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公开(公告)号:CN109678630A
公开(公告)日:2019-04-26
申请号:CN201910021708.8
申请日:2019-01-10
Applicant: 重庆大学
CPC classification number: C06B33/00 , C23C14/185 , C23C14/35 , C23C18/1216
Abstract: Al/NiO片状铝热剂的制备方法,包括:提供片状可剥离金属基底;配置水热合成反应液;执行水热合成反应以在基底上获得前驱体;焙烧前驱体以在基底上形成NiO片层;最后在NiO片层上再磁控溅射纳米铝膜,从而得到片状Al/NiO纳米含能材料复合薄膜。本发明的铝热剂储存、携带方便,生产成本低,环境友好,燃烧放热性能优异。
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公开(公告)号:CN109652779A
公开(公告)日:2019-04-19
申请号:CN201710941541.8
申请日:2017-10-11
Applicant: 比亚迪股份有限公司
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/185 , H04M1/026
Abstract: 本发明涉及电子产品技术领域,公开一种外壳及其镀膜方法和包括该外壳的电子产品。该外壳包括壳体、形成在壳体表面的金属氧化物层以及形成在所述金属氧化物层上的金属层,其中,所述壳体包括玻璃盖板、塑胶框体和金属基材边框,所述玻璃盖板、塑胶框体和金属基材边框一体成型。本发明的外壳外观有较好的一致性和良好的金属质感,且性能优异。
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公开(公告)号:CN109576645A
公开(公告)日:2019-04-05
申请号:CN201910067655.3
申请日:2019-01-24
Applicant: 中国科学院金属研究所
CPC classification number: C25D3/32 , C23C14/185 , C23C14/35 , C23C28/023 , C25D3/54 , C25D5/54 , C25D7/00
Abstract: 本发明公开了一种直流电沉积制备锡铟纳米线的方法,属于电子材料领域。该方法首先以纳米多孔聚碳酸酯膜或阳极氧化铝膜(AAO)为模板,通过磁控溅射的方法在模板底部溅射银种子层,并在通孔底端以铜为底板,然后采用直流电镀方式从种子层底端向通孔内依次填充锡纳米线和铟纳米线。本发明提出的直流电沉积填充方法可以获得组织性能稳定、高导电导热性、可塑性高等特点的锡铟纳米线。锡铟作为传统焊料的主要成分,其纳米形态的材料同样具有低成本、低熔点、良好的焊接能力和机械性能,以及与金属基体优异的润湿性,适用于自组装纳米结构之间的有效连接和互连,实现具有热功能和电功能的有效纳米级互连,为纳米级焊料界面反应研究提供新的方向和思路。
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公开(公告)号:CN109295418A
公开(公告)日:2019-02-01
申请号:CN201811176444.5
申请日:2018-10-10
Applicant: 重庆大学
CPC classification number: C25D11/34 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C14/185 , C23C14/35 , C23C28/322 , C23C28/345
Abstract: 具有极高负载量的高放热量Al/CuO 3D核壳阵列结构铝热剂。该铝热剂的制备方法包括:将制备好的泡沫铜片放入化学清洗液中清洗后得到除去有机物层和氧化层的、外观呈黄铜色的泡沫铜;然后将得到的泡沫铜迅速放在一定浓度的氢氧化钾溶液中阳极氧化获得氢氧化铜阵列。冲洗烘干后,在管式炉内程序升温得到氧化铜三维阵列结构;最后通过磁控溅射沉积方式在氧化铜三维阵列表面沉积Al以形成Al/CuO纳米3D核壳阵列结构铝热剂。与普通Al/CuO铝热剂相比,本发明的铝热剂具有氧化剂/燃料复合均匀、阵列负载密度更高、无裂纹、附着力强、放热性能优良等优点。
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公开(公告)号:CN109115746A
公开(公告)日:2019-01-01
申请号:CN201811040132.1
申请日:2018-09-07
Applicant: 江西师范大学
CPC classification number: G01N21/658 , B81B7/00 , B81B7/04 , B81C1/00349 , B81C1/00373 , C23C14/185 , C23C14/35 , C23C14/5806
Abstract: 本发明涉及纳米材料、激光拉曼、生物传感及化学分析检测等领域,提供了一种表面增强拉曼活性基底及其制造方法。该表面增强拉曼活性基底由双层金膜纳米网状结构组成。制备方法包括初始准备、单层金属纳米网状结构制备、单层金属纳米网状结构剥离、表面增强拉曼活性基底制备等步骤;通过磁控溅射法在载体A上形成单层金属膜,再通过退火处理使之成为单层金属纳米网状结构,然后利用HF气相刻蚀法将单层金属纳米网状结构从载体A上剥离并转移到用同样方法制备覆盖有单层金属纳米网状结构的另一载体B上,最终获得表面增强拉曼活性基底。本发明摒弃了传统的化学合成技术,成本低、简单、易操作、重复性高、可大面积制备、稳定性强、拉曼信号增强显著。
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公开(公告)号:CN108948529A
公开(公告)日:2018-12-07
申请号:CN201810737872.4
申请日:2018-07-06
Applicant: 佛山市高明区爪和新材料科技有限公司
IPC: C08L23/12 , C08L23/06 , C08L91/00 , C08K13/06 , C08K3/04 , C08K9/02 , C08K5/19 , C23C14/18 , C23C14/34
CPC classification number: C08L23/12 , C08K2201/001 , C08K2201/003 , C08K2201/011 , C08L2205/03 , C23C14/185 , C23C14/34 , C08L23/06 , C08L91/00 , C08K13/06 , C08K3/04 , C08K9/02 , C08K3/041 , C08K5/19
Abstract: 本发明涉及一种复合型导电塑料的制备方法,属于复合材料技术领域。本发明中多壁碳纳米管是由几个到几十个单壁同轴卷曲构成,采用溅射成膜技术对碳纳米管的表面进行修饰,制取的膜层平整,膜层和基体的附着力强,且膜层的纯度较高,可控性和重复性好;本发明将镀镍碳纳米管浸泡在碳黑悬浮液中,通过静电吸附制得碳黑‑镀镍碳纳米管导电填料,制备的复合型导电塑料中碳黑的填充量较少,且导电性能好,力学性能也有显著提高;碳黑表面通常带负电性,阴离子型聚合物乳液也很容易获得,将碳纳米管经过阳离子表面活性剂吸附改性,并通过复配非离子表面活性剂调节表面正电性强弱,既能充分分散碳纳米管,又能满足电性要求。
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公开(公告)号:CN108682733A
公开(公告)日:2018-10-19
申请号:CN201810550958.6
申请日:2018-05-31
Applicant: 西安理工大学
CPC classification number: H01L37/04 , C23C14/185 , C23C14/35
Abstract: 本发明公开了一种增强反常能斯特效应的方法,通过提高A0.5(PtxPd1‑x)0.5合金薄膜体系中Pt的含量来增大体系自旋轨道耦合能,从而增强该体系反常能斯特效应;其中,A为铁磁金属元素Fe、Co或者Ni,0≤x≤1。该方法样品为单层铁磁薄膜,结构简单;通过提高铁磁材料的反常能斯特效应,实现热能与电能的高效转换,有助于基于反常能斯特效应的热电器件的研发,具有重要的科学意义及应用价值。
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公开(公告)号:CN108189653A
公开(公告)日:2018-06-22
申请号:CN201711194627.5
申请日:2017-11-24
Applicant: 张家港康得新光电材料有限公司
CPC classification number: B60J1/20 , C23C14/0641 , C23C14/10 , C23C14/165 , C23C14/185 , C23C14/205
Abstract: 本发明提供了一种侧挡窗膜。该侧挡窗膜包括:基材层;第一光学层,设置在基材层上;第二光学层,设置在第一光学层的远离基材层的表面上,且第一光学层和第二光学层的折射率不同;以及抗氧化层,设置在第二光学层的远离第一光学层的表面上。通过在侧挡窗膜中设置第一光学层和第二光学层,且第一光学层和第二光学层的折射率形成匹配作用,保证侧挡窗膜的透光率和反射率;同时,利用两层光学层固有的耐老化能力,推迟侧挡窗膜的老化、变色甚至龟裂的发生,延长侧挡窗膜的使用寿命。此外,在最外侧所设置的抗氧化层有效阻挡空气中的水汽和氧气对第一光学层、第二光学层及基材层的侵蚀,延长侧挡窗膜的使用寿命。
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公开(公告)号:CN108070837A
公开(公告)日:2018-05-25
申请号:CN201711106892.3
申请日:2017-11-10
Applicant: 香港城市大学
CPC classification number: C23C14/185 , C22C1/02 , C22C30/02 , C23C14/06 , C23C14/165 , C23C14/3414 , C23C14/35
Abstract: 本申请涉及金属材料以及用于制造金属材料的方法,其中所述金属材料包括:由多个金属原子构成的超纳晶粒,所述超纳晶粒具有由至少两相构成的晶体结构;其中,所述至少两相包括晶相和非晶相。金属材料具有理论强度的纳米双相玻璃纳米晶结构,此种纳米晶具有的超高强度将使其在高强度MEMS器件、高耐磨涂层及高强度3D打印结构方面有很好应用前景。
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公开(公告)号:CN107974709A
公开(公告)日:2018-05-01
申请号:CN201711201467.2
申请日:2017-11-27
Applicant: 浙江工业大学
CPC classification number: C30B29/04 , C09K11/65 , C23C14/185 , C23C14/35 , C30B25/00
Abstract: 本发明公开了一种锗空位(Ge-V)发光的金刚石颗粒及其制备方法:(1)在石英衬底上采用磁控溅射的方法,制备一系列不同厚度的锗涂层样品;(2)在步骤(1)得到的衬底上采用热丝化学气相沉积的方法制备分散的金刚石颗粒。本发明提供的具有Ge-V发光的金刚石颗粒的尺寸为0.5~3.5μm,对于实现其在单光子源、量子信息处理、光电子器件等领域的应用具有非常重要的科学意义和实际价值。
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