公开(公告)号：CN101536188A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200680056260.4

申请日：2006-11-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉田亲子 ,  能代英之 ,  饭塚隆

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

Abstract: 一种电阻存储元件，其记忆高电阻状态和低电阻状态，通过施加电压来切换高电阻状态和低电阻状态，该电阻存储元件具有：电极层(14)，其由氮化钛膜构成；电阻存储层(16)，其形成在电极层(14)上，而且由具有金红石相的结晶结构的氧化钛膜构成；电极层(18)，其形成在电阻存储层(16)上。由此，能够实现切换速度快且切换电流小的电阻存储元件。另外，通过利用这样的电阻存储元件，能够构成写入速度快且消耗功率少的非易失性半导体存储装置。

公开(公告)号：CN101536188B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200680056260.4

申请日：2006-11-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉田亲子 ,  能代英之 ,  饭塚隆

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

Abstract: 一种电阻存储元件，其记忆高电阻状态和低电阻状态，通过施加电压来切换高电阻状态和低电阻状态，该电阻存储元件具有：电极层(14)，其由氮化钛膜构成；电阻存储层(16)，其形成在电极层(14)上，而且由具有金红石相的结晶结构的氧化钛膜构成；电极层(18)，其形成在电阻存储层(16)上。由此，能够实现切换速度快且切换电流小的电阻存储元件。另外，通过利用这样的电阻存储元件，能够构成写入速度快且消耗功率少的非易失性半导体存储装置。

公开(公告)号：CN100334736C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200410059367.7

申请日：2004-06-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 松浦克好 ,  能代英之 ,  土手晓

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/822 ,  H01L21/31 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/76801 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65

Abstract: 形成第一层间绝缘膜，然后在其上形成SiO2覆盖膜，并通过进行热处理去除第一层间绝缘膜和SiO2覆盖膜中的湿气。然后，在SiO2覆盖膜上形成Al2O3膜。随后，在氧化气氛中在Al2O3膜上进行热处理，从而加速其表面的氧化。然后，在Al2O3膜上，形成并图形化铂膜、PLZT膜和IrO2膜，从而形成包括上电极、容量绝缘膜和下电极的铁电电容器。

公开(公告)号：CN1714453A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN03825629.0

申请日：2003-06-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 堀井义正 ,  中林正明 ,  仓泽正树 ,  中村亘 ,  高井一章 ,  能代英之 ,  梅宫茂良

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L27/11502

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，该制造方法在制造具有用强电介质电容器的存储器的半导体器件的场合，既能通过控制强电介质膜的取向性维持该强电介质膜的良好的强电介质特性，又能使该强电介质膜的膜中杂质和膜中的结晶缺陷减少的半导体器件。因此由形成第1强电介质层的第1成膜工序和在上述第1强电介质层的上面形成第2强电介质层的第2成膜工序组成，上述第1成膜工序中的成膜温度大于等于600℃。

公开(公告)号：CN1649156A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410059367.7

申请日：2004-06-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 松浦克好 ,  能代英之 ,  土手晓

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/822 ,  H01L21/31 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/76801 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65

Abstract: 形成第一层间绝缘膜，然后在其上形成SiO2覆盖膜，并通过进行热处理去除第一层间绝缘膜和SiO2覆盖膜中的湿气。然后，在SiO2覆盖膜上形成Al2O3膜。随后，在氧化气氛中在Al2O3膜上进行热处理，从而加速其表面的氧化。然后，在Al2O3膜上，形成并图形化铂膜、PLZT膜和IrO2膜，从而形成包括上电极、容量绝缘膜和下电极的铁电电容器。

公开(公告)号：CN100420024C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN03825629.0

申请日：2003-06-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 堀井义正 ,  中林正明 ,  仓泽正树 ,  中村亘 ,  高井一章 ,  能代英之 ,  梅宫茂良

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L27/11502

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，该制造方法在制造具有用强电介质电容器的存储器的半导体器件的场合，既能通过控制强电介质膜的取向性维持该强电介质膜的良好的强电介质特性，又能使该强电介质膜的膜中杂质和膜中的结晶缺陷减少的半导体器件。因此由形成第1强电介质层的第1成膜工序和在上述第1强电介质层的上面形成第2强电介质层的第2成膜工序组成，上述第1成膜工序中的成膜温度大于等于600℃。

公开(公告)号：CN101093795A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710126300.4

申请日：2004-06-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 松浦克好 ,  能代英之 ,  土手晓

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/76801 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法。所述制造方法包括以下步骤：在半导体基底上形成层间绝缘膜；平面化层间绝缘膜的表面；在层间绝缘膜上形成氧化铝膜；在氧化气氛中加热氧化铝膜；以及在氧化铝膜上形成铁电电容器。通过本发明的制造方法，可以防止过量的铝存在于氧化铝膜的表面上，从而改进了在氧化铝膜上形成的铂膜的结晶化，使得半导体器件具有高可靠性。