-
公开(公告)号：CN116705577A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202211453722.3
申请日：2022-11-21
Applicant: 日新离子机器株式会社
Abstract: 本发明提供一种阴极支承件及离子源，改善进行灯丝与阴极之间的间隔调整时的作业性。阴极支承件具备：筒状或棒状的阴极支架(1)，在一端支承阴极(6)，在另一端具有凸缘部(2)；及夹持件(3、4、5)，支承阴极支架(1、61)，夹持件(3、4、5)在阴极支架(1、61)的轴向上具有第一调整面(31、41、51)和第二调整面(32、42、52)，通过使阴极支架(1、61)绕阴极支架(1、61)的轴旋转且在阴极支架(1、61)的轴向上移动，能够实现凸缘部(2)从第一调整面(31、41、51)向第二调整面(32、42、52)的配置。
-
公开(公告)号：CN115692144A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210791252.5
申请日：2022-07-05
Applicant: 日新离子机器株式会社
IPC: H01J37/08 , H01J37/30 , H01J37/317
Abstract: 本发明涉及氢供给装置及具备其的离子束照射装置，尤其涉及一种能够以简单的构成来实现呈稳定的氢供给的氢供给装置。一种氢供给装置(H)，被配置于高电位，且具备：于内部具有储氢合金的瓶子(7)。
-
公开(公告)号：CN108735648B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201810035985.X
申请日：2018-01-15
Applicant: 日新离子机器株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种静电吸盘，该静电吸盘具有在处理带有肋的晶片方面最适合的接地销配置。静电吸盘(E)支承在外周部具有环状的肋(R)的带有肋的晶片(W)，该静电吸盘(E)包括与晶片(W)接触的接地销(P)，接地销(P)与肋(R)接触。
-
公开(公告)号：CN108933076B
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201810035138.3
申请日：2018-01-15
Applicant: 日新离子机器株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够实现装置尺寸的小型化和抑制永磁铁升温两者的等离子体源。等离子体源(1)包括：室(2)，在内部生成等离子体；一对镜像磁铁(m1、m2)，在室(2)的周围沿第一方向(Z)配置；以及勾形磁铁(c)，配置在一对镜像磁铁(m1、m2)之间，勾形磁铁(c)由多个永磁铁(P)构成，所述多个永磁铁(P)在与第一方向(Z)垂直的面内在室(2)的周围隔开间隙(S)配置，所述永磁铁(P)的室一侧的极性与相邻配置的所述永磁铁(P)的极性交替不同，各镜像磁铁(m1、m2)由多个永磁铁(P)构成，所述多个永磁铁(P)在与第一方向(Z)垂直的面内，以室一侧的极性为同极性的方式在室(2)的周围隔开间隙(S)配置，各镜像磁铁(m1、m2)的室一侧的极性不同。
-
公开(公告)号：CN109119314A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810036200.0
申请日：2018-01-15
Applicant: 日新离子机器株式会社
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种离子或电子的引出效率高的等离子体源。等离子体源(1)包括：室(11)，具有用于将在内侧生成的离子或电子向外辐射的开口部(11a)；气体导入部(31)，向室(11)内导入气体；真空连接器(14)，设置在周壁(111)的与开口部(11a)相对的位置上；天线(15)，基端部(15a)与真空连接器(14)连接，在室(11)内朝向开口部(11a)延伸；第一绝缘体部(21)，覆盖天线(15)的位于室(11)内的前端部(15b)一侧的第一部位(P1)；第二绝缘体部(13)，覆盖天线(15)的位于室(11)内的基端部(15a)一侧的第二部位(P2)；以及导体部(16)，覆盖第二绝缘体部(13)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108735647A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810035305.4
申请日：2018-01-15
Applicant: 日新离子机器株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种静电吸盘，能够遍及晶片支承面的大范围地形成槽，并且能够稳定地支承晶片。静电吸盘(E)具有晶片支承面，在支承面(S)上形成有多个槽(G、G1、G2)，槽之间相互连通。
-
公开(公告)号：CN117293069A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202211579625.9
申请日：2022-12-09
Applicant: 日新离子机器株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供基板输送方法和基板处理装置，能有效降低从基板保护膜释放的气体对基板输送的影响，实现更稳定的基板输送。在基板处理装置(A)中，至少根据处理室(1)中的基板处理时间，变更从预真空室(2)至静电吸盘(E)为止的基板输送时间。基板处理装置(A)包括：所述静电吸盘(E)，具有将滞留于基板支撑面(S)的气体向外部排出的气体排出通道(G)；所述处理室(1)，对支撑于静电吸盘(E)的基板(W)实施处理；以及所述预真空室(2)，通过将内部的气氛从大气变更为真空，从而能够向处理室(1)输送基板(W)。
-
公开(公告)号：CN109119314B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810036200.0
申请日：2018-01-15
Applicant: 日新离子机器株式会社
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种离子或电子的引出效率高的等离子体源。等离子体源(1)包括：室(11)，具有用于将在内侧生成的离子或电子向外辐射的开口部(11a)；气体导入部(31)，向室(11)内导入气体；真空连接器(14)，设置在周壁(111)的与开口部(11a)相对的位置上；天线(15)，基端部(15a)与真空连接器(14)连接，在室(11)内朝向开口部(11a)延伸；第一绝缘体部(21)，覆盖天线(15)的位于室(11)内的前端部(15b)一侧的第一部位(P1)；第二绝缘体部(13)，覆盖天线(15)的位于室(11)内的基端部(15a)一侧的第二部位(P2)；以及导体部(16)，覆盖第二绝缘体部(13)。
-
公开(公告)号：CN108933076A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810035138.3
申请日：2018-01-15
Applicant: 日新离子机器株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够实现装置尺寸的小型化和抑制永磁铁升温两者的等离子体源。等离子体源(1)包括：室(2)，在内部生成等离子体；一对镜像磁铁(m1、m2)，在室(2)的周围沿第一方向(Z)配置；以及勾形磁铁(c)，配置在一对镜像磁铁(m1、m2)之间，勾形磁铁(c)由多个永磁铁(P)构成，所述多个永磁铁(P)在与第一方向(Z)垂直的面内在室(2)的周围隔开间隙(S)配置，所述永磁铁(P)的室一侧的极性与相邻配置的所述永磁铁(P)的极性交替不同，各镜像磁铁(m1、m2)由多个永磁铁(P)构成，所述多个永磁铁(P)在与第一方向(Z)垂直的面内，以室一侧的极性为同极性的方式在室(2)的周围隔开间隙(S)配置，各镜像磁铁(m1、m2)的室一侧的极性不同。
-
公开(公告)号：CN108735648A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810035985.X
申请日：2018-01-15
Applicant: 日新离子机器株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种静电吸盘，该静电吸盘具有在处理带有肋的晶片方面最适合的接地销配置。静电吸盘(E)支承在外周部具有环状的肋(R)的带有肋的晶片(W)，该静电吸盘(E)包括与晶片(W)接触的接地销(P)，接地销(P)与肋(R)接触。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.036 seconds)
