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公开(公告)号：CN119877091A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411175188.3
申请日：2024-08-26
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及分子束外延技术领域，公开了一种降低背景掺杂的分子束外延装置及其使用方法，分子束外延装置包括内部设置有源炉和衬底台的外延室腔体，源炉蒸发出的分子束流包括射向衬底台的有效束流和不经过衬底台的无效束流，其中，还包括低温管，低温管的两端暴露在外延室腔体之外，低温管在外延室腔体内的部分盘旋缠绕成遮挡无效束流的弯管。本申请提供分子束外延装置中，通过在外延室腔体内密封设置盘旋缠绕的低温管，外延时可通过低温吸附源炉溢出的未沉积在衬底台上的分子束流，有效降低装置内的背景杂质浓度，减少污染，帮助稳定外延室腔体内的真空度，有利于提高外延质量并便于清洗外延室腔体。
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公开(公告)号：CN114878494B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202210718458.5
申请日：2022-06-23
Applicant: 季华实验室
IPC: G01N21/31
Abstract: 本申请涉及属于分子束外延技术领域，公开了一种原位监测坩埚中的源材料含量的装置及方法，该装置包括基架、测量杆、激光接收器和激光发射器，所述测量杆穿过所述基架，所述测量杆和所述基架滑动连接，所述测量杆的一端设置有所述激光接收器或所述激光发射器；所述激光发射器用于发射激光到坩埚内，所述测量杆用于通过调节其滑动位置使所述激光接收器能够接收从坩埚内反射出的激光，所述激光接收器用于在接收到从所述坩埚内反射出的激光后产生电反馈信号。本发明结构简单，能实现对坩埚内源材料的原位监测，节约时间，提高工作效率。
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公开(公告)号：CN116956635A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311060860.X
申请日：2023-08-22
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G06T17/20 , G06F30/10 , G06F111/04 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本申请属于分子束外延坩埚应力分析技术领域，公开了一种坩埚熔液冷凝应力分析方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取坩埚的第一结构参数和物料的第二结构参数，构建对应的内置物料模型的坩埚模型，确定坩埚模型和物料模型为黏附接触关系，并设置材料参数、塑性节点、相变材料节点和物理约束条件，设置坩埚模型和物料模型的传热条件和辐射条件，基于上述条件和数据，结合预设的温度条件、模型划分条件和求解器设置，计算不同情况下坩埚的应力数据，得到各不同情况对于坩埚熔液冷凝应力的影响分析数据，通过设置辐射条件并添加相变材料节点，模拟不同情况的冷凝应力分析，提高了分析坩埚熔液冷凝应力的效率和准确度。
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公开(公告)号：CN115673179B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202310001189.5
申请日：2023-01-03
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及加热工装技术领域，具体而言，涉及一种笼状加热丝缠绕装置及缠绕方法，通过设置第一固定板上的拉杆可以相对第一固定板沿轴向调节位置，第二固定板上的拉杆可以相对第二固定板沿轴向调节位置，在同一个加热笼具有不同形状或不同温度区需求的时候，通过分别调节第一固定板和第二固定板的拉杆的位置，从而可以实现在一个笼状加热丝缠绕装置上缠绕不同密度的加热丝以满足同一个加热笼具有不同温度分布区的需求，其操作简单方便，其缠绕出来的加热笼具有很好的一致性，无需另外设置不同规格的缠线工装来满足不同温度区的需求。
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公开(公告)号：CN115637490B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202211378289.1
申请日：2022-11-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种集成式分子束外延坩埚制作方法、外延坩埚及分子束源炉，其中，制作方法包括步骤：S1、准备石墨材质的芯轴组件；S2、在芯轴组件外周外延沉积生成第一热解氮化硼层；S3、在第一热解氮化硼层外周折弯缠绕加热丝，使加热丝紧贴固定在第一热解氮化硼层表面；S4、在第一热解氮化硼层外周外延沉积生成第二热解氮化硼层，第二热解氮化硼层完全覆盖加热丝；S5、氧化消除芯轴组件；该制作方法在无需增加额外工艺手段的前提下能制作出结构简单、制作成本低、制作效率高、热效率高、热场分布均匀且保温效果出众的集成式分子束外延坩埚。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118095141B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410464351.1
申请日：2024-04-17
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/28 , G06F113/08 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域，公开了一种相变材料激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取表面设置有镀层模型的相变材料模型，设置镀层模型的第一材料参数和相变材料模型的第二材料参数，根据激光烧蚀过程的传热特征、相变特征、液体和气体的流动特征以及物质蒸发特征，设置流体传热物理场、层流物理场和基于气液界面流动而改进的水平集物理场，通过等效热容法，对表面设置有镀层模型的相变材料模型进行激光烧蚀模拟，得到激光烧蚀模拟分析结果，通过流体传热物理场、层流物理场和基于气液界面流动而改进的水平集物理场，对激光烧蚀过程进行模拟，提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。
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公开(公告)号：CN118070564A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410464333.3
申请日：2024-04-17
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G06F113/08 , G06F119/08
Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域，公开了一种水平集法激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取表面设置有镀层模型的相变材料模型，设置镀层模型的第一材料参数和相变材料模型的第二材料参数，根据激光烧蚀过程的传热特征、物质蒸发特征和相变特征，设置固体传热物理场和基于两相体积分数的水平集物理场，基于第一材料参数、第二材料参数、固体传热物理场和基于两相体积分数的水平集物理场，对表面设置有镀层模型的相变材料模型进行激光烧蚀模拟，得到激光烧蚀模拟分析结果，通过固体传热物理场和基于两相体积分数的水平集物理场，对激光烧蚀过程进行模拟，提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。
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公开(公告)号：CN117423785A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311441200.6
申请日：2023-11-01
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L33/00 , H01L21/683 , B08B1/12 , B08B15/04
Abstract: 本申请公开了一种Micro‑LED晶圆修复装置，属于半导体技术领域，该晶圆修复装置通过在载盘座的第二内腔中设置滤网和清洁组件，在抽气过程中，清洁组件在气流推动下对滤网进行清洁以刮落滤网上的杂质，并由下方的收集框收集被刮落的杂质，从而实现在抽气的过程中清除杂质，当晶圆的修复工作完成后，气泵进行充气，使晶圆稍微悬浮便于取走，此时，由于滤网上的杂质已经被清除，充气气流不会携带杂质从吸附槽喷出，有效避免杂质对晶圆底面的损害，从而有利于晶圆的修复工作。
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公开(公告)号：CN116306058A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310608061.5
申请日：2023-05-26
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G06F111/10 , G06F119/02
Abstract: 本申请属于分析坩埚热应力技术领域，公开了一种坩埚热应力的影响分析方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取坩埚的第一结构参数和加热物料的第二结构参数，通过仿真软件，构建对应的内置物料模型的坩埚模型，确定坩埚模型和物料模型为黏附接触关系，并设置坩埚模型和物料模型的材料参数、塑性节点和热膨胀条件，确定热膨胀应变数据的计算方程，基于上述条件和数据，结合预设的温度条件、预设的模型划分条件和预设的求解器设置，计算不同情况下坩埚模型的热应力分布数据，得到不同情况对于坩埚热应力的影响分析结果数据，通过设置黏附接触关系并添加塑性节点，模拟不同情况的热应力分析，提高了分析坩埚热应力的效率和准确度。
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公开(公告)号：CN118296853B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410681168.7
申请日：2024-05-29
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G16C10/00 , G16C60/00 , G06F119/08
Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域，公开了一种半透明材料激光烧蚀模拟方法及相关设备，该方法包括：获取内部设置有杂质模型的半透明相变材料模型，设置半透明相变材料模型的第一材料参数和杂质模型的第二材料参数，根据激光衰减特征以及半透明相变材料和杂质材料的传热特征和受热膨胀特征，设置耦合比尔‑朗伯定律的固体传热物理场和设有热膨胀节点的固体力学物理场，基于上述数据，对内部设置有杂质模型的半透明相变材料模型进行激光烧蚀模拟，得到激光烧蚀模拟分析结果，通过耦合比尔‑朗伯定律的固体传热物理场和设有热膨胀节点的固体力学物理场，对激光烧蚀过程进行模拟，提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。
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