离子源及其清洁方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111640639B

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN201911265284.6

    申请日:2019-12-11

    Abstract: 本发明提供一种离子源及其清洁方法,该离子源在宽范围内向电极表面照射离子束来除去电极上的沉积物。一种离子源(1),向配置在等离子体容器(2)下游的抑制电极(3)照射由清洁气体生成的离子束(IB)来清洁抑制电极(3),其中,离子源(1)具有驱动机构(5),该驱动机构(5)调整等离子体容器(2)与抑制电极(3)之间的距离,离子源(1)包括控制装置(C),该控制装置(C)在进行清洁之前,控制驱动机构(5)而使抑制电极(3)或等离子体容器(2)向第一方向移动,扩大等离子体容器(2)与抑制电极(3)之间的距离。

    离子源及其清洁方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111640639A

    公开(公告)日:2020-09-08

    申请号:CN201911265284.6

    申请日:2019-12-11

    Abstract: 本发明提供一种离子源及其清洁方法,该离子源在宽范围内向电极表面照射离子束来除去电极上的沉积物。一种离子源(1),向配置在等离子体容器(2)下游的抑制电极(3)照射由清洁气体生成的离子束(IB)来清洁抑制电极(3),其中,离子源(1)具有驱动机构(5),该驱动机构(5)调整等离子体容器(2)与抑制电极(3)之间的距离,离子源(1)包括控制装置(C),该控制装置(C)在进行清洁之前,控制驱动机构(5)而使抑制电极(3)或等离子体容器(2)向第一方向移动,扩大等离子体容器(2)与抑制电极(3)之间的距离。

    溅射靶
    3.
    外观设计

    公开(公告)号:CN305523786S

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201930411808.2

    申请日:2019-07-31

    Abstract: 1.本外观设计产品的名称:溅射靶。
    2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品用作溅射靶。
    3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。
    4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。

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