公开(公告)号：CN101162679B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200710180290.2

申请日：2007-10-11

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 山下贵敏 ,  池尻忠司 ,  田中浩平 ,  赵维江 ,  田中秀之

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

Abstract: 一种构成离子注入机的分析电磁石，它具有第一内线圈、第二内线圈、三个第一外线圈、三个第二外线圈和轭。内线圈是马鞍形线圈，相互合作以产生在X方向上弯曲离子束的主磁场。每一个外线圈是马鞍形线圈，其产生校正主磁场的次磁场。每一个线圈具有凹槽部分位于扇形圆柱形叠层线圈中的结构，所述叠层线圈配置如下：在迭片绝缘体的外围表面上缠绕绝缘片和导体片的迭片多匝；以及在外围表面上形成迭片绝缘体。

公开(公告)号：CN101162679A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710180290.2

申请日：2007-10-11

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 山下贵敏 ,  池尻忠司 ,  田中浩平 ,  赵维江 ,  田中秀之

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

Abstract: 一种构成离子注入机的分析电磁石，它具有第一内线圈、第二内线圈、三个第一外线圈、三个第二外线圈和轭。内线圈是马鞍形线圈，相互合作以产生在X方向上弯曲离子束的主磁场。每一个外线圈是马鞍形线圈，其产生校正主磁场的次磁场。每一个线圈具有凹槽部分位于扇形圆柱形叠层线圈中的结构，所述叠层线圈配置如下：在迭片绝缘体的外围表面上缠绕绝缘片和导体片的迭片多匝；以及在外围表面上形成迭片绝缘体。

公开(公告)号：CN118571737A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202311022677.0

申请日：2023-08-14

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 平井裕也 ,  赵维江

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/08

Abstract: 本发明提供离子束引出用电极、离子源和引出电极系统，能够抑制堆积物向引出电极系统的堆积，并且能够消除伴随于此的各种问题。离子束引出用电极具备：第一构件，形成有供离子束通过的离子束通过孔(20h)；第二构件，与第一构件对置配置，并且形成有离子束通过孔(20h)；加热器(50)，至少一部分配置在第一构件与第二构件之间；以及气体阻断构件(60)，阻断气体从离子束通过孔(20h)流动到第一构件与第二构件之间。

公开(公告)号：CN119069327A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202410296076.7

申请日：2024-03-15

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 平井裕也 ,  赵维江 ,  大村俊辅 ,  中西昭仁 ,  佐藤琢己

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/08

Abstract: 本发明提供离子注入装置以及离子注入方法，对装置各部分的控制进行优化，对晶片以所希望的角度高精度地实现离子注入处理。离子注入装置(IM)具备：角度测量器(11、12、60、70、80)，在与离子束(IB)的行进方向相互正交的第一方向和第二方向上测量离子束(IB)的角度；角度修正器(7)，配置在射束线上，根据角度测量器的测量结果，修正第一方向上的离子束的角度；晶片保持装置(9)，在处理室(8)保持晶片(W)；倾斜机构(L)，与晶片保持装置(9)连结，使晶片(W)绕与第一方向平行的旋转轴旋转；控制装置(C2)，根据第二方向上的离子束的角度信息(V)、晶片(W)的晶轴信息(M)和注入配方信息(R)，控制倾斜机构(L)。

公开(公告)号：CN115692144A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210791252.5

申请日：2022-07-05

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 平井裕也 ,  赵维江 ,  糸井骏 ,  岩波悠太

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明涉及氢供给装置及具备其的离子束照射装置，尤其涉及一种能够以简单的构成来实现呈稳定的氢供给的氢供给装置。一种氢供给装置(H)，被配置于高电位，且具备：于内部具有储氢合金的瓶子(7)。

公开(公告)号：CN119340266A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410824473.7

申请日：2024-06-25

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 村山乔之 ,  平井裕也 ,  赵维江

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供晶片固定方法和半导体制造装置，能够减少晶片脱离时产生的应力释放导致的不利情况的发生。利用具备机械夹具(M)和静电吸盘(E)并且在半导体制造装置中使用的晶片固定工具(F)，在晶片(W)的处理温度为比室温高的第一基准温度(T1)以上时，仅使用机械夹具(M)固定晶片(W)。另外，半导体制造装置(IM)具备：晶片固定工具(F)，并用机械夹具(M)和静电吸盘(E)固定晶片(W)；以及控制装置(C)，控制晶片(W)的固定，控制装置(C)在晶片(W)的处理温度为比室温高的第一基准温度(T1)以上时仅使用机械夹具(M)固定晶片(W)。

公开(公告)号：CN305523786S

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201930411808.2

申请日：2019-07-31

Applicant: 日新离子机器株式会社

Designer： 平井裕也 ,  赵维江 ,  谷口智哉 ,  足立昌和

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：溅射靶。
2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作溅射靶。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。