公开(公告)号：CN119340266A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410824473.7

申请日：2024-06-25

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 村山乔之 ,  平井裕也 ,  赵维江

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供晶片固定方法和半导体制造装置，能够减少晶片脱离时产生的应力释放导致的不利情况的发生。利用具备机械夹具(M)和静电吸盘(E)并且在半导体制造装置中使用的晶片固定工具(F)，在晶片(W)的处理温度为比室温高的第一基准温度(T1)以上时，仅使用机械夹具(M)固定晶片(W)。另外，半导体制造装置(IM)具备：晶片固定工具(F)，并用机械夹具(M)和静电吸盘(E)固定晶片(W)；以及控制装置(C)，控制晶片(W)的固定，控制装置(C)在晶片(W)的处理温度为比室温高的第一基准温度(T1)以上时仅使用机械夹具(M)固定晶片(W)。

公开(公告)号：CN117293069A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202211579625.9

申请日：2022-12-09

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 糸井骏 ,  王建 ,  村山乔之 ,  大村俊辅 ,  井上真辅

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供基板输送方法和基板处理装置，能有效降低从基板保护膜释放的气体对基板输送的影响，实现更稳定的基板输送。在基板处理装置(A)中，至少根据处理室(1)中的基板处理时间，变更从预真空室(2)至静电吸盘(E)为止的基板输送时间。基板处理装置(A)包括：所述静电吸盘(E)，具有将滞留于基板支撑面(S)的气体向外部排出的气体排出通道(G)；所述处理室(1)，对支撑于静电吸盘(E)的基板(W)实施处理；以及所述预真空室(2)，通过将内部的气氛从大气变更为真空，从而能够向处理室(1)输送基板(W)。