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公开(公告)号：CN1212665C
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN02108304.5
申请日：2002-03-28
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/60
Abstract: 一种电子器件的制备方法，包括下述步骤：(a)制备(001)取向的ReO3层；以及(b)在ReO3层上形成具有钙钛矿结构的(001)取向的氧化物铁电层。优选地，步骤(a)包括下述步骤：(a-1)制备(001)取向的MgO层；以及(a-2)在MgO层上形成(001)取向的ReO3层。提供了一种能够获得具有高极化程度的铁电层的电子器件及其制备方法。
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公开(公告)号：CN1711624A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200380103011.2
申请日：2003-11-05
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 一种具有包含铁电薄膜的电容结构的半导体器件，其通过如下方法形成：在具有适合于生长具有平面(111)的铁电单晶薄膜层的表面的单晶衬底10上，形成：包含Pb且具有与该衬底表面平行的平面(111)的铁电单晶薄膜12’(或包含Pb且取向与平行于该衬底表面的平面(111)平行的铁电多晶薄膜)、以及半导体器件的部分电路16，以由此制备具有所述包含Pb的铁电薄膜和所述半导体器件的部分电路的单晶衬底10；以及将所述单晶衬底10接合到已经预先形成有该半导体器件的另一电路的另一衬底上，以便将此两个电路连接。由此获得的半导体器件中的电容包括具有大极化电荷量的铁电薄膜。该半导体器件可以用作高可靠性的非易失性存储器。
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公开(公告)号：CN1416173A
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN02116117.8
申请日：2002-04-19
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/56
Abstract: 本发明涉及一种铁电电容器和半导体器件，所述铁电电容器(30)包括：下电极(33)；在下电极(33)上形成并具有钙钛矿型结构的铁电膜(34)；以及在铁电膜(34)上形成的上电极(35)。铁电膜(34)包括：具有第一晶系的第一铁电膜部分(34A、34C)，它沿与下电极(33)和上电极(35)中至少一个的至少一个界面上形成；以及具有第二晶系的第二铁电膜部分(34B)，第二晶系不同于第一晶系。
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公开(公告)号：CN1204625C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN02116117.8
申请日：2002-04-19
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/56
Abstract: 本发明涉及一种铁电电容器和半导体器件，所述铁电电容器(30)包括：下电极(33)；在下电极(33)上形成并具有钙钛矿型结构的铁电膜(34)；以及在铁电膜(34)上形成的上电极(35)。铁电膜(34)包括：具有第一晶系的第一铁电膜部分(34A、34C)，它沿与下电极(33)和上电极(35)中至少一个的至少一个界面上形成；以及具有第二晶系的第二铁电膜部分(34B)，第二晶系不同于第一晶系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100376015C
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200380103011.2
申请日：2003-11-05
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 一种具有包含铁电薄膜的电容结构的半导体器件，其通过如下方法形成：在具有适合于生长具有平面(111)的铁电单晶薄膜层的表面的单晶衬底10上，形成：包含Pb且具有与该衬底表面平行的平面(111)的铁电单晶薄膜12’(或包含Pb且取向与平行于该衬底表面的平面(111)平行的铁电多晶薄膜)、以及半导体器件的部分电路16，以由此制备具有所述包含Pb的铁电薄膜和所述半导体器件的部分电路的单晶衬底10；以及将所述单晶衬底10接合到已经预先形成有该半导体器件的另一电路的另一衬底上，以便将此两个电路连接。由此获得的半导体器件中的电容包括具有大极化电荷量的铁电薄膜。该半导体器件可以用作高可靠性的非易失性存储器。
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公开(公告)号：CN101000930A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200710001689.X
申请日：2007-01-12
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L27/115 , H01L21/329 , H01L21/8247 , G11C11/22 , G11C16/02 , G11C16/10 , G11C16/26
CPC classification number: G11C11/22 , H01L27/11585 , H01L27/1159 , H01L29/40111 , H01L29/78391
Abstract: 本发明涉及用于非易失性半导体存储装置等的半导体元件及其制造方法、使用该半导体元件的半导体存储装置及其数据写入、数据读出和制造方法。本发明的目的是提供一种能够实现单元的尺寸减小和集成化、数据存储特性优异、能够降低功耗的半导体元件及其制造方法、使用该半导体元件的半导体存储装置及其数据写入、数据读出和制造方法。作为该半导体元件，具有铁电栅极的pn结二极管GD包括：栅极，形成在铁电膜上；反型层形成区，其中根据铁电膜的极化方向在铁电膜下方的半导体衬底中形成反型层；阴极区，形成在反型层形成区两侧中的一侧；以及阳极区，形成在反型层形成区两侧中的另一侧。
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公开(公告)号：CN100550042C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200480044239.3
申请日：2004-10-15
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 丸山研二
CPC classification number: B65G1/1371 , B65G1/137 , G06K17/00 , G06K19/0723 , G06Q30/06
Abstract: 本发明涉及将通过计算机可读取的识别代码附加到现实物品上的无线射频识别标签，特别提供一种在物品移动的路径中的多个点可连续取得数据的无线射频识别标签。提供一种无线射频识别标签，可结合以及分离，其中，在被分离时，一方包括物品识别标签单元，另一方包括物品信息管理标签单元，上述物品识别标签单元具有物品识别代码、发送上述物品识别代码的发送装置，上述物品信息管理标签单元具有：连续取得附加有上述无线射频识别标签的物品的物品关联信息的装置；从上述物品识别标签单元接收上述物品识别代码的接收装置；检测处上述物品信息管理标签单元和上述物品识别标签单元的结合状态的结合状态检测装置；在上述物品信息管理标签单元和上述物品识别标签单元相接触时，存储上述物品识别代码及上述物品关联信息的存储装置。
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公开(公告)号：CN101044495A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200480044239.3
申请日：2004-10-15
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 丸山研二
CPC classification number: B65G1/1371 , B65G1/137 , G06K17/00 , G06K19/0723 , G06Q30/06
Abstract: 本发明涉及将通过计算机可读取的识别代码附加到现实物品上的无线射频识别标签，特别提供一种在物品移动的路径中的多个点可连续取得数据的无线射频识别标签。提供一种无线射频识别标签，可结合以及分离，其中，在被分离时，一方包括物品识别标签单元，另一方包括物品信息管理标签单元，上述物品识别标签单元具有物品识别代码、发送上述物品识别代码的发送装置，上述物品信息管理标签单元具有：连续取得附加有上述无线射频识别标签的物品的物品关联信息的装置；从上述物品识别标签单元接收上述物品识别代码的接收装置；检测处于上述物品信息管理标签单元和上述物品识别标签单元的结合状态的结合状态检测装置；在上述物品信息管理标签单元和上述物品识别标签单元相接触时，存储上述物品识别代码及上述物品关联信息的存储装置。
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公开(公告)号：CN1414636A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN02108304.5
申请日：2002-03-28
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/60
Abstract: 一种电子器件的制备方法，包括下述步骤：(a)制备(001)取向的ReO3层；以及(b)在ReO3层上形成具有钙钛矿结构的(001)取向的氧化物铁电层。优选地，步骤(a)包括下述步骤：(a－1)制备(001)取向的MgO层；以及(a－2)在MgO层上形成(001)取向的ReO3层。提供了一种能够获得具有高极化程度的铁电层的电子器件及其制备方法。
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