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公开(公告)号：CN119877091A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411175188.3
申请日：2024-08-26
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及分子束外延技术领域，公开了一种降低背景掺杂的分子束外延装置及其使用方法，分子束外延装置包括内部设置有源炉和衬底台的外延室腔体，源炉蒸发出的分子束流包括射向衬底台的有效束流和不经过衬底台的无效束流，其中，还包括低温管，低温管的两端暴露在外延室腔体之外，低温管在外延室腔体内的部分盘旋缠绕成遮挡无效束流的弯管。本申请提供分子束外延装置中，通过在外延室腔体内密封设置盘旋缠绕的低温管，外延时可通过低温吸附源炉溢出的未沉积在衬底台上的分子束流，有效降低装置内的背景杂质浓度，减少污染，帮助稳定外延室腔体内的真空度，有利于提高外延质量并便于清洗外延室腔体。
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公开(公告)号：CN115595553B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202211407075.2
申请日：2022-11-10
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及光电领域，本申请公开一种复合金刚石保护膜及其制备方法和芯片基材，包括以下步骤：将基材放置于金刚石纳米粉的无水乙醇悬浊液中进行超声处理；将处理后的所述基材放置在微波等离子体化学气相沉积系统的样品台上，进行等离子体清洗；在所述基材表面生长金刚石过渡层；生长高致密度的纳米晶金刚石层；生长高取向（100）微米晶金刚石层；对所述基材表面进行等离子体清洗；停止通入氩气，降低氢气流量、气压、微波功率，降温速率低于每秒钟1℃，破真空后取出具有所述复合金刚石保护膜的所述基材。所述复合金刚石保护膜为具有高激光损伤阈值的保护膜，可大幅度提升基材的抗激光损伤阈值。
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公开(公告)号：CN117904584A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410112954.5
申请日：2024-01-26
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供了一种脉冲激光沉积设备及其使用方法，涉及薄膜制备技术领域。通过在放置台和沉积台之间设置加热线圈，靶材的溅射物会向上飞出穿过加热线圈，溅射物中的大颗粒会受到重力作用向下跌落，还有部分杂质跟随溅射物继续向上，在穿过加热线圈时，这些杂质会被加热线圈进行加热离化形成等离子体，达到过滤杂质的作用以及避免了等离子体的浪费，同时提高了总的等离子体密度，从而提高薄膜的沉积效果，最后，待沉积工件表面的沉积物几乎为等离子体，减少了杂质污染的可能性；另外，由于杂质在加热线圈中被加热离化形成等离子体，这部分等离子体到待沉积工件的表面距离比较短，能够增加待沉积工件表面的等离子体密度，从而有利于提高沉积效率。
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公开(公告)号：CN112501586A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011140464.4
申请日：2020-10-22
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/448 , C23C16/505 , C23C16/511 , C23C16/08 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开一种高纯度金属薄膜的制备方法及制备装置和半导体芯片，其中，包括以下步骤：将金属颗粒或粉状物置于真空室内；通入高纯卤族气体与金属颗粒或粉状物在常温下进行反应；对反应得到的卤化金属气体进行吸附过滤；利用卤化金属气体与杂质的沸点差别进行精馏提纯；将提纯后的卤化金属气体与高纯氢气分别通入等离子体增强化学气相沉积镀膜设备腔室内，在半导体衬底上沉积金属薄膜。本发明方法过程简单，成本低，对原材料的纯度要求低，获得原材料容易，同时可有效提高难熔金属薄膜的纯度。
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公开(公告)号：CN119900079A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510395229.8
申请日：2025-03-31
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/12 , C30B23/06 , C30B25/10 , C30B25/16 , C23C14/50 , C23C14/54 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01S5/183 , G01N23/20 , G01N21/63 , G01B11/06 , G01B15/02
Abstract: 本申请属于分子束外延设备领域，公开了一种分子束外延设备及垂直腔面激光器生长方法，通过在同一托盘上同时生长正式产品和测试结构，并使用遮挡装置控制测试结构的生长，解决了现有技术中需要单独生长测试结构或复杂处理正式产品的问题，具有节省时间和源料、提高生长参数控制精度、便于问题定位的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118070563A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410464299.X
申请日：2024-04-17
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域，公开了一种变形几何激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取表面设置有镀层模型的相变材料模型，设置镀层模型的第一材料参数和相变材料模型的第二材料参数，根据激光烧蚀过程的传热特征和几何结构变形特征，设置固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场，基于第一材料参数、第二材料参数、固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场，对表面设置有镀层模型的相变材料模型进行激光烧蚀模拟，得到激光烧蚀模拟分析结果，通过固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场，对激光烧蚀过程进行模拟，提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。
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公开(公告)号：CN117070917A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311166005.7
申请日：2023-09-11
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/27 , C23C16/48 , C23C16/511 , C23C16/52
Abstract: 本申请属于光电技术领域，公开了一种掺杂金刚石制备方法，该方法包括：将基材和靶材放置在微波等离子体化学气相沉积系统中反应室的样品台上，反应室进行抽真空操作后，对基材的表面和靶材的表面进行清洗，向反应室输入氢气以及调节反应室的腔体气压和微波功率，以在反应室进行起辉操作和升温操作，以甲烷气体和氢气作为气源，用激光器照射靶材以析出激光诱导等离子体，并使激光诱导等离子体掺入基材表面，以使基材表面生长掺杂金刚石，通过激光技术，使靶材析出的激光诱导等离子体掺入基材表面，以使基材表面制备得到掺杂金刚石，提高了掺杂金刚石制备的效率。
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公开(公告)号：CN115595553A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211407075.2
申请日：2022-11-10
Applicant: 季华实验室(CN)
Abstract: 本申请涉及光电领域，本申请公开一种复合金刚石保护膜及其制备方法和芯片基材，包括以下步骤：将基材放置于金刚石纳米粉的无水乙醇悬浊液中进行超声处理；将处理后的所述基材放置在微波等离子体化学气相沉积系统的样品台上，进行等离子体清洗；在所述基材表面生长金刚石过渡层；生长高致密度的纳米晶金刚石层；生长高取向（100）微米晶金刚石层；对所述基材表面进行等离子体清洗；停止通入氩气，降低氢气流量、气压、微波功率，降温速率低于每秒钟1℃，破真空后取出具有所述复合金刚石保护膜的所述基材。所述复合金刚石保护膜为具有高激光损伤阈值的保护膜，可大幅度提升基材的抗激光损伤阈值。
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公开(公告)号：CN115386856A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211279601.1
申请日：2022-10-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种金刚石薄膜电容及其制造方法、真空计及其制造方法，属于真空计领域，金刚石薄膜电容制造方法包括以下步骤：在两片衬底的正面沉积金刚石；其中一片衬底直接沉积得到第一部件，另一片衬底用金属环包围外沿后沉积得到第二部件；取下金属环，并去除第一部件和第二部件背面的衬底；在第二部件一面的中央和第一部件背面的中央沉积金属层；在金属层上焊上导线，且在第一部件或在第二部件上开设导线通孔；将第一部件和第二部件金属层相对且不接触地盖合；在第二部件朝上的状态下沉积金刚石，得到高精度、耐腐蚀的金刚石薄膜电容，用于真空计中可以有效降低弹性后效和弹性滞后引起的测量精度不高的问题。
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公开(公告)号：CN114935976A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210711264.2
申请日：2022-06-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及屏幕显示技术领域，具体提供了一种分区显示方法、系统、电子设备及存储介质，应用在分区显示系统中，分区显示系统包括视觉相机和显示屏，视觉相机用于生成采集显示屏前的图像信息，分区显示方法包括以下步骤：根据图像信息获取任一人眼的第一人眼尺寸信息；根据第一人眼尺寸信息获取人眼到显示屏的第一距离信息；根据图像信息获取第一人眼尺寸信息对应人眼的第一偏移信息和瞳孔在该人眼中的第二偏移信息；根据第一距离信息、第一偏移信息和第二偏移信息获取对应人眼在显示屏上的注视区域；控制显示屏在注视区域内显示高刷新率画面信息；该分区显示方法使显示屏能够同时实现高刷新率显示和降低功耗。
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