公开(公告)号：CN102870203B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201080065821.3

申请日：2010-12-17

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： K·马瓦塔里 ,  K·奥亚 ,  Y·尤米达 ,  J·A·韦斯特

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种集成电路器件（100），其包括具有顶面的衬底（110），该顶面包括衬底焊盘（112）；以及包括半导体衬底（105）的贯穿衬底通孔（115）芯片，半导体衬底（105）包括具有有源电路的顶部半导体表面（106）和底表面（106）。顶部半导体表面（107）包括在衬底顶表面上耦合到衬底焊盘的结合连接器（109）。多个贯穿衬底通孔（TSV）包括从顶侧半导体表面延伸到凸出TSV尖端（121）的内部金属芯（125），该TSV尖端（121）从底表面向外延伸。多个TSV的至少一个是伪TSV（120），伪TSV（120）具有其凸出TSV尖端，该凸出TSV尖端没有到其上的任何电气连接，并且提供另外表面积从而增强从TSV芯片的底侧散热。

公开(公告)号：CN102870203A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201080065821.3

申请日：2010-12-17

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： K·马瓦塔里 ,  K·奥亚 ,  Y·尤米达 ,  J·A·韦斯特

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种集成电路器件（100），其包括具有顶面的衬底（110），该顶面包括衬底焊盘（112）；以及包括半导体衬底（105）的贯穿衬底通孔（115）芯片，半导体衬底（105）包括具有有源电路的顶部半导体表面（106）和底表面（106）。顶部半导体表面（107）包括在衬底顶表面上耦合到衬底焊盘的结合连接器（109）。多个贯穿衬底通孔（TSV）包括从顶侧半导体表面延伸到凸出TSV尖端（121）的内部金属芯（125），该TSV尖端（121）从底表面向外延伸。多个TSV的至少一个是伪TSV（120），伪TSV（120）具有其凸出TSV尖端，该凸出TSV尖端没有到其上的任何电气连接，并且提供另外表面积从而增强从TSV芯片的底侧散热。