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公开(公告)号：CN104220955B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201280072093.8
申请日：2012-04-02
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H05K7/20836 , F24F2001/0048 , G06F1/206 , H05K7/1497 , H05K7/20736 , H05K7/20745 , Y02D10/16
Abstract: 提供能够精密地控制暖气的循环量的模块型数据中心。模块型数据中心具有：壳体30，其具备吸气口31a以及排气口31b；机架33，其收纳有电子设备33a；以及送风机32，其经由吸气口31a向壳体30内导入外部空气，并使空气从机架33的一面侧向另一面侧流通。另外，在排气口31b侧配置有具备变化为打开状态或者关闭状态的多个遮挡板51、和独立地驱动这些遮挡板的驱动装置的遮挡板单元36。并且，壳体30内的空间分离为机架33与吸气口31a之间的第一空间41、42、机架33与排气口31b之间的第二空间43、以及配置在机架33的上方并联络第二空间43与第一空间41、42之间的第三空间44。
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公开(公告)号：CN1779507A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510059026.4
申请日：2005-03-24
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G02F1/313 , G02F2203/06
Abstract: 本发明涉及一种光波导的芯层被生长为由具有斜方六面体结构的电光材料组成并且在主面上具有(100)晶体取向的基板上方生长的薄膜。本发明的一个目的在于提供一种利用电光效应以容易并稳妥地实现高速驱动的光元件，其具有极为简单的结构并且没有例如光学损耗的任何特性降低，并且能够实现进一步缩小尺寸；本发明还提供一种应用该光元件的光转换器。该光元件包括：基板；及至少一层电光效应薄膜，形成在该基板上方并且具有电光效应，该电光效应薄膜具有至少一个偏振轴，并且所有偏振轴对于入射光的TE模式分量相同，而且对于入射光的TM模式分量相同。该光转换器包括：光波导，多个输入通道，第一光偏转器，多个输出通道，以及第二光偏转器。
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公开(公告)号：CN104204998A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201280071914.6
申请日：2012-03-29
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H05K7/20736 , F24F2011/0006 , G06F1/20 , G06F2200/201 , H05K7/20745 , H05K7/20818 , H05K7/20836
Abstract: 在模块化数据中心及其控制方法中提高数据中心的空调效率。该模块化数据中心的特征在于，具备壳体(21)，其具备第1吸气口(21a)、第2吸气口(21b)以及排气口(21c)；空调机(31)，其被设置于壳体(21)内，从第1吸气口(21a)吸入外部空气(A)，并且使该外部空气(A)直接与制冷剂(W)接触来生成第1空气流(B1)；风扇单元(38)，其被设置于壳体(21)内，从上述第2吸气口(21b)吸入外部空气(A)来生成第2空气流(B2)；以及电子设备(44)，其被设置于壳体(21)内，并被暴露于第1空气流(B1)与上述第2空气流(B1)的混合气流(C)中，且将包含该混合气流(C)的排气流(E)排放至排气口(21c)，各个第1吸气口(21a)和第2吸气口(21b)被设置在壳体(21)的相同的表面(21y)。
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公开(公告)号：CN1574357A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410047968.6
申请日：2004-06-09
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/00 , H01L21/316 , C01G1/00
CPC classification number: C30B29/22 , C30B23/02 , H01L21/31641 , H01L21/31691 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/318 , H01L41/319 , H03H9/02574
Abstract: 通过在半导体基片上进行外延生长并且保持整合性，提供了一种极化作用增强的多层膜结构。这种多层膜结构包括以氧化锆为主要成分的薄层、具有简单钙钛矿结构的薄层和中间层，所述以氧化锆为主要成分的薄层使外延生长得以进行，所述具有简单钙钛矿结构的薄层的(001)面相对于所述以氧化锆为主要成分的薄层呈45°的面内旋转，并进行外延生长，所述中间层位于所述以氧化锆为主要成分的薄层和所述具有简单钙钛矿结构的薄层之间。
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公开(公告)号：CN1414636A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN02108304.5
申请日：2002-03-28
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/60
Abstract: 一种电子器件的制备方法，包括下述步骤：(a)制备(001)取向的ReO3层；以及(b)在ReO3层上形成具有钙钛矿结构的(001)取向的氧化物铁电层。优选地，步骤(a)包括下述步骤：(a－1)制备(001)取向的MgO层；以及(a－2)在MgO层上形成(001)取向的ReO3层。提供了一种能够获得具有高极化程度的铁电层的电子器件及其制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104603699B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201280075578.2
申请日：2012-09-04
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G06F1/206 , G01K13/02 , G06F11/3051 , H05K7/20136 , H05K7/207 , H05K7/20836 , Y02D10/16
Abstract: 本发明提供一种能够抑制积分饱和所引起的控制性能的降低，并能够高效地冷却计算机等的电子设备的温度管理系统。温度管理系统具有温度检测部(32)，其分别检测发热量根据运转状态而变化的多个电气设备的温度；冷却装置(12)，其对电气设备进行冷却；以及控制部(30)，其根据温度检测部(32)的输出来控制冷却装置(12)。控制部(30)具有空转状态判定部(44)，其判定电子设备是否是空转状态；操作量运算部(40)，其具备积分器(50)，并根据目标值与控制量的差值来运算操作量，以及积蓄值修正部(45)，其在空转状态判定部(44)判定为空转状态时将积分器(50)的积蓄值修正为规定的值。
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公开(公告)号：CN104220955A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201280072093.8
申请日：2012-04-02
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H05K7/20836 , F24F2001/0048 , G06F1/206 , H05K7/1497 , H05K7/20736 , H05K7/20745 , Y02D10/16
Abstract: 提供能够精密地控制暖气的循环量的模块型数据中心。模块型数据中心具有：壳体30，其具备吸气口31a以及排气口31b；机架33，其收纳有电子设备33a；以及送风机32，其经由吸气口31a向壳体30内导入外部空气，并使空气从机架33的一面侧向另一面侧流通。另外，在排气口31b侧配置有具备变化为打开状态或者关闭状态的多个遮挡板51、和独立地驱动这些遮挡板的驱动装置的遮挡板单元36。并且，壳体30内的空间分离为机架33与吸气口31a之间的第一空间41、42、机架33与排气口31b之间的第二空间43、以及配置在机架33的上方并联络第二空间43与第一空间41、42之间的第三空间44。
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公开(公告)号：CN1766683A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510059025.X
申请日：2005-03-24
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G02F1/313 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , G02B6/3546 , G02F2202/32
Abstract: 一种光偏转元件被成形以包括：设置在光波导上的棱镜电极；第一光子晶体结构，在光传播方向上棱镜电极的前方、在光通过棱镜电极之后的位置上设置；控制电极，经由第一光子晶体结构上的光波导而面对对电极层设置；以及第二光子晶体结构，平行于光传播方向在棱镜电极的侧向设置。
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公开(公告)号：CN1212665C
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN02108304.5
申请日：2002-03-28
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/60
Abstract: 一种电子器件的制备方法，包括下述步骤：(a)制备(001)取向的ReO3层；以及(b)在ReO3层上形成具有钙钛矿结构的(001)取向的氧化物铁电层。优选地，步骤(a)包括下述步骤：(a-1)制备(001)取向的MgO层；以及(a-2)在MgO层上形成(001)取向的ReO3层。提供了一种能够获得具有高极化程度的铁电层的电子器件及其制备方法。
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