公开(公告)号：CN102102182A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010584455.4

申请日：2010-12-07

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 辰巳宪之 ,  井坂功一 ,  本谷胜利 ,  小田仓正美 ,  外木达也

IPC: C23C14/34 ,  C22C9/00

CPC classification number: C22C9/00 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/564

Abstract: 本发明提供一种溅射靶材，其在通过溅射法形成配线膜的过程中，一边抑制由溅射导致的异常放电，一边可实现高速成膜。溅射靶材由在4N(99.99％)以上的无氧铜中添加了银的铜合金形成。微量添加银，使得所形成膜的电阻率与无氧铜的电阻率等同。银的添加量优选为200～2000ppm的范围。

公开(公告)号：CN102816996A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210284852.9

申请日：2009-06-30

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 外木达也 ,  辰巳宪之 ,  井坂功一 ,  本谷胜利 ,  小田仓正美

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C23C14/185

Abstract: 本发明提供一种铜溅射靶材料及溅射法，不用改变成膜条件（成膜中的压力，成膜中使用的气体种类等），就可以减少成膜的铜膜中的拉伸残留应力。本发明涉及的用于TFT的铜膜，其特征在于，具有由铜材构成的溅射面，所述溅射面具有一个晶体取向面和其它晶体取向面，所述一个晶体取向面为（111）面，所述其它晶体取向面包括（200）面、（220）面和（311）面，所述用于TFT的铜膜是使用相对于所述（111）面、所述（200）面、所述（220）面和所述（311）面的总和，所述（111）面的占有率为15%以上的铜溅射靶材料而形成的拉伸残留应力为120N/mm2以下的铜膜。

公开(公告)号：CN101619444A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200910146299.0

申请日：2009-06-30

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 外木达也 ,  辰巳宪之 ,  井坂功一 ,  本谷胜利 ,  小田仓正美

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C23C14/185

Abstract: 本发明提供一种铜溅射靶材料及溅射法，不用改变成膜条件(成膜中的压力，成膜中使用的气体种类等)，就可以减少成膜的铜膜中的拉伸残留应力。本发明中涉及的铜溅射靶材料(10)具有由铜材料构成的溅射面(12)，该溅射面(12)具有一个晶体取向面和其它晶体取向面，该一个晶体取向面通过已加速的规定的惰性气体离子照射放出比从其它晶体取向面弹出的溅射粒子的能量大的溅射粒子，该一个晶体取向面占一个晶体取向面和其它晶体取向面的总和的比例为15％以上。