公开(公告)号：CN104204998A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201280071914.6

申请日：2012-03-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 福田裕幸 ,  远藤浩史 ,  小川雅俊 ,  梅宫茂良 ,  近藤正雄

IPC: G06F1/20 ,  F24F3/14 ,  F24F11/02 ,  H05K7/20

CPC classification number: H05K7/20736 ,  F24F2011/0006 ,  G06F1/20 ,  G06F2200/201 ,  H05K7/20745 ,  H05K7/20818 ,  H05K7/20836

Abstract: 在模块化数据中心及其控制方法中提高数据中心的空调效率。该模块化数据中心的特征在于，具备壳体(21)，其具备第1吸气口(21a)、第2吸气口(21b)以及排气口(21c)；空调机(31)，其被设置于壳体(21)内，从第1吸气口(21a)吸入外部空气(A)，并且使该外部空气(A)直接与制冷剂(W)接触来生成第1空气流(B1)；风扇单元(38)，其被设置于壳体(21)内，从上述第2吸气口(21b)吸入外部空气(A)来生成第2空气流(B2)；以及电子设备(44)，其被设置于壳体(21)内，并被暴露于第1空气流(B1)与上述第2空气流(B1)的混合气流(C)中，且将包含该混合气流(C)的排气流(E)排放至排气口(21c)，各个第1吸气口(21a)和第2吸气口(21b)被设置在壳体(21)的相同的表面(21y)。

公开(公告)号：CN104272215A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201280072054.8

申请日：2012-03-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 近藤正雄 ,  远藤浩史 ,  梅宫茂良 ,  有冈孝祐 ,  福田裕幸

IPC: G06F1/20 ,  F24F3/14 ,  F24F11/02 ,  H05K7/20

CPC classification number: H05K7/20736 ,  C09K5/041 ,  G06F1/20 ,  H05K7/1497 ,  H05K7/20745 ,  H05K7/20836

Abstract: 本发明提供一种提高数据中心的空调效率的模块化数据中心及其控制方法。模块化数据中心具备：箱体(21)，其具备第1进气口(21a)、第2进气口(21b)以及排气口(21c)；空调机(31)，其设于箱体(21)内，从第1进气口(21a)引进外部空气(A)，并且使外部空气(A)与制冷剂(W)直接接触来生成第1气流(B1)；风扇单元(38)，其设于箱体(21)内，从第2进气口(21b)引进外部空气(A)来生成第2气流(B2)；以及电子设备(44)，其设于箱体(21)内，通过第1气流(B1)与第2气流(B1)的混合气流(C)来进行气冷，并且将气冷后的排气流(E)在排气口(21c)释放，第1进气口(21a)与第2进气口(21b)分别设于箱体(21)的不同的面(21x、21y)。

公开(公告)号：CN1714453A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN03825629.0

申请日：2003-06-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 堀井义正 ,  中林正明 ,  仓泽正树 ,  中村亘 ,  高井一章 ,  能代英之 ,  梅宫茂良

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L27/11502

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，该制造方法在制造具有用强电介质电容器的存储器的半导体器件的场合，既能通过控制强电介质膜的取向性维持该强电介质膜的良好的强电介质特性，又能使该强电介质膜的膜中杂质和膜中的结晶缺陷减少的半导体器件。因此由形成第1强电介质层的第1成膜工序和在上述第1强电介质层的上面形成第2强电介质层的第2成膜工序组成，上述第1成膜工序中的成膜温度大于等于600℃。

公开(公告)号：CN104272215B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201280072054.8

申请日：2012-03-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 近藤正雄 ,  远藤浩史 ,  梅宫茂良 ,  有冈孝祐 ,  福田裕幸

IPC: G06F1/20 ,  H05K7/14 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明提供一种提高数据中心的空调效率的模块化数据中心及其控制方法。模块化数据中心具备：箱体(21)，其具备第1进气口(21a)、第2进气口(21b)以及排气口(21c)；空调机(31)，其设于箱体(21)内，从第1进气口(21a)引进外部空气(A)，并且使外部空气(A)与制冷剂(W)直接接触来生成第1气流(B1)；风扇单元(38)，其设于箱体(21)内，从第2进气口(21b)引进外部空气(A)来生成第2气流(B2)；以及电子设备(44)，其设于箱体(21)内，通过第1气流(B1)与第2气流(B1)的混合气流(C)来进行气冷，并且将气冷后的排气流(E)在排气口(21c)释放，第1进气口(21a)与第2进气口(21b)分别设于箱体(21)的不同的面(21x、21y)。

公开(公告)号：CN103959925A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201180075184.2

申请日：2011-12-01

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 近藤正雄 ,  福田裕幸 ,  梅宫茂良 ,  远藤浩史

IPC: H05K7/20 ,  G06F1/20

CPC classification number: H05K7/20736 ,  G06F1/206 ,  G06F2200/201 ,  H05K7/20818 ,  H05K7/20836 ,  Y02D10/16

Abstract: 本发明提供电子设备用机柜以及信息处理装置，即使每个机柜的发热量达到30kW或者30kW以上也能够高效地冷却电子设备。电子设备用机柜(10)具有包围第一空间的多个板(10a、10b、10c、…)。另外，电子设备用机柜(10)具有：配置在第一空间内且收纳电子设备(15)的电子设备收纳部(11)；配置在第一空间内且从电子设备收纳部(11)相隔开的位置的热交换器(12)；设置于电子设备收纳部(11)与热交换器(12)之间且与第一空间内的其他空间分离的第二空间(21)；以及使第一空间内的空气按电子设备收纳部(11)、第二空间(21)以及热交换器(12)的顺序循环的送风机(13)。

公开(公告)号：CN100420024C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN03825629.0

申请日：2003-06-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 堀井义正 ,  中林正明 ,  仓泽正树 ,  中村亘 ,  高井一章 ,  能代英之 ,  梅宫茂良

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L27/11502

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，该制造方法在制造具有用强电介质电容器的存储器的半导体器件的场合，既能通过控制强电介质膜的取向性维持该强电介质膜的良好的强电介质特性，又能使该强电介质膜的膜中杂质和膜中的结晶缺陷减少的半导体器件。因此由形成第1强电介质层的第1成膜工序和在上述第1强电介质层的上面形成第2强电介质层的第2成膜工序组成，上述第1成膜工序中的成膜温度大于等于600℃。