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公开(公告)号：CN1212665C
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN02108304.5
申请日：2002-03-28
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/60
Abstract: 一种电子器件的制备方法，包括下述步骤：(a)制备(001)取向的ReO3层；以及(b)在ReO3层上形成具有钙钛矿结构的(001)取向的氧化物铁电层。优选地，步骤(a)包括下述步骤：(a-1)制备(001)取向的MgO层；以及(a-2)在MgO层上形成(001)取向的ReO3层。提供了一种能够获得具有高极化程度的铁电层的电子器件及其制备方法。
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公开(公告)号：CN1414636A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN02108304.5
申请日：2002-03-28
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/60
Abstract: 一种电子器件的制备方法，包括下述步骤：(a)制备(001)取向的ReO3层；以及(b)在ReO3层上形成具有钙钛矿结构的(001)取向的氧化物铁电层。优选地，步骤(a)包括下述步骤：(a－1)制备(001)取向的MgO层；以及(a－2)在MgO层上形成(001)取向的ReO3层。提供了一种能够获得具有高极化程度的铁电层的电子器件及其制备方法。
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公开(公告)号：CN100470807C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN03822300.7
申请日：2003-01-17
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 仓泽正树
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 一种铁电电容器，其包含：下部电极层、下部电极层上的铁电体层以及铁电体层上的上部电极层，其中在下部电极层上形成铁电体，使得铁电体具有主取向轴，并且，下部电极层具有多层结构，下部电极的这些层越接近铁电体层，则铁电体的构成元素或由构成元素构成的化合物对下部电极的扩散系数越大。通过有机金属汽相沉积法形成铁电体层，并且在形成该铁电体层时加热衬底；使含有铁电体层的构成元素中至少一种的有机金属原料通过，从而在下部电极上形成铁电体层的同时，使下部电极的与铁电体层相接的第一层的构成元素与铁电体层的构成元素形成为合金或化合物。由此获得了结构形态良好并且铁电体具有主取向轴的铁电电容器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100420024C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN03825629.0
申请日：2003-06-06
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/04
CPC classification number: H01L27/11507 , H01L27/11502
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，该制造方法在制造具有用强电介质电容器的存储器的半导体器件的场合，既能通过控制强电介质膜的取向性维持该强电介质膜的良好的强电介质特性，又能使该强电介质膜的膜中杂质和膜中的结晶缺陷减少的半导体器件。因此由形成第1强电介质层的第1成膜工序和在上述第1强电介质层的上面形成第2强电介质层的第2成膜工序组成，上述第1成膜工序中的成膜温度大于等于600℃。
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公开(公告)号：CN100376015C
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200380103011.2
申请日：2003-11-05
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 一种具有包含铁电薄膜的电容结构的半导体器件，其通过如下方法形成：在具有适合于生长具有平面(111)的铁电单晶薄膜层的表面的单晶衬底10上，形成：包含Pb且具有与该衬底表面平行的平面(111)的铁电单晶薄膜12’(或包含Pb且取向与平行于该衬底表面的平面(111)平行的铁电多晶薄膜)、以及半导体器件的部分电路16，以由此制备具有所述包含Pb的铁电薄膜和所述半导体器件的部分电路的单晶衬底10；以及将所述单晶衬底10接合到已经预先形成有该半导体器件的另一电路的另一衬底上，以便将此两个电路连接。由此获得的半导体器件中的电容包括具有大极化电荷量的铁电薄膜。该半导体器件可以用作高可靠性的非易失性存储器。
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公开(公告)号：CN1714453A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN03825629.0
申请日：2003-06-06
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/04
CPC classification number: H01L27/11507 , H01L27/11502
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，该制造方法在制造具有用强电介质电容器的存储器的半导体器件的场合，既能通过控制强电介质膜的取向性维持该强电介质膜的良好的强电介质特性，又能使该强电介质膜的膜中杂质和膜中的结晶缺陷减少的半导体器件。因此由形成第1强电介质层的第1成膜工序和在上述第1强电介质层的上面形成第2强电介质层的第2成膜工序组成，上述第1成膜工序中的成膜温度大于等于600℃。
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公开(公告)号：CN1711624A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200380103011.2
申请日：2003-11-05
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 一种具有包含铁电薄膜的电容结构的半导体器件，其通过如下方法形成：在具有适合于生长具有平面(111)的铁电单晶薄膜层的表面的单晶衬底10上，形成：包含Pb且具有与该衬底表面平行的平面(111)的铁电单晶薄膜12’(或包含Pb且取向与平行于该衬底表面的平面(111)平行的铁电多晶薄膜)、以及半导体器件的部分电路16，以由此制备具有所述包含Pb的铁电薄膜和所述半导体器件的部分电路的单晶衬底10；以及将所述单晶衬底10接合到已经预先形成有该半导体器件的另一电路的另一衬底上，以便将此两个电路连接。由此获得的半导体器件中的电容包括具有大极化电荷量的铁电薄膜。该半导体器件可以用作高可靠性的非易失性存储器。
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公开(公告)号：CN1682371A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03822300.7
申请日：2003-01-17
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 仓泽正树
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 一种铁电电容器，其包含：下部电极层、下部电极层上的铁电层以及铁电层上的上部电极层，其中在下部电极层上形成铁电体，使得铁电体具有主取向轴，并且，下部电极层具有多层结构，下部电极的这些层越接近铁电层，则铁电体的构成元素或由构成元素构成的化合物对下部电极的扩散系数越大。通过有机金属汽相沉积法形成铁电层，并且在形成该铁电层时加热衬底；使含有铁电层的构成元素中至少一种的有机金属原料通过，从而在下部电极上形成铁电层的同时，使下部电极的与铁电层相接的第一层的构成元素与铁电层的构成元素形成为合金或化合物。由此获得了结构形态良好并且铁电体具有主取向轴的铁电电容器。
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