-
公开(公告)号：CN116705577A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202211453722.3
申请日：2022-11-21
Applicant: 日新离子机器株式会社
Abstract: 本发明提供一种阴极支承件及离子源，改善进行灯丝与阴极之间的间隔调整时的作业性。阴极支承件具备：筒状或棒状的阴极支架(1)，在一端支承阴极(6)，在另一端具有凸缘部(2)；及夹持件(3、4、5)，支承阴极支架(1、61)，夹持件(3、4、5)在阴极支架(1、61)的轴向上具有第一调整面(31、41、51)和第二调整面(32、42、52)，通过使阴极支架(1、61)绕阴极支架(1、61)的轴旋转且在阴极支架(1、61)的轴向上移动，能够实现凸缘部(2)从第一调整面(31、41、51)向第二调整面(32、42、52)的配置。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108022856A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201710456969.3
申请日：2017-06-16
Applicant: 日新离子机器株式会社
Inventor： 足立昌和
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供加热装置和半导体制造装置，能提高加热效率并缩短升温时间，从而实现向加热器投入能量的低电耗化。所述加热装置(20)包括：移送机构(M)，具有支承基板(W)的支承部(1)，在加热位置(HP)和非加热位置(NH)之间移送基板(W)；加热器(4)，在加热位置(HP)上对基板(W)的一个面进行加热；以及热反射板(2)，和基板(W)的另一个面相对、设置在移送机构(M)中，热反射板(2)覆盖基板(W)的另一个面。
-
公开(公告)号：CN108022857A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201710461434.5
申请日：2017-06-16
Applicant: 日新离子机器株式会社
Inventor： 足立昌和
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67213 , H01L21/67248 , H01L21/67703 , H01L21/683 , H01L21/68707
Abstract: 本发明提供加热装置和半导体制造装置，能提高加热效率并缩短升温时间，从而实现向加热器投入能量的低电耗化。所述加热装置(20)包括：移送构件(10)，在加热位置(HP)和非加热位置(NH)之间移送基板(W)；设在移送构件(10)上、支承基板(W)的支承构件(1)；设在加热位置(HP)上、对基板(W)的一个面加热的加热器(4)；以及和基板(W)的另一个面相对、安装在移送构件(10)上的热反射板(2)。
-
公开(公告)号：CN111640639B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201911265284.6
申请日：2019-12-11
Applicant: 日新离子机器株式会社
Abstract: 本发明提供一种离子源及其清洁方法，该离子源在宽范围内向电极表面照射离子束来除去电极上的沉积物。一种离子源(1)，向配置在等离子体容器(2)下游的抑制电极(3)照射由清洁气体生成的离子束(IB)来清洁抑制电极(3)，其中，离子源(1)具有驱动机构(5)，该驱动机构(5)调整等离子体容器(2)与抑制电极(3)之间的距离，离子源(1)包括控制装置(C)，该控制装置(C)在进行清洁之前，控制驱动机构(5)而使抑制电极(3)或等离子体容器(2)向第一方向移动，扩大等离子体容器(2)与抑制电极(3)之间的距离。
-
公开(公告)号：CN111640639A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201911265284.6
申请日：2019-12-11
Applicant: 日新离子机器株式会社
Abstract: 本发明提供一种离子源及其清洁方法，该离子源在宽范围内向电极表面照射离子束来除去电极上的沉积物。一种离子源(1)，向配置在等离子体容器(2)下游的抑制电极(3)照射由清洁气体生成的离子束(IB)来清洁抑制电极(3)，其中，离子源(1)具有驱动机构(5)，该驱动机构(5)调整等离子体容器(2)与抑制电极(3)之间的距离，离子源(1)包括控制装置(C)，该控制装置(C)在进行清洁之前，控制驱动机构(5)而使抑制电极(3)或等离子体容器(2)向第一方向移动，扩大等离子体容器(2)与抑制电极(3)之间的距离。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.033 seconds)
