率为13%以上30%以下，溅射面中的（200）面的取向率为10%以上50%以下，平均结晶粒径为0.1mm以上0.2mm以下。
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