公开(公告)号：CN117293069A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202211579625.9

申请日：2022-12-09

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 糸井骏 ,  王建 ,  村山乔之 ,  大村俊辅 ,  井上真辅

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供基板输送方法和基板处理装置，能有效降低从基板保护膜释放的气体对基板输送的影响，实现更稳定的基板输送。在基板处理装置(A)中，至少根据处理室(1)中的基板处理时间，变更从预真空室(2)至静电吸盘(E)为止的基板输送时间。基板处理装置(A)包括：所述静电吸盘(E)，具有将滞留于基板支撑面(S)的气体向外部排出的气体排出通道(G)；所述处理室(1)，对支撑于静电吸盘(E)的基板(W)实施处理；以及所述预真空室(2)，通过将内部的气氛从大气变更为真空，从而能够向处理室(1)输送基板(W)。

公开(公告)号：CN119069327A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202410296076.7

申请日：2024-03-15

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 平井裕也 ,  赵维江 ,  大村俊辅 ,  中西昭仁 ,  佐藤琢己

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/08

Abstract: 本发明提供离子注入装置以及离子注入方法，对装置各部分的控制进行优化，对晶片以所希望的角度高精度地实现离子注入处理。离子注入装置(IM)具备：角度测量器(11、12、60、70、80)，在与离子束(IB)的行进方向相互正交的第一方向和第二方向上测量离子束(IB)的角度；角度修正器(7)，配置在射束线上，根据角度测量器的测量结果，修正第一方向上的离子束的角度；晶片保持装置(9)，在处理室(8)保持晶片(W)；倾斜机构(L)，与晶片保持装置(9)连结，使晶片(W)绕与第一方向平行的旋转轴旋转；控制装置(C2)，根据第二方向上的离子束的角度信息(V)、晶片(W)的晶轴信息(M)和注入配方信息(R)，控制倾斜机构(L)。