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公开(公告)号：CN119069327A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410296076.7
申请日：2024-03-15
Applicant: 日新离子机器株式会社
Abstract: 本发明提供离子注入装置以及离子注入方法，对装置各部分的控制进行优化，对晶片以所希望的角度高精度地实现离子注入处理。离子注入装置(IM)具备：角度测量器(11、12、60、70、80)，在与离子束(IB)的行进方向相互正交的第一方向和第二方向上测量离子束(IB)的角度；角度修正器(7)，配置在射束线上，根据角度测量器的测量结果，修正第一方向上的离子束的角度；晶片保持装置(9)，在处理室(8)保持晶片(W)；倾斜机构(L)，与晶片保持装置(9)连结，使晶片(W)绕与第一方向平行的旋转轴旋转；控制装置(C2)，根据第二方向上的离子束的角度信息(V)、晶片(W)的晶轴信息(M)和注入配方信息(R)，控制倾斜机构(L)。
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