公开(公告)号：CN118086847A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410254849.5

申请日：2024-03-06

Applicant: 季华实验室

Inventor： 刘镭 ,  郭远军 ,  武帅 ,  杨振怀 ,  张川东 ,  刘宏 ,  胡琅 ,  胡强

IPC: C23C14/35

Abstract: 本申请属于磁控溅射粉末镀膜的技术领域，公开了一种粉末镀膜装置及其镀膜方法，该镀膜方法包括：响应于工作人员输入的启动指令，粉末镀膜装置驱动转台围绕转台的中心进行转动、驱动斜向样品台围绕斜向样品台的中心进行自转以及驱动磁控靶溅射镀膜原材料，以使镀膜原材料均匀地附着在斜向样品台内流动的粉末的表面，预设周期后，粉末镀膜装置驱动所有部件停止运行，得到表面镀膜均匀的粉末，通过粉末镀膜装置及对应的镀膜方法，对粉末进行镀膜，提高了粉末镀膜的效率。

公开(公告)号：CN117904584A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202410112954.5

申请日：2024-01-26

Applicant: 季华实验室

Inventor： 武帅 ,  郭可升 ,  刘镭 ,  何斌 ,  刘宏 ,  李昕

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/54

Abstract: 本申请提供了一种脉冲激光沉积设备及其使用方法，涉及薄膜制备技术领域。通过在放置台和沉积台之间设置加热线圈，靶材的溅射物会向上飞出穿过加热线圈，溅射物中的大颗粒会受到重力作用向下跌落，还有部分杂质跟随溅射物继续向上，在穿过加热线圈时，这些杂质会被加热线圈进行加热离化形成等离子体，达到过滤杂质的作用以及避免了等离子体的浪费，同时提高了总的等离子体密度，从而提高薄膜的沉积效果，最后，待沉积工件表面的沉积物几乎为等离子体，减少了杂质污染的可能性；另外，由于杂质在加热线圈中被加热离化形成等离子体，这部分等离子体到待沉积工件的表面距离比较短，能够增加待沉积工件表面的等离子体密度，从而有利于提高沉积效率。

公开(公告)号：CN117779032A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202410025252.3

申请日：2024-01-08

Applicant: 季华实验室

Inventor： 武帅 ,  郭可升 ,  郑森杰 ,  刘宏 ,  肖永能 ,  胡强 ,  徐平

IPC: C23C28/04 ,  C23C14/02 ,  C23C14/32 ,  C23C14/06 ,  C23C16/27 ,  C23C16/511

Abstract: 本发明公开了一种高结合性耐高温复合涂层及其制备方法，属于表面薄膜制备技术领域，方法步骤包括：对基体材料进行微加工刻蚀，以在基体材料表面形成周期性图案，进行喷砂处理，在基体材料表面溅射形成四面体非晶碳过渡层薄膜，继续化学气相沉积出金刚石保护膜，从而在基体材料表面获得高结合性耐高温复合涂层，该方法可以提高金刚石在基体材料上的形核率，增加金刚石保护膜和基体材料之间的结合力，四面体非晶碳薄膜可以贴合不同材料，如金属、塑料、无机非金属等，又不会出现沉积时严重的应力问题，将四面体非晶碳作为基体材料的过渡层可以增加金刚石在基体材料上的稳定性，在高温情况下有效保护基体材料的抗氧化以及抗腐蚀等性能。

公开(公告)号：CN117488283A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311504264.6

申请日：2023-11-13

Applicant: 季华实验室

Inventor： 郭可升 ,  武帅 ,  郑森杰 ,  吴进 ,  杨振怀 ,  刘宏

IPC: C23C16/511 ,  C23C16/27 ,  C23C16/02

Abstract: 本申请涉及光电领域，公开了一种异质外延生长高导热防护金刚石薄膜及其制备方法，包括以下步骤：将基片放置在脉冲激光沉积系统的样品台上，将靶材放置在靶托，在基片表面脉冲激光沉积保护层；将沉积后的基片放置在微波等离子体化学气相沉积系统的样品台上，通入氢气和氩气，对保护层表面进行等离子体清洗；停止通入氩气，通入甲烷气体和氧气气体，在保护层表面生长金刚石；停止通入甲烷和氧气，降低氢气流量、气压、微波功率，降温速率低于每秒钟1℃，破真空后取出具有高导热防护金刚石薄膜的基片。通过脉冲激光沉积的保护层对所保护的基片的损伤非常低，并且在保护层成功的异质外延生长金刚石层，可以大幅降低金刚石和基片间直接的界面热阻。